Спосіб вирощування соняшника
Формула / Реферат
Спосіб вирощування соняшника, що включає строки повернення на попереднє місце у сівозміні, систему основної і передпосівної підготовки ґрунту, пропоновані строки сівби і схема сівби, догляд за посівами та збирання врожаю, який відрізняється тим, що в умовах порушення строків повернення культури на попереднє місце у польовій сівозміні через 1, 2 роки застосований альтернативний засіб вирощування соняшника, який включає наступні агрохімічні заходи: основну обробку ґрунту здійснюють безвідвальним засобом на глибину 12-14 см або нульову обробку, в першому випадку виключається внесення ґрунтових гербіцидів під передпосівну культивацію, в другому системні гербіциди вносять за 1,5-2 тижні до сівби прямим способом, строки сівби змішуються на 20-25 діб від оптимальних, схема сівби 15-30 см у міжряддях, причому норма висіву насіння збільшується на 10-15 % від прийнятої, а для сівби використовують ультраранньоспілі і ранньоспілі гібриди, які увійшли в Держреєстр сортів України, і після сходів соняшника виконують 1-2 боронування.
Текст
Спосіб вирощування соняшника, що включає строки повернення на попереднє місце у сівозміні, систему основної і передпосівної підготовки ґрунту, пропоновані строки сівби і схема сівби, догляд за посівами та збирання врожаю, який відрізняється тим, що в умовах порушення строків повернення культури на попереднє місце у польовій сівозміні через 1, 2 роки застосований альтернативний засіб вирощування соняшника, який вклю 3 52480 4 30% (див. опис до патенту на винахід UA №23249. весні з нульовою обробкою ґрунту вносять систеС2, МПК 6А01В79/02, 2000). Для очистки посівів мні гербіциди по добре розвинених розетках бусоняшника від бур'янів застосовують нові високор'янів (3-4) листа за 1,5-2 неділі до сівби. При цьоефективні гербіциди та механічні засоби. му мінімальний термін сівби використовують при Але термін повернення на попереднє місце в прогріванні ґрунту до 16 -18 С. Безвідвальна мілка цьому випадку дорівнює 6-7 років, що не влаштообробка весною виключає боронування, а передвує виробників. посівна культивація виконується в наявності сходів За більшістю суттєвих ознак вищезгаданий бур'янів без внесення ґрунтових гербіцидів. спосіб (патент України № 23249) принятий за найСтрок сівби зміщується у обох варіантах оброближчий аналог, тобто прототип, тому що має бібки ґрунту на 20-25 дня (20 травня - 5 червня). льшість спільних суттєвих ознак. Однак, пряма сівба по нульовій обробки ґрунту Завданням пропонованого способу є розробка можливо повертати соняшник через 1, 2 роки, коли системи агрономічних заходів, технологічних опеу глибоких горизонтах ґрунту відновлюються прорацій та технологічних прийомів, які підвищують дуктивні запаси вологи. При незначній безвідвальврожайність соняшника завдяки використанню ній обробці ґрунту з урахуванням вищеприведеновисокопродуктивних сортів і гербіцидів, які мають го, можливо сіяти соняшник по соняшнику, тому груповий імунітет до хвороб і шкідників, а також що 95 % його падалиці входить і знищується ефезастосування ефективної системи насінняпідготоктивно до кінця травня, коли виконують культивавки, яка дозволяє повне використання природнокцію. В цьому випадку максимально знищуються ліматичних умов, і все це дозволяє швидко і насходи як ранніх, так і пізніх бур'янів. Посіви відріздійно отримувати прибуток. няються високою чистотою не тільки від бур'янів, Поставлене завдання досягається тим, що виале і заразихи, ломкої мучнистої роси стеблевою і конують інкрустовану підготовку насіння, здійснюприкорневою формою гнилі та інше. ють перенесення строку сівби на більш пізніше з Суттєве зміщення строків висіву соняшника урахуванням повернення соняшника на попереднє дозволяє формувати врожай насіння в більш місце через 0,1,2 роки, змінюють систему обробки сприятливий період з урахуванням погодних умов: ґрунту із використанням нульової і мінімальної зниження температури повітря, випадання опадів весняної оранки. Пропонований спосіб полягає у у критичний період розвитку - цвітіння - наливання удосконаленні заходів вирощування насіння сонянасіння. шника і підвищення його урожайності. Соняшник висівають за новою схемою, замість При розробці нової технології застосовують 70 см у міжряддях додержують 15-30 см. В звужерайонування та перспективні гібриди першого поних міжряддях раніш на 12-14 днів змикається покоління. При цьому ґрунт розпушують пошарово із лог листів над ґрунтом, тому активніше подавлязастосуванням поліпшеної системи зяблевої оранються бур'яни, краще зберігається волога і ки, використовуючи протиерозійне оруддя КПШ-5, продуктивніше використовується вона рослинами. ГРН-3,9, КПЕ-3,8 і інше. Норма висіву інкрустованого насіння, виняткоУрожайність, особливо насіннєвих посівів, сутво тільки гібридів першого покоління (генерації) тєво залежить від строку повернення соняшника ультраранньоспілої і ранньоспілої групи на 10-15% на попереднє місце, що обумовлене насамперед більше звичайної. При сівбі соняшника вносять в запасом вологи у глибоких шарах ґрунту. ґрунт стартові добрива. При безвідвальній мілкої В зонах з недостатньою вологістю дефіцит вообробці слідом за сівбою проводять прикочування логи відновлюється у глибоких шарах, як правило, або боронування. Боронування застосовують тана 3-4 рік. Після соняшника волога відновлюється кож за 5-6 днів до появи сходів, і при появі сходів через 5-6 років, тому що соняшник висушує ґрунт у фазі 1-3 пар справжніх листів до 1-2 раз. Пристубільше ніж інші культури. пають до збирання врожаю насіння при вологості Пропонована технологія вирощування соняш10-15%. ника базується на науково обґрунтованій системі Застосування нового способу вирощування землеробства з урахуванням передчасного поверсоняшника, що пропонується, є альтернативною нення соняшника на попереднє місце через 0, 1, 2 технологією до відомого способу вирощування, роки. Система при цьому основної обробки ґрунту яка і дозволяє підвищити урожай насіння на 2-4 є безвідвальною на глибину розпушення до 12-14 ц/га і збільшити рентабельність виробництва на см, з попереднім внесенням оптимальної дози 20-30%, при суттєвому зниженні собівартості 1 ц мінеральних добрив. Нульова обробка ґрунту тільнасіння. Новий спосіб, використований у сільськоки у сільськогосподарських підприємствах, що магосподарських підприємствах Луганській і Донецьють сучасний іноземний посівний комплекс з прякій областях. мою сівбою без передпосівної культивацією. По Комп’ютерна верстка В. Мацело Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for growing sunflower
Автори англійськоюKraievskyi Anatolii Mykolaiovych
Назва патенту російськоюСпособ выращивания подсолнечника
Автори російськоюКраевский Анатолий Николаевич
МПК / Мітки
МПК: A01B 79/00
Мітки: вирощування, соняшника, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-52480-sposib-viroshhuvannya-sonyashnika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування соняшника</a>
Попередній патент: Пристрій регулювання зварювального струму
Наступний патент: Спосіб виробництва котельних труб із вуглецевої та низьколегованої сталі
Випадковий патент: Твердопаливний котел наддовгого горіння "енергія тт"