Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Шихта для виготовлення керамічного матеріалу, що містить як непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію і як оксид металу - оксид ітрію 3-6 % та електропровідну складову, яка відрізняється тим, що як електропровідну складову вона містить карбід кремнію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %:

AlN

64-81

Y3O3

3-6

SiC

16-30.

Текст

Шихта для виготовлення керамічного матеріалу, що містить як непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію і як оксид металу - оксид Ітрію 36 % та електропровідну складову, яка відрізняється тим, що як електропровідну складову вона містить карбід кремнію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: AIN 64-81 УзОз 3-6 SiC 16-30. Корисна модель відноситься до складу шихти для виготовлення керамічного матеріалу, який може використовуватись для поглинання мікрохвиль високої інтенсивності, переважно в електронних приладах і спеціальних вимірювальних пристроях великої потужності. Відома найбільш близька по технічній суті до пропонованої шихта для виготовлення керамічного матеріалу [див. авт.св. №51499А МПК 7 С04В35/58, С22С32/00, опубл Бюл №11, 15.11.2002г.], що містить такі компоненти, мас.% непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію, і як оксид металу - оксид ітрію 3-6% та електропровідну складову, причому як електропровідну складову вона містить нітрид титану TiN і/або карбід титану ТіС і/або диборид титану ТіВг, при наступному співвідношенні компонентів, мас %: AIN 62...79 Y2O3 3...6 TiN і/або ТіС і/або ТіВ 2 15...35 Керамічний матеріал, виготовлений з цієї шихти, має електропровідний компонент (TiN і/або ТІС і/або ТіВг), який внаслідок високого значення питомого електричного опору забезпечує рівень діелектричних властивостей матеріалу, при якому мікрохвильове випромінювання високої інтенсивності поглинається без відбивання. Наявність великої кількості тугоплавкого компоненту (до 35мас.%) призводить до підвищення густини шихти для виготовлення керамічного матеріалу І, як наслідок, збільшення ваги, а також собівартості деталей з такого матеріалу. В основу корисної моделі покладено завдання, такого удосконалення шихти для виготовлення керамічного матеріалу, при якому за рахунок введення в неї як електропровідної складової карбіду кремнію при пропонованому співвідношенні компонентів, забезпечується відмова від використання дорогих та важких матеріалів, і як наслідок, зниження ваги та собівартості виробів з матеріалупоглинача в цілому, що робить технологію виготовлення керамічного матеріалу екологічно прийнятною. Для вирішення цього завдання у шихті для виготовлення керамічного матеріалу, що містить як непровідну тугоплавку складову нітрид алюмінію, І як оксид металу - оксид ітрію 3-6% та електропровідну складову, згідно корисної моделі, як електропровідну складову вона містить карбід кремнію при наступному співвідношенні компонентів, мас %: AIN 64...81 Y2O3 3...6 SiC 16...30 Причинно-наслідковий зв'язок між сукупністю ознак, що заявляється, та технічними результатами, які досягаються при її реалізації, полягає в наступному компонент, що вводимо (SiC) - електропровідний, це призводить до утворення композиту з керамічною непровідною фазою з включеннями електропровідної фази. Введення SiC саме в межах від 16% до 30% обумовлює наявність матеріалу поглинача з високою теплопровідністю, що є діелектриком, при виході за ці межі проявляються електропровідні властивості, які небажані Крім 00 Ю 5866 того, забезпечується значне зниження густини шихти для виготовлення керамічного матеріалу (керамічний матеріал, що заявляється, має густи3 3 ну рівну 3,25-1О кг/м ), що призводить до зниження її собівартості. Важливим фактором є те, що запропонована складова (SiC) економічно доступна та екологічно не шкідлива Для експериментальної перевірки діелектричних характеристик керамічного матеріалу, що заявляється, були виготовлені зразки розмірами: діаметр 5мм, довжина 14,2мм. Вибір певної форми або розмірів зразків на вихідний результат істотно не впливає. Складові, що входять до складу шихти для виготовлення керамічного матеріалу, розмелювали в планетарному активаторі тривалістю бхв , потім шихту змішували з 1%-ним розчином каучуку в бензині, після чого зразки пресували і опікали в вакуумній печі в атмосфері азоту при температурі 1750-1850"С з витримкою при максимальній температурі протягом ЗО хвилин. Одержані керамічні зразки шліфували в розмір: діаметр 4,8мм, довжина 13,9мм. Приклади конкретної реалізації корисної моделі Приклад 1 Виготовляли шихту для виготовлення керамічного матеріалу наступного складу, мас.% : нітрид алюмінію - 72, карбід кремнію - 22, оксид ітрію - 6, з якої отримували описаним вище способом керамічний зразок Були виготовлені також зразки при граничних значеннях компонентів шихти (приклади 2-3) зведені в таблицю, додається, та при виході за границі (приклади 4-5), а також складу за прототипом (приклад 6), який виготовлено на тому ж обладнанні і за тими ж технологічними режимами. Порівняльні вимірювання властивостей отриманих керамічних матеріалів проводили на частоті 9 (2,8-3,7)10 Гц при температурі 20°С З таблиці видно, що діелектричні властивості матеріалу (діелектрична проникність с і тангенс діелектричних втрат tg5) мають значення, які забезпечують поглинання високо інтенсивних пучків мікрохвильового випромінювання, а також що густина керамічного матеріалу зменшилась в 1,13 рази. Таблиця Властивості керамічного матеріалу Склад шихти, мас.% Об'єкт випробувань Склад, який заявляється № 1 2 3 Діелектрична складова AIN Y2O3 72 6 79 5 67 3 Електропровідна складова SiC TiN 22 16 ЗО Примітки Густина, 10 3 кг/м 3 є tgs 3,25 3,26 3,24 10,9 8,8 11,9 0,123 0,095 0,167 61 4 35 3,22 5 Склад за прототипом 4 82 5 13 3,29 8,4 0,074 6 70 5 25 3,69 25 0,026 Комп'ютерна верстка Д Шеверун Підписне Поглинання відсутнє Поглинання низьке Висока густина Тираж 28 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул Урицького, 45, м Київ, МСП, 03680, Україна ДП ""Український інститут промислової власності", вул. Глазунова, 1, м Київ - 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

A charge for producing ceramic material

Автори англійською

Prikhna Tetiana Oleksiivna, Sverdun Volodymyr Bohdanovych

Назва патенту російською

Шихта для изготовления керамического материала

Автори російською

Прихна Татьяна Алексеевна, Свердун Владимир Богданович

МПК / Мітки

МПК: C22C 29/02, C04B 35/581

Мітки: виготовлення, шихта, керамічного, матеріалу

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-5866-shikhta-dlya-vigotovlennya-keramichnogo-materialu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Шихта для виготовлення керамічного матеріалу</a>

Подібні патенти