Склад електроліту синтезу активного діоксиду мангану для катодного матеріалу хімічних джерел струму

Склад електроліту синтезу активного діоксиду мангану для катодного матеріалу хімічних джерел струму на основі сульфату мангану, який відрізняється тим, що додатково містить фтористоводневу кислоту HF, гідроксид літію при таких концентраціях компонентів, моль .л-1: MnSO4 0,7 HF 0,25 LiOH 0,01-0,25. (19) (21) u200802275 (22) 22.02.2008 (24) 25.07.2008 (46) 25.07.2008, Бюл.№ 14, 2008 р. (72) СОКОЛЬСЬКИЙ ГЕОРГІЙ ВОЛОДИМИРОВИЧ, UA, ІВАНОВА НАТАЛІЯ ДМИТРІВНА, UA, ІВАНОВ СЕРГІЙ ВІТАЛІЙОВИЧ, UA, БОЛДИРЕВ ЄВГЕН ІВАНОВИЧ, UA (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ АВІАЦІЙНИЙ УНІВЕРСИТЕТ (НАУ), UA 3 34039 діоксиді мангану вирішується тим, що електроліт анодного синтезу цього матеріалу містить сульфат мангану, а замість сульфатної кислоти у складі електроліта-аналога містить фтористоводневу кислоту HF (вихідним був 35-40% розчин плавикової кислоти), а також додатково введений гідроксид літію у співвідношенні, моль .л-1: HF 0,25моль.л-1 LiOH 0,01-0,25моль .л-1 Електрохімічну активність отриманого анодного продукту порівнювали за допомогою 3-х електродної електрохімічної комірки у лужних електролітах, в тому числі з активністю анодного продукту, де були відсутні домішки літію. Для цього готували катодну масу такого складу: діоксид мангану анодний 75% графіт 24% сажа 1% Масу підпресовували на сітку з нержавіючої сталі марки 1Х18Н10Т на вальцях. Робоча площа неізольованої поверхні катоду складала - 0,5см2. Електролітом для дослідження електрохімічної активності було обрано 9М КОН, анодом - платинову пластину площею 10см2. Густину струму катодного розряду підтримували на рівні 6А.дм-2. Приклади виконання: 1. Проводять анодне осадження основного компоненту катодної маси - діоксиду мангану при густині анодного струму 6мА/см2 з електроліту такого складу: MnSO4 0,7моль .л-1 HF 0,25моль.л-1 Після цього електрод на основі діоксиду мангану розряджали гальваностатично у 9М КОН. Ємність розряду була обчислена за площею розрядної кривої до -1,0В відносно стандартного водневого електроду. Вона складала 220мА.годт-1. 2. Проводять анодне осадження основного компоненту катодної маси - діоксиду мангану при гальваностатичних умовах (6А.дм-2) з електроліту такого складу: MnSO4 0,7моль .л-1 HF 0,25моль.л-1 LiOH 0,025моль.л-1 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 4 Після цього електрод на основі допованого літієм діоксиду мангану, приготовлений як представлено вище, розряджали у гальваностатичних умовах у 9М КОН. Ємність розряду, обчислена за площею розрядної кривої до -1,0 В відносно стандартного водневого електроду, складала 240мА.год.г-1. 3. Проводять анодне осадження основного компоненту катодної маси - діоксиду мангану при густині анодного струму 6мА/см2 з електроліту такого складу: MnSO4 0,7моль .л-1 HF 0,25моль.л-1 LiOH 0,15моль.л-1 Після цього електрод на основі дотованого літієм діоксиду мангану, приготовлений як представлено вище, розряджали у гальваностатичних умовах (6мА/см2) у 9М КОН. Ємність розряду, підрахована за площею розрядної кривої до -1,0 В відносно стандартного водневого електроду складала 340мА.годт-1. На підставі одержаних результатів можна зробити висновок, що операція введення домішки літію у фторвмісний електроліт анодного синтезу діоксиду мангану дозволяє підвищити електрохімічну активність на 10-30%. Джерела інформації: 1. Brenet J. P. // J. Power Sources. - 1979. -4. P. 183-189. 2. Ruetschi, P. and Giovanioli, R. // J. Electrochem. Soc. - 1988. - 135. - P. 2663-2666. 3. Рао ЧНР. Новые направления в химии твердого тела, Н: Наука, 1990. - 294с. 4. Кисиль И.М., Непочатов В.М, Косцеляк Ц.П. и др. Промышленная технология электролитического диоксида марганца // ЖВХО им. Д.И. Менделеева. - 1991. - Т.25, №2. - С. 201-203. 5. I.S. Makeeva, N.D. Ivanova, G.V. Sokolsky. Investigation of cathodic materials based on different types of Mn02/Carbon // New Carbon Based Materials for Electrochemical Energy Storage Systems / eds. I.V.Barsukov et al. - Netherlands: Spinger, 2006. -P. 481-486. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601