Спосіб виготовлення фотодіода

Спосіб виготовлення фотодіодів, що включає формування кристала фотодіода, одночасний вплив на нього постійних електричного та магнітного полів через поверхню конічної форми, який відрізняється тим, що постійне електричне поле модулюють. Корисна модель відноситься до способів отримання напівпровідникових приладів і може бути використаний у технологічних операціях виготовлення фотодіодів. Відомий спосіб виготовлення фотодіодів за планарно-дифузійною технологією, в якому термічні процеси відбуваються у певній послідовності, а саме - кожний наступний процес проводиться при температурі меншій, ніж попередній [1]. Недоліком такого способу є низький процент виходу фотодіодів, придатних за темповим струмом Найбільш близьким до корисної' моделі є спосіб виготовлення фотодіодів, що містить планарно-дифузійні процеси, за яким після формування кристалу фотодіоду він піддається одночасному впливу постійного електричного та магнітного (тороїдного характеру) полів через поверхню конічної форми [2]. Згаданий спосіб дозволяє зменшити внутрішні напруження в кристалі фотодіоду [3]. Це сприяє зменшенню джерел генерації носіїв темпового струму, але його недолік полягає у тому, що він усуває лише частку джерел генерації згаданих носив струму. Ця обставина дає можливість подальшого пошуку шляхів зменшення темпового струму фотодіодів, який відомий спосіб не здатен забезпечити Таким чином недоліком розглянутого способу виготовлення фотодіодів є недостатньо малі значення темпового струму, які можуть бути забезпечені при його застосуванні Завданням запропонованої корисної моделі є зменшення темпового струму фотодіодів Вказане завдання досягається тим, що постійне електричне поле, яке накладається на фотоді од, модулюється ВІДПОВІДНІСТЬ критерію "новизна" запропонованому способу виготовлення фотодіодів забезпечує та обставина, що заявлена сукупність ознак не міститься ні в одному з об'єктів існуючого рівня техніки. У корисній моделі запропоновано рішення, принципово нове для способу виготовлення фотодіодів, яке полягає у тому, що постійне електричне поле, яке разом з постійним магнітним полем (тороїдного характеру) діє на фотодіод через поверхню конічної форми, модулюється. Промислове використання запропонованої' корисної моделі не вимагає великих витрат, спеціальних матеріалів та технологій, його реалізація можлива на виробництвах України та за її межами. Запропонований спосіб здійснюється наступним чином. Фотодіод розташовується на відстані ЗО - 90мм від конічної' поверхні, через яку здійснюється вплив постійного електричного і магнітного (тороїдного характеру) полів, після чого вмикається джерело модуляції електричного поля. Вплив здійснюється на протязі не менше ЗО хвилин При цьому ефективність впливу контролюється по зміні темпового струму за стандартною методикою. Частота модуляції електричного поля в кожному разі обирається дослідним шляхом Наприклад для фотодіоду, виготовленого на основі кремнію п-типу провідності з питомим опором близько 100 Омсм відомим шляхом [2] (без модуляції) вдається досягти 30-ти відсоткового зменшення темпового струму. При частоті модуляції постійного електричного поля 300 Гц зменшення темпового струму відбувається ще на 10 відсотків, а при частоті 1000 Гц - ще додатково на 25 відсотків. Таким чином, загальна величина зменшення темпового (О З 4946 4 струму у відповідності до запропонованого спосоГодованюк. Патент України №36197А Спосіб вигобу складає 65 відсотків. товлення фотодіодів. 29.06.2000. МПК H01L31/18; ЛітератураЗаявл. 16 11.1999. 1. В.М. Годованюк. Конструкція та виготовлен3. 1.1. Тарасюк, Ю.Г Добровольський, О.В. Міня порогового ФД337А на основі монокристалічнокітчук. Про вплив певної комбінації електричного го кремнію // Науковий вісник ЧНУ - Вип. 40. - Фіта магнітного полів на кристалічне тіло // Науковий зика. - 1998 - с 54-58. вісник ЧНУ. - Вип.50. - Фізика. - 1999. - с 65-67. 2. Ю.Г Добровольський, А.А. Ащеулов, В.М. Комп'ютерна верстка А Крулевский Підписне Тираж 37 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул Урицького, 45, м Київ, МСП, 03680, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул Глазунова, 1, м Київ - 42, 01601