Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою
Номер патенту: 41119
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Сушинський Орест Євгенович, Микитюк Зіновій Матвійович, Шимчишин Мар'ян Олегович, Фечан Андрій Васильович, Коцун Володимир Іванович, Готра Зенон Юрійович
Формула / Реферат
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою, згідно з яким подають оптичне випромінювання в шар планарного світловода із забезпеченням розгалуження оптичного випромінювання, який відрізняється тим, що одну з пластин планарного світловода виготовляють з монокристала кремнію, на якій утворюють систему тонкоплівкових транзисторів з електродами розгалуженої форми, а на іншу пластину наносять провідний шар, і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють рідкокристалічною сумішшю і герметизують.
Текст
Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою, згід 3 41119 пластина монокристалу кремнію; 5-тонко плівкові транзистори з електродами. Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою полягає у тому, що одну з пластин планарного світловода виготовляють з монокристалу кремнію 4, на якій утворюють систему тонко плівкових транзисторів з електродами розгалуженої форми 5, а на іншу пластину 1 наносять провідний шар 2, і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють рідкокристалічною сумішшю 3 і герметизують. Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 4 Керування оптичним випромінюванням в інтегральному мікроелектронному твердотільному оптичному пристрої здійснюється шляхом керуванням оптичними властивостями рідкокристалічної суміші, що приводить до зміни показника заломлення рідкокристалічної суміші і оптичне випромінювання буде розгалужуватись в напрямку прикладання електричного потенціалу до електроду тонко плівкового транзистора, який виготовляють за методами використанням мікроелектронних технологій, і електроду на протилежній підкладці. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for production of integral microelectronic solid state optical device
Автори англійськоюHotra Zenon Yuriiovych, Mykytiuk Zinovii Matviiovych, Fechan Andrii Vasyliovych, Sushynskyi Orest Yevhenovych, Shymchyshyn Marian Olehovych, Kotsun Volodymyr Ivanovych
Назва патенту російськоюСпособ изготовления интегрального микроэлектронного твердотельного оптического устройства
Автори російськоюГотра Зенон Юрьевич, Микитюк Зиновий Матвеевич, Фечан Андрей Васильевич, Сушинский Орест Евгеньевич, Шимчишин Марьян Олегович, Коцун Владимир Иванович
МПК / Мітки
МПК: G02F 1/13
Мітки: спосіб, оптичного, пристрою, мікроелектронного, інтегрального, виготовлення, твердотільного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-41119-sposib-vigotovlennya-integralnogo-mikroelektronnogo-tverdotilnogo-optichnogo-pristroyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою</a>
Система поперечного діодного оптичного накачування твердотільного лазера
Номер патенту: 75184
Опубліковано: 15.03.2006
Автори: Ванцан Вітолд Мар'янович, Мединський Валентин Савич, Чурюмов Геннадій Іванович
МПК: H01S 3/04, H01S 3/091
Мітки: твердотільного, система, накачування, оптичного, діодного, лазера, поперечного
Формула / Реферат:
Система поперечного діодного оптичного накачування твердотільного лазера, яка містить напівпровідникове джерело оптичного накачування, фокусуючу лінзу, активний елемент, напівпрозоре і непрозоре дзеркала резонатора, яка відрізняється тим, що в неї введено кришки з вхідним і вихідним каналами, призначеними для здійснення циркуляції холодоагенту в системі охолодження, та планки із розташованими на них світловипромінювальними діодами, сукупність...
Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою
Номер патенту: 41105
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Сушинський Орест Євгенович, Шимчишин Мар'ян Олегович, Готра Зенон Юрійович, Микитюк Зіновій Матвійович, Фечан Андрій Васильович
МПК: G02F 1/13
Мітки: пристрою, рідкокристалічного, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення рідкокристалічного пристрою, згідно з яким послідовно наносять на поверхню плоских вікон з орієнтуючими шарами провідне покриття та склеюють вікна одне до одного з прокладками або спейсерами між ними з наперед заданою товщиною прошарку, який заповнюють рідкокристалічною сумішшю, герметизують і подають оптичне випромінювання, який відрізняється тим, що оптичне випромінювання подають під кутом безпосередньо в шар...
Спосіб виготовлення оптичного носія для довготермінового зберігання даних
Номер патенту: 81519
Опубліковано: 10.01.2008
Автори: Горбов Іван Васильович, Шанойло Семен Михайлович, Крючин Андрій Андрійович, Петров В'ячеслав Васильович, Бєляковський Володимир Олександрович
Мітки: даних, виготовлення, довготермінового, оптичного, спосіб, носія, зберігання
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення оптичного носія для довготермінового зберігання даних, який полягає в розміщенні інформаційного шару на оптично прозорій підкладці, виготовленій з високостабільного матеріалу, нанесенні відбиваючого шару на інформаційний шар, який відрізняється тим, що інформаційний шар виготовляють методом вакуумного напилення з одного з оксидів кремнію, гафнію, титану, алюмінію, здійснюють іонно-променеве травлення матеріалу...
Рідкокристалічний розгалужувач оптичного випромінювання
Номер патенту: 63243
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Микитюк Зіновій Матвійович, Даланбаяр Болормаа
МПК: G02F 1/13
Мітки: випромінювання, рідкокристалічній, розгалужувач, оптичного
Формула / Реферат:
Рідкокристалічний розгалужувач оптичного випромінювання, який містить планарну рідкокристалічну комірку з електродами на підкладках, який відрізняється тим, що додатково містить орієнтуючий шар, а електроди встановлені з періодично смужковим взаємно ортогональним розташуванням, причому в перетині кожної четвірки електродів сформований дефлектор на клиновидній деформації.
Спосіб одержання полімерного твердотільного електроліту
Номер патенту: 30596
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Решетняк Олександр Володимирович, Панкевич Роман Володимирович, Ковалишин Ярослав Степанович, Ковальчук Євген Прокопович
МПК: H01M 10/36, C08F 20/00
Мітки: електроліту, полімерного, твердотільного, спосіб, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання полімерного твердотільно го електроліту, який включає полімеризацію мономеру в присутності солі лужного металу в полярному безводному органічному розчиннику, та ініціатор, який відрізняється тим, що як ініціатор використовують пероксид бензоїлу в кількості 1,75¸2,50 мас. % від мономеру, як мономер використовують акрилонітрил, а полімеризацію ведуть при 65-80°С при вихідному співвідношенні...
Попередній патент: Штам вірусу кліщового енцефаліту flavivirus encephalitidem ixodicum № 2809 для виготовлення специфічних імунобіологічних препаратів
Наступний патент: Спосіб ідентифікації величини стискального зусилля інтелектуального робота
Випадковий патент: Спосіб профілактики синдрому хронічної втоми