Матеріал для інтерференційних покриттів
Номер патенту: 45354
Опубліковано: 10.11.2009
Автори: Соболь Валерій Петрович, Мозкова Ольга Володимирівна, Кочерба Григорій Іванович, Зінченко Віктор Федосійович
Формула / Реферат
Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить сульфід металу, який відрізняється тим, що додатково містить германій елементний, а як сульфід металу містить цинк сульфід з наступним співвідношенням вказаних компонентів, мас. %:
Ge
40,0-50,0
ZnS
60,0-50,0
Текст
Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить сульфід металу, який відрізняється тим, що додатково містить германій елементний, а як сульфід металу містить цинк сульфід з наступним співвідношенням вказаних компонентів, мас. %: Ge 40,0-50,0 ZnS 60,0-50,0 (19) (21) u200904665 (22) 12.05.2009 (24) 10.11.2009 (46) 10.11.2009, Бюл.№ 21, 2009 р. (72) КОЧЕРБА ГРИГОРІЙ ІВАНОВИЧ, ЗІНЧЕНКО ВІКТОР ФЕДОСІЙОВИЧ, МОЗКОВА ОЛЬГА ВОЛОДИМИРІВНА, СОБОЛЬ ВАЛЕРІЙ ПЕТРОВИЧ (73) ФІЗИКО-ХІМІЧНИЙ ІНСТИТУТ ІМ. О.В. БОГАТСЬКОГО НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ 3 45354 Одержали матеріал для інтерференційних покриттів, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, мас. %: германій 40,0 цинк сульфід 60,0 Приклад 2. Одержали матеріал для інтерференційних покриттів, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, мас. %: германій 45,0 цинк сульфід 55,0 Приклад 3. Одержали матеріал для інтерференційних покриттів, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, мас. %: германій 50,0 цинк сульфід 50,0 Одержаний матеріал був випробуваний та одержано одношарове покриття, яке приготували таким чином: у ванночку з молібденової фольги випарника закладають таблетку, яка містить 45,0мас. % Ge + 55,0мас. % ZnS. Оптичну деталь зі знежиреними поверхнями встановлюють у гніздо підкладкоутримувача, а контрольну пластину зі знежиреними поверхнями встановлюють у гніздо фотометричного пристрою для контролю товщини шарів. Зачиняють вакуумну камеру та розпочинають відкачку з неї повітря. Коли у камері досягнуто вакуум 1·10-3 Па, вмикають обігрівання підкладок (TEH або інфрачервоні лампи); камера розігрівається до 150°С та утримується при цій температурі протягом 1 години (температура у камері контролюється за допомогою термопари, яка розміщена поблизу поверхні оптичної деталі, на яку буде нанесено покриття). Вмикають живлення на випарнику і розігрівають ПУМ до розтопленого стану; витримують розтоп під захисним екраном, доки не стабілізується тиск у вакуумній камері, після чого відводять захисний екран від випарника. За допомогою фотометричного пристрою контролюють товщину шару, який утворюється на контрольній пластині; коли показання фотометричного пристрою свідчать, що досягнута потрібна товщина шару, вимикають живлення на випарнику і переводять захисний екран в положення над випарником. Процес термічного випаровування у вакуумі проводився за наступними параметрами: спосіб нагрівання: резистивний вакуум у камері ВУ-1 А: 1·10-3 Па Комп’ютерна верстка Л. Купенко 4 температура підкладки: близька до кімнатної швидкість нанесення плівкового шару: 120180нм/с Параметри одношарового плівкового покриття (товщина 850нм): n (показник заломлення) =3,0¸3,1 s (коефіцієнт розсіювання) = 0,10-0,12% Н (механічна міцність) =2000 обертів Чистка серветкою зі спиртом - витримує Тривкість до вологої атмосфери - витримує Тривкість до термоудару - витримує Покриття є рентгеноаморфним. Коефіцієнт розсіювання контролювали за допомогою фотометричного пристрою, до складу якого входять He-Ne лазер, фотометрична куля, еталонна пластина з відомим коефіцієнтом розсіювання, фотоприймач та реєструюча апаратура. Еталонна пластина розміщується у фотометричній кулі так, щоб на неї падало випромінювання лазера. Приймач розташований на поверхні фотометричної кулі під кутом 90° до еталонної пластини. Фіксують сигнал від еталонної пластини, потім замість неї ставлять досліджуваний зразок. По співвідношенню показань приймача розраховують коефіцієнт розсіювання зразка. Механічну міцність покриття визначали стиранням обгорнутою батистовою тканиною гумовим наконечником на приладі СМ-55; робоча частина наконечника має бути закруглена за сферою радіусом 3мм. Режим випробування: навантаження на стираючий наконечник - 200г частота обертання деталі з покриттям 500об/хвил. відстань від осі обертання деталі до осі наконечника - 5мм. Після випробувань на стирання поверхні деталі з покриттям продивляються у відбитому світлі на фоні чорного екрану при освітленні електролампою потужністю 60-100Вт. Деталь вважають придатною, якщо немає наскрізної кільцевої суцільної або переривистої подряпини. Група механічної міцності визначається кількістю обертів, яке витримало покриття: 0 група - покриття допускає чистку батистовою серветкою із застосуванням спирту або спирто-ефірної суміші і витримує не менш 3000 обертів на приладі СМ-55; 1 група покриття допускає чистку батистовою серветкою із застосуванням спирту або спирто-ефірної суміші і витримує не менш 2000 обертів на приладі СМ-55. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMaterial for interferential coatings
Автори англійськоюKocherba Hryhorii Ivanovych, Zinchenko Viktor Fedosiiovych, Mozkova Olha Volodymyrivna, Sobol Valerii Petrovych
Назва патенту російськоюМатериал для интерференционных покрытий
Автори російськоюКочерба Григорий Иванович, Зинченко Виктор Федосеевич, Мозкова Ольга Владимировна, Соболь Валерий Петрович
МПК / Мітки
МПК: G02B 5/28
Мітки: інтерференційних, матеріал, покриттів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-45354-material-dlya-interferencijjnikh-pokrittiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Матеріал для інтерференційних покриттів</a>
Попередній патент: Пристрій контролю відхилення напруги в електричній мережі
Наступний патент: Сепаратор барабанно-відцентровий
Випадковий патент: Спосіб отримання епоксидного композитного корозійностійкого покриття