Спосіб одержання полімерного плівкового бірезистора

Спосіб одержання полімерного плівкового бірезистора, який відрізняється тим, що виготов 3 основі фторованого ароматичного поліаміду (полі1-тетрафторетоксі-2,4-феніленізофталаміду) та сажі з наступним їх об'єднанням системою „епоксидна смола - поліетиленполіамін" у двошаровий товстоплівковий полімерний резистор товщиною ~200 мкм з номіналами електроопору по обидві сторони плівки відповідно (250-400) Ом та (1,481,60) кОм для підвищення ступеню інтеграції електронних схем. Приклад одержання двошарового резистора (бірезистора). Перший шар. До розчину 0,5 г ароматичного фторованого поліаміду у 10 мл диметилформаміду (ДМФА) додають ОД г епоксидної смоли ЕД-20 та (5-30)% сажі від кількості поліаміду. Диспергують на ультразвуковому диспергаторі УЗДН протягом 6 хвилин і виливають на тефлонову форму. Після формування плівки при температурі 80 °C) її додатково висушують при 100 °C до постійної маси з наступною термообробкою при (190-200)°С протягом 2 год. Після такої обробки плівка не розчиняється у гарячому ДМФА. Поверхневий електроопір зі сторони підкладки становить (250-400) Ом в залежності від кількості наповнювача. Другий шар. До розчину 0,5 г ароматичного фторованого поліаміду у 10 мл диметилформаміду (ДМФА) додають (5-30)% сажі. Диспергують на ультразвуковому диспергаторі УЗДН протягом 6 хвилин і виливають на тефлонову форму. Після формування плівки при температурі 80 °C її додатково висушують при 100 °C до постійної маси. Поверхневий електроопір зі сторони підкладки Комп’ютерна верстка І. Скворцова 62407 4 становить (1,48-1,60) кОм в залежності від кількості наповнювача. Отримані зразки з'єднують системою „епоксидна смола -поліетиленполіамін" у двошаровий резистор. Таким способом отримують двошаровий резистор з двома різними номіналами електроопору по обидві сторони. Товщина двошарової плівки становить ~ 200 мкм. Створення полімерного плівкового бірезистора приводить до позитивного ефекту, який полягає у наступному. У двошаровій плівці товщиною ~200 мкм утворюються дві поверхні з різними номіналами електроопору і, таким чином, не треба отримувати і монтувати два окремих резистора на алюмооксидній кераміці. Це дає можливість досягнути більшого ступеня інтеграції електронних схем. Перелік посилань 1. Гребѐнкина В.Г., Доброер B.C., Панов Л.И. и др. Толстоплѐночная микроэлектроника. Киев: Наук.думка, 1983.-248 с. 2. Векслер А.С., Духовный Л.И., Петров А.Л. и др. Толстые плѐнки борида никеля // Неорган, матер., 1997. - Т.ЗЗ, № 9. - С. 1070-1071. 3. Шипилевский Б.А. Электропроводящие эмали с углеграфитовыми наполнителями и их применение для нагревателей //Лакокрасоч. материалы и их применение.-1973, № 5. - С. 16-18. 4. Соколов Л.Б., Герасимов В.Д., Савинов В.М. и др. Термостойкие ароматические полиамиды. М., Химия, 1975.-256с. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601