Патенти з міткою «інтегральній»

Номер патенту: 118952

Опубліковано: 11.09.2017

Автор: Татаренко Володимир Миколайович

МПК: B64F 1/30, B64D 9/00, B64C 39/02 ...

Мітки: літак, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний літак, що включає:знімний кабінний модуль, що представляє кабіну для транспортування пасажирів, багажу, вантажу і їх комбінацій;приймальний простір для знімного кабінного модуля;носовий обтічник, що включає кабіну пілотів і її поперечну стінку із дверима в приймальний простір знімного кабінного модуля;хвостовий обтічник, що включає хвостове оперення й поперечну стінку, що утворює приймальний...

Номер патенту: 112469

Опубліковано: 12.09.2016

Автор: Осіпов Віктор Олексійович

МПК: G01L 9/00, G01L 1/16

Мітки: перетворювач, тиску, інтегральній, тензочутливий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Інтегральний напівпровідниковий тензочутливий перетворювач тиску, який включає опорну основу, пружний елемент у вигляді тонкої квадратної мембрани, на поверхні якої по осях симетрії мембрани, що проходять через її сторони і центр, виконано щонайменше одне ребро жорсткості у вигляді балки, тензочутливий елемент, розташований на поверхні кінця балки, що знаходиться в периферійній зоні пластини біля основи, причому площина балки, в якій...

Номер патенту: 97911

Опубліковано: 10.04.2015

Автор: Осіпов Віктор Олексійович

МПК: G01L 7/00

Мітки: інтегральній, тиску, тензочутливий, перетворювач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Інтегральний напівпровідниковий тензочутливий перетворювач тиску, який включає опорну основу, пружний елемент у вигляді тонкої квадратної пластини, на поверхні якої по осях симетрії пластини, що проходять через її сторони і центр, виконано щонайменше одне ребро жорсткості у вигляді балки, тензочутливий елемент, розташований на поверхні кінця балки, що знаходиться в периферійній зоні пластини біля основи, причому площина балки, в якій...

Номер патенту: 105678

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Рева Володимир Павлович, Бут Дмитро Борисович, Голенков Олександр Геннадійович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 31/04, H01Q 1/00, H01Q 23/00 ...

Мітки: приймач, діапазонів, випромінювання, монолітний, субміліметрового, міліметрового, інтегральній, спектра

Формула / Реферат:

1. Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів електромагнітного спектра, який містить метал-діелектрик-напівпровідниковий (МДН) транзистор-приймач випромінювання, підсилювач, антену міліметрового або субміліметрового діапазонів спектра, яка з'єднана з затвором МДН транзистора-приймача, перше джерело постійної напруги, з'єднане з затвором транзистора-приймача випромінювання, який відрізняється...

Номер патенту: 78516

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Дубінець Владислав Іванович, Гуменюк Сергій Михайлович

МПК: G01P 15/125, G01P 15/11

Мітки: інтегральній, датчик, прискорення, індуктивно-ємнісний

Формула / Реферат:

Індуктивно-ємнісний інтегральний датчик прискорення, що містить нерухомий корпус та масу, які утворюють між собою ємнісний зазор; пружні балки, які кріплять масу до корпусу; плоскі котушки індуктивності розміщені з двох боків маси, перпендикулярно до осі чутливості, та з двох боків в середині корпусу, перпендикулярно до осі чутливості, який відрізняється тим, що плоскі котушки виготовлені три-, чотири- або багатокутної форми.

Номер патенту: 78511

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Дубінець Владислав Іванович, Гуменюк Сергій Михайлович

МПК: G01P 15/125, G01P 15/11

Мітки: інтегральній, датчик, прискорення, індуктивно-ємнісний

Формула / Реферат:

Індуктивно-ємнісний інтегральний датчик прискорення, що містить нерухомий корпус та масу, які утворюють між собою ємнісний зазор; упругі балки, які кріплять масу до корпусу; плоскі котушки індуктивності розміщені з двох боків маси, перпендикулярно до осі чутливості, та з двох боків всередині корпусу, перпендикулярно до осі чутливості, який відрізняється тим, що всередині інерційної маси розміщена ділянка з феромагнітного матеріалу.

Номер патенту: 76458

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Бобко Олександр Олексійович, Турчик Павло Миколайович, Томчук Анна Василівна, Петрук Роман Васильович

МПК: G01N 33/18

Мітки: води, якості, інтегральній, питної, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Інтегральний спосіб визначення якості питної води, що включає підготовку досліджуваної та контрольної проб води, введення в кожну з них рослинного тест-об'єкта, витримування тест-об'єкта, реєстрацію функціонального показника, корилюючого зі станом водного середовища, порівняння показників, отриманих в досліді і контролі, і судження за результатами порівняння про стан водного середовища, який відрізняється тим, що як рослинний тест-об'єкт...

