Матеріал для інтерференційних покриттів

Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить в основі цинк сульфід, який відрізняється тим, що він додатково містить гадоліній (III) сульфід, за наступним співвідношенням вказаних компонентів, % мас.: гадоліній (III) сульфід 16,0-20,0 цинк сульфід 80,0-84,0. (19) (21) u200900982 (22) 09.02.2009 (24) 25.06.2009 (46) 25.06.2009, Бюл.№ 12, 2009 р. (72) ЗІНЧЕНКО ВІКТОР ФЕДОСІЙОВИЧ, МАГУНОВ ІГОР РОБЕРТОВИЧ, КОЧЕРБА ГРИГОРІЙ ІВАНОВИЧ, СОБОЛЬ ВАЛЕРІЙ ПЕТРОВИЧ, МОЗКОВА ОЛЬГА ВОЛОДИМИРІВНА, ГОРШТЕЙН БОРИС АВРАМОВИЧ 3 42231 сфері (Аr) окремих сульфідів ZnS та Gd2S3, що були отримані попередньо прямим синтезом з металів та сірки. Таблетки (коричнево-червоного кольору) виготовлено шляхом спікання в інертній атмосфері спресованого дрібнодисперсного матеріалу. За даними рентгенівського фазового аналізу (РФА), матеріал містить фази вюртцитної (гексагональної) модифікації ZnS з дещо зміненими параметрами кристалічної ґратки a-Gd2S3, а також Gd2O2S гексагональної модифікації. Покриття готують таким чином. У ванночку з танталової фольги випарника закладають таблетку, яка містить 82,0% мас. ZnS+18,0% мас. Gd2S3. Оптичну деталь зі знежиреними поверхнями встановлюють у гніздо підкладкоутримувача, а контрольну пластину зі знежиреними поверхнями встановлюють у гніздо фотометричного пристрою для контролю товщини шарів. Зачиняють вакуумну камеру та розпочинають відкачку з неї повітря. Коли у камері досягнуто вакуум 1·10-3Па, вмикають обігрівання підкладок (ТЕН або інфрачервоні лампи); камера розігрівається до 150°С та утримується при цій температурі протягом 1 години (температура у камері контролюється за допомогою термопари, яка розміщена поблизу поверхні оптичної деталі, на яку буде нанесено покриття). Вмикають живлення на випарнику і розігрівають ПУМ до розтопленого стану; витримують розтоп під захисним екраном, доки не стабілізується тиск у вакуумній камері, після чого відводять захисний екран від випарника. За допомогою фотометричного пристрою контролюють товщину шару, який утворюється на контрольній пластині; коли показання фотометричного пристрою свідчать, що досягнута потрібна товщина шару, вимикають живлення на випарникові і переводять захисний екран в положення над випарником. Процес термічного випаровування у вакуумі проводився за наступними параметрами: спосіб нагрівання: резистивний; вакуум у камері ВУ-1А: 1·10-3Па; температура підкладки: 210°С; швидкість нанесення плівкового шару: 150250нм/с. Коефіцієнт розсіювання контролюється за допомогою фотометричного пристрою, до складу якого входять He-Ne лазер, фотометрична куля, еталонна пластина з відомим коефіцієнтом розсіювання, фотоприймач та реєструюча апаратура. Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 Еталонна пластина розміщується у фотометричній кулі так, щоб на неї падало випромінювання лазера. Приймач розташований на поверхні фотометричної кулі під кутом 90° до еталонної пластини. Фіксують сигнал від еталонної пластини, потім замість неї ставлять досліджуваний зразок. По співвідношенню показань приймача розраховують коефіцієнт розсіювання зразка. Механічну міцність покриттів визначають стиранням обгорнутою батистовою тканиною гумовим наконечником на приладі СМ-55; робоча частина наконечника має бути закруглена за сферою радіусом 3мм. Режим випробування: навантаження на стираючий наконечник 200г; частота обертання деталі з покриттям 500об/хв.; відстань від осі обертання деталі до осі наконечника - 5мм. Після випробувань на стирання поверхні деталі з покриттям продивляються у відбитому світлі на фоні чорного екрану при освітленні електролампою потужністю 60-100Вт. Деталь вважають придатною, якщо немає наскрізної кільцевої суцільної або переривистої подряпини. Група механічної міцності визначається кількістю обертів, яке витримало покриття: 0 група - покриття допускає чистку батистовою серветкою із застосуванням спирту або спиртовоефірною суміші і витримує не менш 3000 обертів на приладі СМ-55; І група - покриття допускає чистку батистовою серветкою із застосуванням спирту або спиртовоефірною суміші і витримує не менш 2000 обертів на приладі СМ-55. Приклад Приготували матеріал для інтерференційних покриттів з високим показником заломлення, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, % мас.: гадоліній (Ш) сульфід - 18,0; цинк сульфід - 82,0. Параметри одношарових плівкових покриттів (товщина 574нм): n (показник заломлення) = 2,375; s (коефіцієнт розсіювання) = 0,052÷43,054%; Н (механічна міцність) = 22000 обертів. Таким чином заявлений матеріал суттєво перевищує прототип за оптичними параметрами (показник заломлення на прозорість), не поступаючись механічною міцністю. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601