Система поперечного діодного оптичного накачування твердотільного лазера

Система поперечного діодного оптичного накачування твердотільного лазера, яка містить напівпровідникове джерело оптичного накачування, фокусуючу лінзу, активний елемент, напівпрозоре і непрозоре дзеркала резонатора, яка відрізняється тим, що в неї введено кришки з вхідним і вихід 3 75184 4 падку призводить до використання активних підвищує вихідну потужність лазерного елементів малих геометричних розмірів. Отже, випромінювання, а також збільшує значення ККД. сукупність даних чинників не дозволяє отримати Схематично конструкція системи поперечного високе значення потужності вихідного лазерного діодного оптичного накачування показана на фіг.1. випромінювання. Запропонована конструкція системи поперечВ основу винаходу поставлена задача ствоного діодного оптичного накачування рення системи поперечного діодного оптичного твердотільного лазера складається з коаксіальне накачування твердотільного лазера, в якій нова розташованих активного елемента 1 і прозорого сукупність істотних ознак дозволила б забезпечити на довжинах хвиль оптичного накачування підвищення ККД і збільшення потужності вихідного циліндра 2, заповненого холодоагентом 3, також лазерного випромінювання. прозорого на довжинах хвиль оптичного накачуТакий технічний результат може бути досягнування, притискних шайб 4, прокладок 5, кришок 6, тий, якщо в систему поперечного діодного оптичвхідного 7 і вихідного 8 каналів, утримувачів 9, ного накачування твердотільного лазера, що планок 10 із закріпленими на них містить активний елемент, збираючу лінзу, світловипромінюючими діодами (СВД) 11, напівпрозоре і непрозоре дзеркала резонатора, напівпрозорого 12 і непрозорого 13 дзеркал резозгідно винаходу, введені притискуючи шайби, натора, оправ 14 і накладок 15. кришки з вхідним і вихідним каналами й планки, Пристрій працює наступним чином. На СВД сукупність яких утримує напівпровідникові джере11, розташовані на планках 10, підводиться елекла оптичного накачування уздовж бокової поверхні троживлення, оптичне випромінювання СВД 11 активного елемента, а також система охолоджупроходить крізь циліндр 2 і холодоагент 3, ствовання, яка має вигляд циліндру, виконаного з рюючи в активному елементі 1 інверсію матеріалу, прозорого на довжинах хвиль населеності енергетичних рівнів, до тих пір, поки її випромінювання оптичного накачування, значення не стане критичним і активний елемент всередині циліндра уздовж його подовжньої осі почне генерувати лазерне випромінювання. Дзерзакріплений активний елемент, омиваний холокала 12 і 13 представляють собою відкритий опдоагентом, прозорим на довжинах хвиль тичний резонатор, що забезпечує позитивний звовипромінювання оптичного накачування, на ротний зв'язок. Хладоагент З відводить від периферії конструкції, навкруги бокової поверхні активного елемента 1 теплову енергію, що циліндра на планках розташовані виділяється під час генерації, шляхом циркуляції світловипромінюючи діоди, що мають вузький через вхідний 7 і вихідний 8 канали, розташовані в спектр випромінювання на необхідних довжинах кришках 6. Прокладки 5 не припускають витікання хвиль, і достатню для підтримки генерації холодоагенту 3 з циліндра 2, утримувачі 9 інтенсивність випромінювання, матеріали циліндра оберігають активний елемент 1 від механічних і речовини холодоагентом вибрані таким чином, пошкоджень при монтажу. Кришки б закривають що система охолоджування, крізь яку проходить циліндр 2 і утримують активний елемент 1, тим випромінювання джерела оптичного накачування, самим, забезпечуючи їхнє коаксіальне розташудодатково виконує функцію збираючої лінзи. вання, крім цього на кришки 6 кріпляться планки Таким чином, запропонована конструкція сис10 з розташованими на них СВД 11. Притискні теми поперечного діодного оптичного накачування шайби 4 фіксують активний елемент 1 та дозволяє збільшити частку енергії випромінювання ущільнюють прокладки 5. Оправи 14 кріпляться до оптичного накачування, що поглинається, отже, притискних шайб 4 і містять дзеркала 12 і 13, накладки 15 фіксують дзеркала. Комп’ютерна верстка М. Клюкін Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 5 75184 6