Патенти з міткою «мікроелектронного»

Номер патенту: 120820

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Яцухненко Сергій Юрійович

МПК: H01L 29/82

Мітки: чутливий, поля, сенсора, елемент, магнітного, мікроелектронного, вимірювання

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована напівмагнітна плівка з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а напівмагнітна плівка виконана нанопористою.

Номер патенту: 50347

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Сушинський Орест Євгенович, Ясиновська Ольга Йосифівна, Фечан Андрій Васильович, Микитюк Зіновій Матвійович, Готра Зенон Юрійович

МПК: G02F 1/13

Мітки: конвертора, твердотільного, виготовлення, інтегрального, спосіб, мікроелектронного, оптичного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного конвертора, згідно з яким на вхід подають багатомодове випромінювання в шар світловода із забезпеченням отримання одномодового випромінювання на виході, який відрізняється тим, що шаром світловода служить рідкокристалічна суміш, яку розташовують між пластинами, одну з яких виготовляють з монокристалу кремнію і на ній утворюють матрицю тонкоплівкових транзисторів з...

Номер патенту: 41119

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Коцун Володимир Іванович, Шимчишин Мар'ян Олегович, Готра Зенон Юрійович, Фечан Андрій Васильович, Микитюк Зіновій Матвійович, Сушинський Орест Євгенович

МПК: G02F 1/13

Мітки: виготовлення, спосіб, твердотільного, пристрою, мікроелектронного, інтегрального, оптичного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення інтегрального мікроелектронного твердотільного оптичного пристрою, згідно з яким подають оптичне випромінювання в шар планарного світловода із забезпеченням розгалуження оптичного випромінювання, який відрізняється тим, що одну з пластин планарного світловода виготовляють з монокристала кремнію, на якій утворюють систему тонкоплівкових транзисторів з електродами розгалуженої форми, а на іншу пластину наносять провідний...

Номер патенту: 22368

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: елемент, полях, температур, кріогенних, сильних, чутливий, вимірювання, сенсора, мікроелектронного, магнітних, терморезистивного

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.