Інтегральний мікрополозковий резонаторний зонд мікрохвильового мікроскопа

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Інтегральний мікрополозковий НВЧ резонаторний зонд мікрохвильового мікроскопа, що містить інтегровані на одній діелектричній чи напівпровідниковій підкладці НВЧ-генератор, вихід якого з'єднаний з циркулятором, що також з'єднаний з детектором, та сенсор, який складається з фідера та резонатора, який відрізняється тим, що в нього введено додаткові сенсори, причому в кожен сенсор введено фазообертач, що з'єднаний з фідером і резонатором, подільник НВЧ-потужності, який з'єднаний з циркулятором і фідерами сенсорів, і схему керування фазообертачами, що з'єднана з фазообертачами сенсорів, а досліджуваний зразок сканується лінійкою мікрополозкових резонаторів.

Текст

Інтегральний мікрополозковий НВЧ резонаторний зонд мікрохвильового мікроскопа, що містить інтегровані на одній діелектричній чи напівпровідниковій підкладці НВЧ-генератор, вихід якого з'єд 3 71456 4 фідера 6 і резонатора 8, змінює свої властивості, схема керування фазообертачами 9 разом з межтим самим наближуючи резонансну частоту мікроз'єднаннями розміщені у більш глибокому інтеграполозкового сенсора 5 до частоти НВЧ генератора льному рівні. Дозвільна здатність зонда визнача1. В цей же час резонансні явища в інших сенсоється відстанню між полозковими резонаторами L, рах 5 з лінійки відсутні, тобто наруга на детекторі 3 тобто - можливостями процесу літографії, та товвизначається лише амплітудою НВЧ коливань в щиною діелектричного шару між плівками резонаданому резонаторі 8. торних полозків та екрана. Інтегральна технологія На діелектричній чи напівпровідниковій піддозволяє досягти ідентичності геометричних і елекладці 10 методами інтегральної технології сфорктрофізичних властивостей сенсорів, що виключає мована структура зонда, що сканує зразок 11. На виникнення відповідних похибок. поверхні інтегральної схеми розміщені гібридні Таким чином, при введенні в структуру фазоокомпоненти (НВЧ генератор 1 і детектор 3) та побертачів з'явилася можливість побудувати лінійку лозкові елементи зонда: циркулятор 2, дільник мікрополозкових резонаторів, тобто механічне НВЧ потужності 4, фідер 6 та резонатор 8. Фазоосканування по одній з координат замінити на елекбертачі 7, у якості котрих можуть бути застосовані тронне сканування. Це дозволило значно підвищиінтегральні МДН транзистори або ріn-діоди, та ти швидкодію зонда. Комп’ютерна в ерстка Л.Литв иненко Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Integrated microstrip resonance probe of a microwave microscope

Автори англійською

Hordiienko Yuriy Omelianovych, Slipchenko Mykola Ivanovych

Назва патенту російською

Интегральный микрополосковый резонаторый зонд микроволнового микроскопа

Автори російською

Гордиенко Юрий Емельянович, Слипченко Николай Иванович

МПК / Мітки

МПК: G01N 22/00

Мітки: мікрополозковий, зонд, мікрохвильового, мікроскопа, резонаторний, інтегральній

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-71456-integralnijj-mikropolozkovijj-rezonatornijj-zond-mikrokhvilovogo-mikroskopa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Інтегральний мікрополозковий резонаторний зонд мікрохвильового мікроскопа</a>

Подібні патенти