Захисний пристрій для локалізації вибуху

1. Захисний пристрій для локалізації вибуху, що містить циліндричну склопластикову оболонку та розміщену коаксіально всередині неї з безпосе 3 76187 4 рі /на значній відстані від оболонки/ - в тепло. лектричного ефектів матеріала оболонки 1 на меНа малюнку подано загальний вид захисного талевих оболонках 2 та 3 виникають електричні пристрою для локалізації вибуху. заряди і відповідно електрорушійна сила, величиПристрій має склопластикову оболонку 1, вина якої пропорційна швидкості зростання темпераготовлену з піроелектричного матеріалу тури і тиску. Електрична енергія відводиться від /наприклад армованого полівініліденфторида/, та оболонки по високовольтному проводу 4 у варискоаксіальні циліндричні внутрішню 2 і зовнішню 3 тор 5. металеві оболонки, розміщені у безпосередньому Коли хвиля високої електричної напруги досяконтакті з пластиковой оболонкою 1. Між металегає варистора 5, його електричний опір різко змевими оболонками, котрі водночас служать електншується. При цьому через варистор тече великий родами, за допомогою високовольтного проводу 4 імпульсний струм. Варистор нагрівається, а теплопідключено варистор 5 /наприклад металова енергія від нього надходять у навколишнє сеоксидний із нелінійних резисторів типу PHС-60-1/. редовище. Варистор розраховано із умови поглинання певної Таким чином, в запропонованого захисному частини енергії вибуху з урахуванням піроелектпристрої певна частина енергії вибуху перетворюричного коефіцієнта та коефіцієнта електромехається спочатку піроелектричним матеріалом обонічного зв'язку матеріала оболонки 1. лонки в електричну енергію, а потім у варисторі Функціонування захисного пристрою для лока/на безпечній відстані від захисної оболонки/ - в лізації вибуху відбувається наступним чином. тепло. Під час вибуху виникає детонаційна хвиля, у Відведення частини руйнівної енергії із захисфронті якої частина енергії знаходиться у вигляді ної оболонки у варистор призводить до зменшення пружної енергії, а друга частина - у вигляді теплонавантаження оболонки, тобто до підвищення ц вої енергії /температура короткочасно сягає надійності. 5000°С/. Оболонка починає розширюватись, погДжерела інформації: линаючи частину енергії на своє деформування. 1. SU 1077430, кл. F42D5/00, 1982. Одночасно, внаслідок піроелектричного та п'єзое2. SU 1595165, кл. F42D5/00, 1984. Комп’ютерна верстка М. Клюкін Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601