H01M 6/00 — Первинні елементи; їх виготовлення

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: рентгенівського, застосування, матеріалу, cu6ps5i, плівки, йодид-пентатіофосфату, основі, тонкої, випромінювання, реєстрації, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Машіко Владислав Володимирович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, основі, міді, матеріалу, твердоелектролітичного, бромід-пентатіофосфату, плівки, тонкої, джерела, cu6ps5br, енергії

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Машіко Владислав Володимирович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: енергії, матеріалу, тонкої, cu6ps5br, основі, плівки, джерела, твердоелектролітичного, застосування, міді, бромід-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: основі, йодид-пентатіогерманату, плівки, міді, застосування, джерела, твердоелектролітичного, аморфної, cu7ges5i, енергії, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Бучук Роман Юрійович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: суперіонної, твердоелектролітичного, cu6ps5i, джерела, матеріалу, міді, йодид-пентатіофосфату, кераміки, основі, нанокристалічного, застосування, енергії

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, cu7ge(s0,7se0,3)5i, матеріалу, енергії, монокристалу, джерела, твердого, твердоелектролітичного, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіофосфату, джерела, аморфної, матеріалу, застосування, твердоелектролітичного, основі, сu6ps5i, міді, плівки, енергії

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: cu6ps5i, джерела, застосування, матеріалу, енергії, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, основі, плівки, міді, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: матеріал, джерела, йодид-пентаселенофосфату, міді, основі, енергії, твердоелектролітичного, cu6pse5i

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00

Мітки: кераміки, енергії, cu6ps5i, твердоелектролітичного, джерела, йодид-пентатіофосфату, суперіонної, міді, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: кераміки, застосування, твердоелектролітичного, суперіонної, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, міді, основі, мікрокристалічного, матеріалу, джерела, енергії

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 91296

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Свердліковська Ольга Сергіївна, Шапка Василь Харитонович, Бурмістр Михайло Васильович

МПК: C07D 295/037, H01M 6/00, H01M 10/00 ...

Мітки: солей, основі, четвертинних, рідин, електрохімічних, амонієвих, морфоліну, іонних, пристроїв, похідних, компонента, застосування, полімерних, рідких, електролітів

Формула / Реферат:

Застосування іонних рідин на основі четвертинних амонієвих солей - похідних морфоліну загальної формули:,де R'=, R"=-СН2СН2ОН, X=Сl (1);R'=, R"=-СН2СН2СН2СН3, X=Вr (2);R'=СH2СН2СН2СН3, R"=

Номер патенту: 43482

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Козуб Світлана Миколаївна, Лавренко Антоніна Олександрівна, Грінь Григорій Іванович, Панчева Ганна Михайлівна, Козуб Павло Анатолійович

МПК: B09B 3/00, H01M 10/54, H01M 6/00 ...

Мітки: цінних, вилучення, компонентів, спосіб, відпрацьованих, живлення, джерел

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення цінних компонентів з відпрацьованих джерел живлення за допомогою їх контактування з розчином мінеральної кислоти, який відрізняється тим, що процес вилучення проводять у два прийоми з різною початковою концентрацією кислоти.

Номер патенту: 85475

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Марковський Борис, Шембель Олена Мойсіівна, Нагірний Віктор Михайлович, Апостолова Раїса Данилівна, Орбах Дорон

МПК: H01M 6/00, H01M 4/00

Мітки: батарей, матеріалу, літій-іонних, активного, отримання, спосіб, літієвих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання активного матеріалу для літієвих та літій-іонних батарей катодним відсадженням на підкладці з нержавіючої сталі або алюмінію з водного розчину, що містить сіль сульфідутворюючого металу та сіркогенної сполуки, наприклад сульфати заліза, нікелю, міді та тіосульфат натрію, у вигляді безбаластового катодного покриття, який відрізняється тим, що метал-сульфідний матеріал отримують при температурі 20-65 °С, густині струму 2,5-10,0...

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Пріц Іван Павлович, Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: полікристалічного, cu6ps5i, застосування, йодидпентатіофосфату, джерела, твердоелектролітичного, композита, матеріалу, міді, енергії

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, застосування, твердоелектролітичного, матеріалу, джерела, енергії, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 84117

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Гетьман Олександр Іванович, Челомбітко Ігор Васильович, Шумінський Генрік Генрікович

МПК: H01G 4/00, H01M 6/00

Мітки: енергії, пристрій, отримання, електричної

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання електричної енергії, що включає корпус з пакетом пластин обох знаків, між пластинами знаходиться шар сегнетоелектрика, пристрій містить зарядову пластину, відокремлену від інших шаром сегнетоелектрика, який відрізняється тим, що зарядова пластина виконана з біполярного електрета, наприклад з політетрафторетилену, поліетилентерефталату, полікарбонату, титанату кальцію, скла, ситалів і ін., а як сегнетоелектрик...

