Фільтр верхніх частот

Фільтр верхніх частот, що містить Т-подібну ланку, яка складається з поздовжнього та поперечного пліч, а в поздовжнє плече включені ємнісні елементи, який відрізняється тим, що в поперечне плече фільтра введений резистор, а в поздовжньому плечі як ємнісні елементи використовують п'єзоелектричні елементи, причому точка з'єднання п'єзоелементів через резистор підключена до загального проводу схеми. Корисна модель відноситься до радіотехніки і може бути використана для частотної селекції сигналів. Відомий фільтр верхніх частот, що містить конденсатор у повздовжньому плечі, а в поперечному - резистор, паралельно резистору підключений ключ, вхід управління якого підключений до виходу генератора імпульсів запуску через послідовно з'єднані формувач управляючих імпульсів і селектор, додатковий резистор, другий ключ та додатковий конденсатор, при цьому другий вхід селектора і управляючий вхід другого ключа підключені до другого виходу формувача імпульсів, на вхід синхронізації якого подається синхронізуючий сигнал [див. АС №646420, СССР, НОЗН7/02, бюл. №5, 1979]. Недоліком його є відносно велика частота зрізу фільтра. Відомий пасивний фільтр верхніх частот, що містить Т-подібну ланку, яка складається з поздовжнього та поперечного плеча, поздовжнє плече утворене двома ємнісними елементами, а поперечне плече містить індуктивний елемент [див. Баскаков С И . Радиотехнические цепи и сигналы - М.: Высш. шк., 1988. - стр.339, рис 13.6]. Зазначений фільтр найбільш близький по технічній сутності і обраний в якості найближчого аналога. Недоліком його є відносно велика частота зрізу фільтра. В основу корисної моделі поставлена задача вдосконалення фільтра верхніх частот шляхом введення п'єзоелектричних елементів до Т подібної ланки, що дозволяє зменшити частоту зрізу фільтра та відповідно розширити смуту пропускання в сторону нижніх частот. Фільтр верхніх частот, що заявляється містить, Т-подібну ланку, яка складається з поздовжнього та поперечного плеча, а в поздовжнє плече включені ємнісні елементи. Пропонований фільтр верхніх частот відрізняється тим, в фільтр введено в поперечне плече резистор, а в поздовжньому плечі ємнісні елементи використовуються п'єзоелектричні елементи, причому точка з'єднання п'єзоелементів через резистор підключена до загального проводу схеми. Вказані ознаки є необхідними і достатніми для досягнення технічного результату. Технічним результатом корисної моделі, що з'являється, є зменшення частоти зрізу фільтра. Корисна модель пояснюється кресленням, де: - на фіг. 1 показана схема пропонованого фільтра; - на фіг.2 амплітудно-частотна характеристика пропонованого фільтра (крива 1) та відомого фільтра (крива 2). Фільтр верхніх частот містить два п'єзоелектричні елементи 1,2 та резистор 3. Точка з'єднання 4 двох п'єзоелементів через резистор 3 підключена до загального проводу схеми. Вхідна напруга підводиться до електрода п'єзоелемента 2, а вихідна напруга знімається з електрода п'єзоелемента 1. Фільтр верхніх частот працює наступним чином. Т-подібна ланка, що складається з п'єзоелектричних елементів 1, 2, резистора 3 представляє (22) 09.03.2005 (24) 15.08.2005 (46) 15.08.2005, Бюл. № 8, 2005 р. (72) Шарапов Валерій Михайлович, Трембовецька Руслана Володимирівна, Раєвський Микола Володимирович (73) ЧЕРКАСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНОЛОГІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ, Шарапов Валерій Михайлович (О сч 00 00 8826 собою фільтр верхніх частот. Використання п'єзоелектричних елементів замість ємнісних елементів дозволило зменшити частоту зрізу фільтра. Приклад практичного використання. Була виготовлена схема з біморфними п'єзоелектричними елементами із п'єзокераміки ЦТС-19 з розмірами- діаметром 27мм, товщиною 0,2мм, та металевою пластиною розмірами; діаметром 30мм, товщиною 0,2мм із сталі 40Х, резистором R3=10KOM, ЩО підключені ВІДПОВІДНО ДО фіг.1. Як показали експерименти частота зрізу пропонованого фільтра суттєво зменшилась у порівнянні з прототипом (див. фіг.2). і UBX 1 1 І Фіг. 1 —• ,—— * 1 Г 0.9 0.8 0.7 0.6 I 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 у °а 1 / / / * 1.5 Комп'ютерна верстка А Рябко 4.5 6 Фіг. 2 7.5 Підписне 10.5 f, кГц Тираж 26 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул Урицького, 45, м Київ, МСП, 03680, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул. Глазунова, 1, м Киів-42, 01601