Номер патенту: 74813

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Дубінець Владислав Іванович, Гуменюк Сергій Михайлович

МПК: G01P 15/11

Мітки: інтегральній, прискорення, індуктивно-ємнісний, датчик

Формула / Реферат:

Індуктивно-ємнісний інтегральний датчик прискорення, що містить нерухомий корпус та масу, які утворюють між собою ємнісний зазор, пружні балки, які кріплять масу до корпуса; плоскі котушки індуктивності розміщені з двох боків маси, перпендикулярно до осі чутливості, та з двох боків всередині корпуса, перпендикулярно до осі чутливості, який відрізняється тим, що додатково містить екран, який розміщений всередині корпуса датчика або на...

Номер патенту: 74112

Опубліковано: 25.10.2012

Автор: Севастьянов Володимир Валентинович

МПК: G01N 27/12

Мітки: вологості, інтегральній, сенсор

Формула / Реферат:

Інтегральний сенсор вологості, що містить кремнієву пластину, на поверхні якої послідовно нанесені прошарки оксиду та нітриду кремнію, шар полікристалічного кремнію з нанесеним матеріалом, що адсорбує вологу і формується з суміші оксидів кремнію і алюмінію, та легований оксидами міді в межах 3-6 %, який відрізняється тим, що шар полікристалічного матеріалу виконано у вигляді єдиного перфорованого прямокутника, що є верхнім електродом, а...

Номер патенту: 97962

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, G01T 1/02, G01T 1/24 ...

Мітки: отриманих, змішаних, дозиметр, доз, полях, інтегральній, виміру, нейтронних, гамма

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покриту шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 97773

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Дубінець Владислав Іванович, Гуменюк Сергій Михайлович

МПК: G01P 15/11, G01P 15/125

Мітки: прискорення, датчик, інтегральній, індуктивно-ємнісний

Формула / Реферат:

Інтегральний датчик прискорення, який складається з нерухомого корпусу та маси; пружних балок, які кріплять масу до корпусу, котушок індуктивності, розміщених на масі та корпусі, який відрізняється тим, що котушки індуктивності (5, 7; Фіг. 2) виготовлені плоскими з двох боків маси, перпендикулярно до осі чутливості та з двох боків (6, 8; Фіг. 2) всередині корпусу, перпендикулярно до осі чутливості, таким чином, щоб при переміщенні маси вони...

Номер патенту: 97387

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: H01L 31/0352, G01T 1/24

Мітки: дозиметр, змішаних, нейтронних, полях, гамма, доз, інтегральній, отримання

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом (МОНВК...

Номер патенту: 65140

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Севастьянов Володимир Валентинович, Ковальчук Вячеслав Олександрович

МПК: H03F 3/213, H03M 1/00

Мітки: виконаний, сигналу, звукового, інтегральній, пристрій, мікросхеми, обробки

Формула / Реферат:

1. Пристрій для обробки звукового сигналу, який містить аналого-цифровий перетворювач, попередній підсилювач, процесор, цифро-аналоговий перетворювач, вихідний каскад, який відрізняється тим, що у нього додатково введено два операційні підсилювачі, один з яких - інвертуючий, другий - неінвертуючий.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що між виходами операційних підсилювачів включене вихідне навантаження.

Номер патенту: 47274

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/02, G01T 1/24, H01L 31/00 ...

Мітки: гамма, полях, нейтронних, отримання, дозиметр, доз, змішаних, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом...

Номер патенту: 46015

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/24, G01T 1/00, G01T 1/02 ...

Мітки: інтегральній, дозиметр, нейтронних, доз, змішаних, виміру, гамма, полях, отриманих

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 86870

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Костенко Віталій Леонідович, Жаровцев Станіслав Олегович

МПК: G01N 21/62, H01L 31/00

Мітки: датчик, інтегральній, оптоелектронний

Формула / Реферат:

Оптоелектронний інтегральний датчик, що містить джерело оптичного випромінювання та фотосенсор, причому вхід датчика є входом джерела оптичного випромінювання, а вихід датчика є виходом фотосенсора, який відрізняється тим, що в нього додатково введений пристрій керування, причому вихід джерела оптичного випромінювання підключений до першого входу фотосенсора, а вихід пристрою керування підключений до другого входу фотосенсора, при цьому...

