Аналоговий рідкокристалічний індикатор

Аналоговий рідкокристалічний індикатор у вигляді рідкокристалічної комірки, яка має шар рідкого кристалу, розміщений між двома прозорими підкладками, на внутрішніх сторонах яких сформовано електроди та орієнтуючі покриття, периферійну ізолюючу прокладку, що разом з прозорими підкладками ізолює рідкокристалічний матеріал, який відрізняє ться тим, що хоча б до одного з електродів паралельно нанесено резистивний елементплівку, виконаний з змінною товщиною і/або шириною по довжині. (19) (21) 97020551 (22) 10.02.1997 (24) 15.11.2000 (33) UA (46) 15.11.2000, Бюл. № 6, 2000 р. (72) Готра Зенон Юрійович, Готра Олександра Зенонівна, Батбаярин Даваасурен, Петрів Орест Романович, Сенюк Богдан Іванович, Смалюх Іван Іванович (73) ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА" 29717 гової напруги електрооптичного ефекту в даному рідкому кристалі. Зміна величини вимірюваної напруги веде до відповідної зміни величини області збудження рідкого кристалу, що покращує процес індикації. На фігурі зображено запропонований аналоговий рідкокристалічний індикатор, де 1 - шар рідкого кристалу; 2, 3 - прозорі підкладки; 4, 5 - електроди; 6 - орієнтуючі покриття; 7 - периферійна ізолююча прокладка; 8 - резистивний елементплівка; 9 - виводи. Аналоговий рідкокристалічний індикатор, у вигляді рідкокристалічної комірки, має шар рідкого кристалу і розміщений між двома прозорими підкладками 2, 3, на внутрішніх сторонах яких сформовано електроди 4, 5 та орієнтуючі покриття 6, периферійну ізолюючу прокладку 7, що разом з прозорими підкладками 2, 3 ізолює рідкокристалічний матеріал 1, хоча б до одного з електродів 4, 5 паралельно нанесено резистивний елемент плівку 8, виконаний із змінною товщиною і/або шириною по довжині. Якщо вимірювану напругу прикласти до виводів 9 електродів 4 і 5, то внаслідок зміни опору резистивного елемента-плівки 8 напруга розподілиться між електродом і резистивним елементомплівкою 8, тому напруга, прикладена до рідкого кристалу 1, буде неоднакова по довжині і збуджується область рідкого кристалу 1, в якій значення прикладеної напруги більше від значення порогової напруги електрооптичного ефекту в даному рідкому кристалі 1. Зміна величини вимірюваної напруги веде до відповідної зміни величини області збудження рідкого кристалу 1, завдяки чому покращується процес індикації. Запропонований аналоговий рідкокристалічний індикатор дозволяє спростити конструкцію та технологію його виготовлення, забезпечити рівномірність шару рідкого кристалу. Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 35 прим. Зам._______ __________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 __________________________________________________________ 2