Байцар Роман Іванович

Номер патенту: 43976

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Байцар Роман Іванович, Гінгін Микола Петрович, Столярчук Петро Гаврилович, Рак Володимир Степанович

МПК: G01L 7/02

Мітки: оптоелектронний, вимірювання, пристрій, тиску

Формула / Реферат:

Оптоелектронний пристрій для вимірювання тиску, що містить оптично зв'язані лазер, світловод, модулятор світла та фотоприймач, який відрізняється тим, що додатково містить фотопідсилювач, пороговий елемент, подільник частоти на два, інвертор, формувач вихідного сигналу, логічний елемент "і" та підсилювач, а як модулятор світла в ньому використаний ниткоподібний монокристал кремнію, прикріплений обома кінцями до пружного елементу та...

Номер патенту: 41659

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Столярчук Петро Гаврилович, Гінгін Микола Петрович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/32

Мітки: вимірювач, магнітного, температури, поля

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала Si-Ge<Zn>, шар фериту Mn-Zn, який відрізняється тим. що терморезистор виконаний з двох послідовно з'єднаних чутливих елементів і розташований в шарі фериту, який виконано з суміші теплопровідної пасти і порошку фериту, і який нанесений на поверхню датчика...

Номер патенту: 35198

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Бортнік Галина Миколаївна, Столярчук Петро Гаврилович

МПК: G03G 21/00, G01N 25/00

Мітки: вологості, термоелектричний, датчик

Формула / Реферат:

Термоелектричний датчик вологості, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала голчастої форми, до якого під'єднані контактні вітки, які є одночасно сухим і вологим термометрами відповідно, і під'єднані до вимірювального приладу, а вістря чутливого елемента перебуває в контакті з пористим змочуваним матеріалом, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з кремнію р-типу з питомим опором...

Номер патенту: 32918

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Байцар Роман Іванович, Гінгін Микола Петрович, Дудикевич Валерій Богданович, Рак Володимир Степанович

МПК: G01L 1/10

Мітки: автогенератор, струнний

Текст:

...введення всіх вище перехованих змін підвищились стабільність, точність та надійність роботи струнного автогенератора. На фігЛ зображ ена структу рна схема вимірюв ально го автогенератора, на фіг.2 - часові діаграми, що пояснюють принцип роботи схеми. Струнний автогенератор містить : перший 1 та другий 2 високоомні резистори, перший генератор струму 3, сгрупппй перетворювач 4, другий генератор струму 5, диференційний підсилювач 6,...

Номер патенту: 33039

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович

МПК: G01R 21/00

Мітки: нвч-випромінювання, детектор

Текст:

...На фіг. зображений детектор НВЧ-випромІнювання, де ЧВ --ї , контакти - 2, струмопідводи - 3, феритові кільця - 4 . ( детектор НВЧ-випромінювання містить ЧЕ А. з напівпровідникового ниткоподібного монокристала твердого розчину$Li-x &&xскладу х=и,і)І, легованого/# І Аб/ , з питомим опором и,7 Ом,см, з контактами- 2 та струмопідводаьй- 3; на ЧЕ- І встановлені ферлтоБІ кільця- 4. Феритові кільця - 4 можуть мати форму тороїдальних...

Номер патенту: 28394

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович, Байцар Роман Іванович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01K 7/16, G01B 7/00, H01L 43/00 ...

Мітки: датчик, багатофункціональний

Формула / Реферат:

1. Багатофункціональний датчик, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала, точкові контакти, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлено з голчастого монокристала твердого розчину Si1-хGex складу х=0,05, легованого Zn, з питомим опором 0,5 Ом.см, чутливий елемент складається з 3-х частин, утворених 4-а точковими контактами так, що частина з сторони більшого поперечного перерізу використана як...

Номер патенту: 28393

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Євген Федорович, Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович

МПК: G01K 7/32, H01L 43/08

Мітки: вимірювач, магнітного, поля, температури

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з...

Номер патенту: 29026

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Рак Володимир Степанович, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович

МПК: G01N 25/56, G01N 25/64

Мітки: точки, роси, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення точки роси, згідно якого збуджують незатухаючі коливання резонатора, при термоелектричному охолодкелні вимірюють частоту коливань резонатора і температуру, з яких визначають точку роси, який відрізняється тим, що резонатор виконують у вигляді струни з ниткоподібного напівпровідникового кристала Si-Ge, яку закріплюють на дзеркальній, кремнієвій підкладці в деформованому стані, а точку роси визначають при скачкоподібній зміні...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Шепетюк Володимир Андрійович, Белей Мирон Іванович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, snте)х, отримання, плівок, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 21771

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Новицький Данило Миколайович, Байцар Роман Іванович, Карасьов Олексій Павлович

МПК: G01K 5/00

Мітки: термоаhемометр, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий термоанемометр, який містить чутливий елемент з ниткоподібного моно­кристала твердого розчину Si-Ge з електричними контактами, струмовиводами, держак, електрич­ну вимірювальну схему, який відрізняється тим, що контакти виготовлені випрямними, причому в твердому розчині Si-Ge вміст Ge становить 0,01, і питомий опір монкристала рівний або перевищує 4 Ом • см.

Номер патенту: 20677

Опубліковано: 02.09.1997

Автори: Байцар Роман Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Островський Ігор Петрович, Новаковська Зоя Володимирівна

МПК: G01R 19/08

Мітки: визначення, спосіб, тензорезистора, струму, робочого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого струму тензорезисторів, на основі ниткоподібних кристалів кремнію, який полягає в тому, що визначають ге­ометричні параметри кристалів чутливого елемен­ту тензорезистора та подають на нього постійну напругу, який відрізняється тим, що на тензоре-зистор з кристалами чутливого елементу діамет­ром 20-56 мкм подають напругу до 5 В, визначають напруженість електричного поля та розраховують густину робочого струму по...

Номер патенту: 15098

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Нечипорук Ірина Євгенівна, Пелех Любов Миколаївна

МПК: H01L 31/02

Мітки: фотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Фотоелектричний перетворювач, що містить чутливий елемент з напівпровідникового монокристала з електричними контактами, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлений з твердого розчину  складу   з питомим опором  з величиною конусності  один з електричних контактів приєднаний безпосередньо до торця чутливого елемента, а другий - зміщений відносно протилежного кінця чутливого елемента на  де  - довжина кристала.

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Красножонов Євген Павлович, Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович, Островський Петро Іванович

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: ниткоподібних, напівпровідникових, спосіб, струнних, вирощування, резонаторів, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...

Номер патенту: 5718

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Жирков Алєксандр Ніколаєвіч, Воронін Валерій Олександрович, Радіонов Аркадій Васільєвіч, Байцар Роман Іванович, Маковскій Ніколай Людвіговіч, Красножонов Євген Павлович

МПК: G01K 5/00, G01K 7/32

Мітки: пристрій, вимірювання, температури

Формула / Реферат:

Устройство для измерения температуры, Содержащее корпус с размещенной в нем струной, закрепленной концами на основании, и блок возбуждения колебаний струны, подключенный к ней через токоподводы и соединенный с измерителем частоты, отличающееся тем, что струна выполнена из нитевидного полупроводникового тензочувствительного монокристалла, а основание имеет форму пластины из материала с низким коэффициентом линейного расширения, поверхность,...