Номер патенту: 41596

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Вересенко Юрій Віталійович, Санталов Олександр Сергійович, Лоторєв Володимир Олександрович, Пающик Іван Іванович

МПК: G01N 21/00, B25H 7/00

Мітки: носіїв, захисту, матеріальних, ідентифікації, інформації, інтегральній, пошуку, спектрофотометричний, спосіб, предметів

Формула / Реферат:

Спектрофотометричний інтегральний спосіб ідентифікації, пошуку та захисту матеріальних носіїв інформації і предметів, при якому проводять дослідження параметрів спектрів відбиття та поглинання світла долонею людини з наступним дослідженням одержаних даних, при цьому фіксування зображення долонь рук здійснюються методом RGB-зйомки у видимому діапазоні спектра, а наступне дослідження одержаних даних ведуть шляхом комп'ютерної обробки даних...

Номер патенту: 82719

Опубліковано: 12.05.2008

Автори: Гордійчук Микола Васильович, Бондаревська Лідія Олексіївна, Летюк Євген Олександрович, Сливканич Володимир Семенович, Тюрін Валерій Володимирович, Чусь Михайло Сергійович, Хоменко Геннадій Олександрович, Сухоруков Ігор Васильович

МПК: G01N 1/22, G01N 1/10, G01N 1/16 ...

Мітки: інтегральній, ізокінетичний, пробовідбірник, газу

Формула / Реферат:

1. Ізокінетичний інтегральний пробовідбірник газу, до складу якого входить зонд, встановлений у трубопроводі перпендикулярно газовому потоку та обладнаний щілиною, що спрямована назустріч газовому потоку та сполучена з відбірним каналом, який відрізняється тим, що зонд виконаний у формі порожнистого зрізаного конуса, обладнаний вихідним патрубком, зорієнтованим за напрямком руху потоку газу, всередині зонда навпроти щілини розміщено екран, а...

Номер патенту: 81965

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Шембель Олена Мойсеївна, Алпатов Анатолій Петрович, Шмирєва Олександра Миколаївна, Пастушкін Тимофій Вікторович, Скуртул Олександр Дмитрович

МПК: H01L 31/04

Мітки: інтегральній, фотомодуль, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

1. Інтегральний тонкоплівковий фотомодуль, що містить підкладку з нанесеним шаром напівпровідникового матеріалу, наприклад і-типу провідності, області, які чергуються між собою та мають різний тип провідності, різну величину легування і ширину забороненої зони, просвітлене покриття на лицьовій поверхні, омічні контакти, який відрізняється тим, що області, які чергуються між собою, сформовані в первинній плівці аморфного кремнію у вигляді...

Номер патенту: 24198

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Пилипенко Микола Вадимович, Божко Світлана Леонідівна, Ходаков Віктор Єгорович, Цивільський Федір Миколайович, Григорова Анжела Анатоліївна, Кирийчук Дмитро Леонідович

МПК: G02B 6/12, G02F 3/00, G02B 5/22 ...

Мітки: оптичний, інтегральній, d-тригер

Формула / Реферат:

Інтегральний оптичний D-тригер, що містить підкладку зі сформованим на ній відбивним шаром, на поверхні якого сформований оптичний хвилевід, виконаний у вигляді першого оптичного хвилеводу, вхід якого оптично зв'язаний через першу дифракційну решітку, виконану у вигляді першого оптичного елемента зв'язку (ОЕЗ) із джерелом опорного випромінювання, на поверхні першого оптичного хвилеводу сформовані послідовно друга дифракційна решітка, виконана...

Номер патенту: 23696

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Пилипенко Микола Вадимович, Кирийчук Дмитро Леонідович, Цивільський Федір Миколайович, Божко Світлана Леонідівна, Ходаков Віктор Єгорович

МПК: G02B 6/12, G02B 5/22, G02F 3/00 ...

Мітки: оптичний, інтегральній, т-тригер

Формула / Реферат:

Інтегральний оптичний Т-тригер, що містить підкладку зі сформованим на ній відбивним шаром, на поверхні якого сформований оптичний хвилевід, виконаний у вигляді першого оптичного хвилеводу, вхід якого оптично зв'язаний через першу дифракційну решітку, виконану у вигляді першого оптичного елемента зв'язку (ОЕЗ), із джерелом опорного випромінювання, на поверхні першого оптичного хвилеводу сформовані послідовно друга дифракційна решітка,...

