Hизькотемпературний сенсор
Номер патенту: 29027
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Вайнберг Віктор Володимирович, Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Бортнік Галина Миколаївна, Варшава Славомир Степанович
Формула / Реферат
Низькотемпературний сенсор, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала з під’єднаними струмовиводами, розташований на підкладці, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з телуру з питомим опором 0,6 Ом. см при 300 К, а відношення діаметра до довжини становить 0,05-0,1.
Текст
Низькотемпературний сенсор, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала з під'єднаними струмовиводами, розташований на підкладці, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з телуру з питомим опором 0,6 Ом×см при 300 К, а відношення діаметра до довжини становить 0,05-0,1. (19) (21) 97125970 (22) 10.12.1997 (24) 16.10.2000 (33) UA (46) 16.10.2000, Бюл. № 5, 2000 р. (72) Варшава Славомир Степанович, Вайнберг Віктор Володимирович, Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Бортнік Галина Миколаївна 29027 магнітоопору при фіксованій температурі. Можливість вимірювання одноелементним низькотемпературним сенсором двох параметрів - розширює його функціональні можливості. На фіг. 1 зображений низькотемпературний сенсор, на фіг. 2 - градуювальна характеристика його як термометра, а на фіг. 3 - градуювальна характеристика як вимірювача індукції магнітного поля при 4,2 К. Низькотемпературний сенсор містить чутливий елемент 1 з напівпровідникового ниткоподібного кристала телуру з питомим опором 0,6 Ом×см при 300 К і відношенням діаметра до довжини 0,05-0,1, з під'єднаними струмовиводами 2, розташований на підкладці 3. Виготовляють його слідуючим чином. До кінців чутливого елемента 1 з розмірами – довжиною l³2 мм і діаметром d³0,1 мм, тобто відношенням d/l@0,05-0,1, і питомим опором 0,6 Ом×см при 300 К приварюванням золотого мікродроту створюють струмовиводи 2; розташовують чутливий елемент1 на діелектричній підкладці 3, закріплюючи струмовиводи 2 клеєм. Виготовлений таким чином низькотемпературний сенсор розташовують орієнтовано в досліджуваному полі (тепловому і магнітному). При поздовжньому його розташуванні вздовж ліній магнітної індукції, користуючись попередньо знятою залежністю фіг. 2, визначаюсь температуру по виміряному значенню R0. При цьому можна користуватись і аналітичною залежністю виду R0=A-BlgT, де A і B - константи, характерні для кожного термометра. Пізніше, повертаючи сенсор на 90°, по величині його поперечного магнітоопору, тобто по градуювальній характеристиці фіг. 3 DR/R0=f(B), визначають індукцію магнітного поля В; DR - різниця між опором чутливого елемента в поздовжньому і поперечному магнітних полях. Залежність фіг. 3 близька до квадратичної. Для температур, відмінних від 4,2 К, проводиться відповідна інтерполяція. Опір визначали цифровими приладами загального призначення, наприклад В7-16 А. Похибка вимірювання температури
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюLow-temperature sensor
Автори англійськоюVarshava Slavomyr Stepanovych, Vainberg Viktor Volodymyrovych, Venher Yevhen Fedorovych, Prokhorovych Anatolii viktorovych, Bortnik Halyna Mykolaivna
Назва патенту російськоюНизкотемпературный сенсор
Автори російськоюВаршава Славомир Степанович, Вайнберг Виктор Владимирович, Венгер Евгений Федорович, Прохорович Анатолий Викторович, Бортник Галина Николаевна
МПК / Мітки
МПК: G05D 23/20, G01K 7/16, H01L 43/08
Мітки: сенсор, hизькотемпературний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-29027-hizkotemperaturnijj-sensor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Hизькотемпературний сенсор</a>
Попередній патент: Спосіб визначення точки роси
Наступний патент: Ресивер
Випадковий патент: Фотоелектронний перетворювач