Номер патенту: 83930

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, джерела, енергії, міді, cu6ps5i, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6PS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, застосування, енергії, міді, cu7ges5i, матеріалу, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 30942

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Токар Олег Володимирович, Сергєєнко Сергій Сергійович, Стадник Ольга Олександрівна, Болдирєв Євген Іванович, Гончарук Григорій Миколайович, Іванова Наталія Дмитрівна

МПК: H01M 4/50, H01M 6/00

Мітки: електрода, плаского, виготовлення, спосіб, позитивного, джерела, гнучкого, струму

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення позитивного електрода для плаского гнучкого хімічного джерела струму, що включає літієвий анод, сепаратор, органічний електроліт, катод з діоксиду мангану, з подальшою обробкою, який відрізняться тим, що до діоксиду мангану додають розчин гідроксиду літію у співвідношенні 1:(1,3-1,5), а термообробку проводять при температурі 298-301 °С протягом однієї години.

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, енергії, джерела, йодид-пентатіофосфату, міді, cu6ps5i, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 5572

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Байрачний Борис Іванович, Коваленко Юлія Іванівна

МПК: H01M 6/00

Мітки: системі, гальванічний, мангано-магнієвої, елемент

Формула / Реферат:

Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи, який містить анод з магнієвого сплаву, катод з діоксиду мангану та електроліт на основі загущеного хлориду натрію, який відрізняється тим, що магнієвий анод містить 2-3 % Pb, а до складу електроліту додатково вводять хлористий амоній та хлорамін Б у наступному співвідношенні компонентів (г/дм3): натрію хлорид 10 амонію хлорид ...

Номер патенту: 54182

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Пішук Василь Кирилович, Чупров Сергій Степанович, Загінайченко Світлана Юріївна, Данилов Михайло Олегович, Щур Дмитро Вікторович

МПК: H01M 4/58, H01M 6/00

Мітки: гідридного, спосіб, виготовлення, джерел, струму, металогідридних, електрода, хімічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гідридного електрода металогідридних хімічних джерел струму, що включає перемішування порошку воднесорбційного сплаву, додавання металу і зв'язуючого, висушування і наступне виготовлення електрода, який відрізняється тим, що метал до складу електрода вводиться шляхом нанесення на поверхню порошку тонкого шару металу мікроплакуванням окремих ділянок часток сплаву, так званих "активних центрів", хімічним,...

Номер патенту: 50468

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Василенко Сергій Анатолійович, Безручко Костянтин Васильович, Губін Сергій Вікторович, Василенко Анатолій Сергійович, Азарнов Олександр Леонідович

МПК: H01M 10/48, H01M 6/00, H01M 2/26 ...

Мітки: основі, живлення, джерело, електрохімічних, акумуляторів

Формула / Реферат:

Джерело живлення на основі електрохімічних акумуляторів, яке містить n акумуляторів і електронну систему контролю параметрів, яке відрізняється тим, що воно оснащене n конверторами, кожний з який з'єднаний з відповідним акумулятором і утворює з ними n каналів перетворення напруги, і комутатором цих каналів, через який виходи конверторів підключені паралельно до електронної системи контролю параметрів джерела живлення і до навантаження.

Номер патенту: 35860

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Солових Євген Костянтинович, Солових Андрій Євгенович, Катеринич Станіслав Євгенович, Черновол Михайло Іванович, Наливайко Володимир Миколайович, Шепеленко Ігор Віталійович, Агліулін Роман Равілійович

МПК: H01M 6/00

Мітки: установка, гальванічних, проточного, нанесення, покриттів

Формула / Реферат:

1. Установка для проточного нанесення гальванічних покриттів, яка складається з системи подачі повітря, яка містить компресор, ресивер нагнітання, повітряний фільтр, редуктор тиску, вентилі з електромагнітним приводом і трубопроводи, електричну чарунку та дві ємкості для електроліта, яка відрізня­ється тим, що ємкості виконані циліндричної форми з конусоподібним дном, при цьому з боку зрізаної вершини встановлений штуцер.2. Установка...

Номер патенту: 26878

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Сємєній Валерій Якович, Ягупольський Лев Мусійович, Коломєйцев Олександр Олександрович, Павленко Наталія Віталієвна, Ігнат'єв Микола Володимирович, Ягупольський Юрій Левович

МПК: C07F 9/09, C07F 1/00, H01M 6/00 ...

Мітки: компонент, джерел, струму, хімічних, електроліту, литий, трис(пентафторетил)трифторфосфат

Текст:

...(1F); вещество, хорошо растворимое в органических растворителях, таких как эфиры, ацетонитрил, пропиленкарбонат и др. и бСРз(1) - 80,26 м.д.; (3F); не растворимое в углеводородах. Устой30 чиво при 25°С в безводных условиях. *Ц(2) - 82,48 м.д. (6F); Полезные свойства заявляемого соединения определяются химической струкSF(2) - 88,33 мл.; 'J.P_F) 905,58 Гц (2F); турой и проявляются в высокой раствори- 116,23 м.д.; «Jmn 83,03 Гц мости в...

Номер патенту: 21211

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Щипцов Олександр Анатолійович, Перековець Петро Іванович, Малков Юрій Олександрович

МПК: H01M 6/00

Мітки: сr240150, струму, джерело, хімічне

Формула / Реферат:

1. Химический источник тока (ХИТ) электрохимической системы Li/MnO2, содержащий твердотельный катод, неводный апротонный электролит и литиевый анод, отличающийся тем, что применены: катодная масса по составу, представляющая собой смесь из обезвоженного термоактивированного диоксида марганца МnО2, углеродистой сажи (5-10%), фторопластовой суспензии (CF)n - (5%); в качестве электролита - обезвоженный органический электролит, состоящий из...