Номер патенту: 19211

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Проскурін Микола Петрович, Білявська Олена Станіславівна

МПК: G02F 3/00

Мітки: коефіціентом, інтегральній, корисної, дії, підвищеним, світлодіод

Формула / Реферат:

Інтегральний світлодіод (СД) з поверхневим виходом випромінювання на основі підкладки з GaAs у вигляді ізольованої мезоканавки, що складається з р-n переходу, в якому р-шар електрично зв'язаний з анодом світлодіода і є активним р+-шаром, шару n-типу, що охоплює p+-шар напівкільцем і створює вертикальний р-n перехід, електрично зв'язаний з катодом світлодіода, над p+-шаром знаходиться оптично прозорий n--шар із шириною забороненої зони Езз1...

Номер патенту: 18222

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Шеховцов Анатолій Вікторович, Ходаков Віктор Єгорович, Шаганян Сергій Миколайович, Цивільський Федір Миколайович, Кобиляков Денис Анатолійович, Пилипенко Микола Вадимович

МПК: G02B 6/12, G02B 5/00, G02F 3/00 ...

Мітки: оптичний, логічний, елемент, інтегральній, багатофункціональний

Формула / Реферат:

1. Інтегральний оптичний багатофункціональний логічний елемент, що містить підкладинку зі сформованим на ній відбивним прошарком, на поверхні якого сформований оптичний хвилевід, виконаний у вигляді першого хвилеводу, вхід якого оптично зв'язаний через першу дифракційну решітку, виконану у вигляді першого оптичного елемента зв'язку (ОЕЗ) із джерелом опорного випромінювання, на поверхні оптичного хвилеводу сформовані послідовно друга...

Номер патенту: 14957

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Ходаков Віктор Єгорович, Пилипенко Микола Вадимович, Цивільський Федір Миколайович, Дроздова Євгенія Анатоліївна, Шеховцов Анатолій Вікторович, Козел Віктор Миколайович, Бараненко Роман Васильович

МПК: G02B 5/20, G02F 3/00, G02B 6/12 ...

Мітки: синхронізований, rs-тригер, оптичний, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний оптичний синхронізований RS-тригер, що містить підкладинку зі сформованим на ній відбивним прошарком, на поверхні якого сформований оптичний хвилевід, виконаний у вигляді першого оптичного хвилеводу, вхід якого оптично зв'язаний через першу дифракційну решітку, виконану у вигляді першого оптичного елемента зв'язку (ОЕЗ) із джерелом опорного випромінювання, на поверхні першого оптичного хвилеводу сформовані послідовно друга...

Номер патенту: 76080

Опубліковано: 15.06.2006

Автор: ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G01L 9/00, H01L 29/84

Мітки: тензоперетворювач, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний перетворювач тиску, що містить виконану як одне ціле з основою кремнієву мембрану, орієнтовану в площині (100), та розміщений на її планарній поверхні горизонтальний двостоковий польовий тензотранзистор з р-п переходом як затвором, причому область каналу розміщена в частині мембрани, що деформується одновісно в кристалографічному напрямку (110), який відрізняється тим, що  додатково містить вертикальні транзистори з...

Номер патенту: 14563

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Ніконова Аліна Олександрівна, Швець Євген Якович, Літвіненко Марина Олександрівна, Небеснюк Оксана Юріївна, Ніконова Зоя Андріївна

МПК: G01R 27/26

Мітки: інтегральній, датчик

Формула / Реферат:

Інтегральний датчик, що включає прозорий корпус з точковими електродами, підключеними до джерела живлення, який відрізняється тим, що корпус виконаний у вигляді контактного скла без роговичної частини з чотирма точеними срібними електродами, розміщеними діаметрально-перпендикулярно і підключеними попарно до джерела живлення.

Номер патенту: 13526

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Цивільський Федір Миколайович, Ходаков Віктор Єгорович, Пилипенко Микола Вадимович, Поляков Володимир Сергійович, Шеховцов Анатолій Вікторович, Петриков Олексій Федорович

МПК: G02F 3/00, H03K 5/14

Мітки: імпульсу, одиночного, оптичний, інтегральній, формувач

Формула / Реферат:

1. Інтегральний оптичний формувач одиночного імпульсу, який містить підкладинку, сформований на ній ізолюючий прошарок, виконаний відбивним, на поверхні якого напилений перший оптичний хвилевід, вхід якого оптично зв'язаний через першу дифракційну решітку з опорним джерелом випромінювання першої групи, чотири активних фільтри, перші входи кожного з яких оснащені дифракційними решітками, три фотоактивних елементи, входи кожного з яких виконані...

