Шихта для виготовлення керамічного матеріалу
Номер патенту: 5866
Опубліковано: 15.03.2005
Автори: Свердун Володимир Богданович, Сербенюк Тетяна Богданівна, Фесенко Ігор Павлович, Часник Василь Іванович, Пріхна Тетяна Олексіївна
Формула / Реферат
Шихта для виготовлення керамічного матеріалу, що містить як непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію і як оксид металу - оксид ітрію 3-6 % та електропровідну складову, яка відрізняється тим, що як електропровідну складову вона містить карбід кремнію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %:
AlN
64-81
Y3O3
3-6
SiC
16-30.
Текст
Шихта для виготовлення керамічного матеріалу, що містить як непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію і як оксид металу - оксид Ітрію 36 % та електропровідну складову, яка відрізняється тим, що як електропровідну складову вона містить карбід кремнію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: AIN 64-81 УзОз 3-6 SiC 16-30. Корисна модель відноситься до складу шихти для виготовлення керамічного матеріалу, який може використовуватись для поглинання мікрохвиль високої інтенсивності, переважно в електронних приладах і спеціальних вимірювальних пристроях великої потужності. Відома найбільш близька по технічній суті до пропонованої шихта для виготовлення керамічного матеріалу [див. авт.св. №51499А МПК 7 С04В35/58, С22С32/00, опубл Бюл №11, 15.11.2002г.], що містить такі компоненти, мас.% непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію, і як оксид металу - оксид ітрію 3-6% та електропровідну складову, причому як електропровідну складову вона містить нітрид титану TiN і/або карбід титану ТіС і/або диборид титану ТіВг, при наступному співвідношенні компонентів, мас %: AIN 62...79 Y2O3 3...6 TiN і/або ТіС і/або ТіВ 2 15...35 Керамічний матеріал, виготовлений з цієї шихти, має електропровідний компонент (TiN і/або ТІС і/або ТіВг), який внаслідок високого значення питомого електричного опору забезпечує рівень діелектричних властивостей матеріалу, при якому мікрохвильове випромінювання високої інтенсивності поглинається без відбивання. Наявність великої кількості тугоплавкого компоненту (до 35мас.%) призводить до підвищення густини шихти для виготовлення керамічного матеріалу І, як наслідок, збільшення ваги, а також собівартості деталей з такого матеріалу. В основу корисної моделі покладено завдання, такого удосконалення шихти для виготовлення керамічного матеріалу, при якому за рахунок введення в неї як електропровідної складової карбіду кремнію при пропонованому співвідношенні компонентів, забезпечується відмова від використання дорогих та важких матеріалів, і як наслідок, зниження ваги та собівартості виробів з матеріалупоглинача в цілому, що робить технологію виготовлення керамічного матеріалу екологічно прийнятною. Для вирішення цього завдання у шихті для виготовлення керамічного матеріалу, що містить як непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію, І як оксид металу - оксид ітрію 3-6% та електропровідну складову, згідно корисної моделі, як електропровідну складову вона містить карбід кремнію при наступному співвідношенні компонентів, мас %: AIN 64...81 Y2O3 3...6 SiC 16...30 Причинно-наслідковий зв'язок між сукупністю ознак, що заявляється, та технічними результатами, які досягаються при її реалізації, полягає в наступному компонент, що вводимо (SiC) - електропровідний, це призводить до утворення композиту з керамічною непровідною фазою з включеннями електропровідної фази. Введення SiC саме в межах від 16% до 30% обумовлює наявність матеріалу поглинача з високою теплопровідністю, що є діелектриком, при виході за ці межі проявляються електропровідні властивості, які небажані Крім 00 Ю 5866 того, забезпечується значне зниження густини шихти для виготовлення керамічного матеріалу (керамічний матеріал, що заявляється, має густи3 3 ну рівну 3,25-1О кг/м ), що призводить до зниження її собівартості. Важливим фактором є те, що запропонована складова (SiC) економічно доступна та екологічно не шкідлива Для експериментальної перевірки діелектричних характеристик керамічного матеріалу, що заявляється, були виготовлені зразки розмірами: діаметр 5мм, довжина 14,2мм. Вибір певної форми або розмірів зразків на вихідний результат істотно не впливає. Складові, що входять до складу шихти для виготовлення керамічного матеріалу, розмелювали в планетарному активаторі тривалістю бхв , потім шихту змішували з 1%-ним розчином каучуку в бензині, після чого зразки пресували і опікали в вакуумній печі в атмосфері азоту при температурі 1750-1850"С з витримкою при максимальній температурі протягом ЗО хвилин. Одержані керамічні зразки шліфували в розмір: діаметр 4,8мм, довжина 13,9мм. Приклади конкретної реалізації корисної моделі Приклад 1 Виготовляли шихту для виготовлення керамічного матеріалу наступного складу, мас.% : нітрид алюмінію - 72, карбід кремнію - 22, оксид ітрію - 6, з якої отримували описаним вище способом керамічний зразок Були виготовлені також зразки при граничних значеннях компонентів шихти (приклади 2-3) зведені в таблицю, додається, та при виході за границі (приклади 4-5), а також складу за прототипом (приклад 6), який виготовлено на тому ж обладнанні і за тими ж технологічними режимами. Порівняльні вимірювання властивостей отриманих керамічних матеріалів проводили на частоті 9 (2,8-3,7)10 Гц при температурі 20°С З таблиці видно, що діелектричні властивості матеріалу (діелектрична проникність с і тангенс діелектричних втрат tg5) мають значення, які забезпечують поглинання високо інтенсивних пучків мікрохвильового випромінювання, а також що густина керамічного матеріалу зменшилась в 1,13 рази. Таблиця Властивості керамічного матеріалу Склад шихти, мас.% Об'єкт випробувань Склад, який заявляється № 1 2 3 Діелектрична складова AIN Y2O3 72 6 79 5 67 3 Електропровідна складова SiC TiN 22 16 ЗО Примітки Густина, 10 3 кг/м 3 є tgs 3,25 3,26 3,24 10,9 8,8 11,9 0,123 0,095 0,167 61 4 35 3,22 5 Склад за прототипом 4 82 5 13 3,29 8,4 0,074 6 70 5 25 3,69 25 0,026 Комп'ютерна верстка Д Шеверун Підписне Поглинання відсутнє Поглинання низьке Висока густина Тираж 28 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул Урицького, 45, м Київ, МСП, 03680, Україна ДП ""Український інститут промислової власності", вул. Глазунова, 1, м Київ - 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюA charge for producing ceramic material
Автори англійськоюPrikhna Tetiana Oleksiivna, Sverdun Volodymyr Bohdanovych
Назва патенту російськоюШихта для изготовления керамического материала
Автори російськоюПрихна Татьяна Алексеевна, Свердун Владимир Богданович
МПК / Мітки
МПК: C22C 29/02, C04B 35/581
Мітки: виготовлення, шихта, керамічного, матеріалу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-5866-shikhta-dlya-vigotovlennya-keramichnogo-materialu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Шихта для виготовлення керамічного матеріалу</a>
Попередній патент: Магнітна система ловильного пристрою для бурових труб
Наступний патент: Процес нанесення покриття на подовжену заготовку
Випадковий патент: Димова граната