Номер патенту: 12865

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Проскурін Микола Петрович, Білявська Олена Станіславна

МПК: G02F 3/00

Мітки: світлодіод, інтегральній

Формула / Реферат:

Інтегральний світлодіод, який має поверхневий вихід випромінювання та виконаний на основі підкладки з GaAs у вигляді ізольованої меза-канавки, що складається з р-n-переходу, в якому р-шар електрично зв'язаний з анодом світлодіода і є активним шаром, шар n-типу зв'язаний з катодом світлодіода, контакти анода і катода знаходяться на одній стороні підкладки, який відрізняється тим, що світлодіод має структуру з горизонтальним протіканням струму...

Номер патенту: 12957

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Шеховцов Анатолій Вікторович, Пилипенко Микола Вадимович, Петриков Ігор Федорович, Поляков Володимир Сергійович, Цивільський Федір Миколайович, Ходаков Віктор Єгорович

МПК: G02F 3/00, H03K 3/027

Мітки: інтегральній, імпульсів, оптичний, генератор

Формула / Реферат:

1. Інтегральний оптичний генератор імпульсів, що містить підкладинку, сформований на ній ізолюючий прошарок, виконаний відбивним, на поверхні якого напилений перший оптичний хвилевід, вхід якого оптично зв'язаний через першу дифракційну решітку з опорним джерелом випромінювання першої групи, вихід першого оптичного хвилеводу оптично зв'язаний через сформовану на ньому другу дифракційну решітку з основним пасивним фільтром, сформованим на...

Номер патенту: 11146

Опубліковано: 15.12.2005

Автор: ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G01L 9/04

Мітки: тензотиристор, диференційний, інтегральній

Формула / Реферат:

Інтегральний диференційний тензотиристор, що містить виконану як одне ціле з основою кремнієву квадратну мембрану, орієнтовану в площині (100), та розміщений на її планарній поверхні горизонтальний двостоковий польовий тензотранзистор з р-п переходом як затвором, причому область каналу якого розміщена в частині мембрани, що деформується одновісно в кристалографічному напрямку [110], а стоки суміщені з затворами вертикальних транзисторів зі...

Номер патенту: 7273

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Маєвська Тетяна Вікторівна, Коваленко Костянтин Леонідович, ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G01L 9/04

Мітки: інтегральній, тиску, перетворювач

Формула / Реферат:

Інтегральний перетворювач тиску, що містить виконану як одне ціле з оправою профільовану з однієї сторони кремнієву мембрану з жорсткою центральною частиною у вигляді острівця, а також тензоелемент, розміщений на планарній стороні мембрани, проти долини, що відділяє оправу мембрани від острівця, мембрана орієнтована в кристалографічній площині (100) і дзеркально симетрична відносно кожної з двох площин ряду [110], що проходять через центр...

Номер патенту: 4842

Опубліковано: 15.02.2005

Автор: ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G01L 9/04

Мітки: інтегральній, перетворювач, тиску

Формула / Реферат:

1. Інтегральний перетворювач тиску, що містить виконану як одне ціле з основою кремнієву квадратну мембрану однорідної товщини, орієнтовану в площині (100), та розміщений на її планарній поверхні горизонтальний двостоковий польовий тензотранзистор з р-n переходом як затвором, причому область каналу розміщена в частині мембрани, що деформується одновісно в кристалографічному напрямку [110], який відрізняється тим, що горизонтальний...

Номер патенту: 4430

Опубліковано: 17.01.2005

Автор: ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G01L 9/04

Мітки: диференційний, тензосенсор, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний диференційний тензосенсор, що містить виконану як одне ціле з основою кремнієву квадратну мембрану однорідної товщини, орієнтовану в площині [100] та розміщений на її планарній поверхні горизонтальний двостоковий польовий тензотранзистор з p-n переходом  як затвор, причому область каналу розміщена в частині мембрани, що деформується одновісно в кристалографічному напрямку [110], який відрізняється тим, що горизонтальний...

Номер патенту: 4429

Опубліковано: 17.01.2005

Автор: ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G01L 9/04

Мітки: інтегральній, тензосенсор

Формула / Реферат:

1. Інтегральний тензосенсор, що містить виконану як одне ціле з оправою кремнієву мембрану з елементами жорсткості: острівцем в центрі з однієї сторони та балками з другої; мембрана орієнтована в кристалографічній площині [100]; на її планарній поверхні центральносиметрично відносно центра балки розміщений диференційний чутливий елемент, обидва тензорезистори якого орієнтовані на поверхні так, що при навантаженні одновісно деформуються в...

Номер патенту: 71456

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Сліпченко Микола Іванович, Рябухін Олексій Олександрович

МПК: G01N 22/00

Мітки: зонд, резонаторний, мікроскопа, мікрохвильового, мікрополозковий, інтегральній

Формула / Реферат:

Інтегральний мікрополозковий НВЧ резонаторний зонд мікрохвильового мікроскопа, що містить інтегровані на одній діелектричній чи напівпровідниковій підкладці НВЧ-генератор, вихід якого з'єднаний з циркулятором, що також з'єднаний з детектором, та сенсор, який складається з фідера та резонатора, який відрізняється тим, що в нього введено додаткові сенсори, причому в кожен сенсор введено фазообертач, що з'єднаний з фідером і резонатором,...

Номер патенту: 68540

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Проскурін Микола Петрович, Білявська Олена Станіславівна, Костенко Віталій Леонідович

МПК: G02B 6/12

Мітки: пристрій, інтегральній, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Інтегральний фотоприймальний пристрій, що містить фотодіод і високочастотний n-p-n (p-n-p) транзистор, які сформовані поряд в товщині однієї підкладки, фотодіод підключений паралельно переходу база-колектор транзистора і протікання струмів в фотодіоді, транзисторі, сформованих в підкладці, є горизонтальним, анод (катод) фотодіода є оптичним вікном фотоприймального пристрою і металізованим контактом електрично з'єднаний з базою транзистора,...

Номер патенту: 67083

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Дощенко Галина Генадіївна, Ходаков Віктор Єгорович, Пилипенко Микола Вадимович, Глухова Валентина Іванівна, Цивільський Федір Миколайович, Гнідець Василь Петрович

МПК: G02B 6/12, G02F 3/00

Мітки: логічний, елемент, інтегральній, оптичний

Формула / Реферат:

1. Інтегральний оптичний логічний елемент, що містить підкладинку, сформований на ній ізолюючий прошарок, на поверхні якого напилений хвилевід, вхід якого оптично зв'язаний через дифракційну решітку із джерелом випромінювання, який відрізняється тим, що дифракційна решітка виконана у вигляді оптичного елемента зв'язку, ізолюючий прошарок виконаний відбивним, а джерело випромінювання виконано у вигляді принаймні одного джерела опорного...

Номер патенту: 45670

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Костенко Віталій Леонідович, Проскурін Микола Петрович

МПК: G02F 3/00

Мітки: функціональними, або-ні, оптоелектронний, мікропотужний, пристрій, розширеними, логічний, можливостями, procos, типу, інтегральній, адаптивного

Формула / Реферат:

Оптоелектронний мікропотужний інтегральний логічний пристрій АБО-НІ адаптивного типу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять: N вхідних світловодів-N логічних входів, які оптично з'єднані з N швидкодіючими n-р-n /р-n-р/ фототранзисторами, перший узгоджувальний резистор з першим незмінним виводом, другим і третім змінними виводами, джерела живлення, запірної напруги, два вихідних світловоди, які оптично з'єднані з...

Номер патенту: 42048

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Темпель Георг, Ханнеберг Армін

МПК: H03K 17/693, H03K 17/10, G11C 16/06 ...

Мітки: напруг, напівпровідниковий, високих, схемі, інтегральній, мон-пристрій, включення

Формула / Реферат:

1. МОН-пристрій включення високих напруг на  напівпровідниковій інтегральній схемі, який відрізняється тим, що він містить перший транзистор, що розташований послідовно з другим транзистором між першим виводом для позитивних напруг і другим виводом для високої негативної напруги, третій транзистор, що розташований послідовно з четвертим транзистором між першим виводом та другим виводом, причому перший і третій транзистори з'єднані...

Номер патенту: 29594

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Кравчина Віталій Вікторович, Горбань Олександр Миколайович

МПК: G01P 15/12

Мітки: спосіб, прискорення, виготовлення, інтегральній, датчик

Текст:

...толщиной 100-800 мкм, что обеспечивает возможность точного задания емкостного зазора и крепления датчика. Упругие балки содержат интегральные полупроводниковые приборы, что позволяет определять ускорение по электрическим характеристикам этих приборов независимо от определения ускорения по изменению емкости емкостного зазора. Пробная масса имеет не две, как в прототипе, а одну степень свободы, что позволяет точнее определить ускорение, это...