Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 92332
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Шпак Анатолій Петрович
Формула / Реферат
1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %:
сульфойодид сурми
55-95
сульфід германію
решта.
2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.
3. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить полікристалічний сульфойодид сурми.
Текст
1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію. 3. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить полікристалічний сульфойодид сурми. UA (21) a200707421 (22) 02.07.2007 (24) 25.10.2010 (46) 25.10.2010, Бюл.№ 20, 2010 р. (72) РУБІШ ВАСИЛЬ МИХАЙЛОВИЧ, ШПАК АНАТОЛІЙ ПЕТРОВИЧ, РИГАН МИХАЙЛО ЮРІЙОВИЧ, ШПИРКО ГРИГОРІЙ МИКОЛАЙОВИЧ (73) УЖГОРОДСЬКИЙ НАУКОВОТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР МАТЕРІАЛІВ ОПТИЧНИХ НОСІЇВ ІНФОРМАЦІЇ ІНСТИТУТУ ПРОБЛЕМ РЕЄСТРАЦІЇ ІНФОРМАЦІЇ НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ (56) SU 425255 A, 24.09.1974 GB 1005080 A, 22.09.1965 SU 580197 A, 24.11.1977 2 (19) 1 3 92332 4 В таблиці наведені характеристики одержаних сплавів. № прикладу Вміст SbSJ мас. % 1 50 2 55 3 4 70 95 5 97 Таким чином як видно з наведених прикладів, введення в склад сегнетоелектричного матеріалу 5-45мас.% сульфіду германію сприяє посиленню термічної стійкості та механічної міцності матеріалу. Джерела інформації: Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Характеристика сплаву Полікристалічні фрагменти розподілені в об'ємі зразка нерівномірно Одержано зливок із рівномірним розподілом кристалічної фази Те ж Те ж Зразок по механічній та термічній стійкості практично не відрізняється від поліристалічного сульфойодиду сурми. 1. Советский энциклопедический словарь. М., «Советская энциклопедия», 1987, c.1186-1187. 2. А. П. Шпак, В. М. Рубіш «Склоутворення і властивості сплавів в халькогенідних системах на основі миш'яку та сурми» - К. - .ІМФ НАНУ, 2006. 57 с. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюFerroelectric material
Автори англійськоюRubish Vasyl Mykhailovych, Shpak Anatolii Petrovych, Ryhan Mykhailo Yuriiovych, Shpyrko Hryhorii Mykolaiovych
Назва патенту російськоюСегнетоэлектрический материал
Автори російськоюРубиш Василий Михайлович, Шпак Анатолий Петрович, Риган Михаил Юрьевич, Шпирко Григорий Николаевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-92332-segnetoelektrichnijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сегнетоелектричний матеріал</a>
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 91201
Опубліковано: 12.07.2010
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Шпак Анатолій Петрович
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що він додатково містить склоподібний селенід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 50-97 селенід миш'яку решта.
Сегнетоелектричний резонатор для спектрометру епр
Номер патенту: 40178
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Головіна Ірина Сергіївна, Сонько Тетяна Василівна, Гейфман Ілля Натанович
МПК: H01P 7/10, H01P 11/00
Мітки: сегнетоелектричний, спектрометру, епр, резонатор
Формула / Реферат:
1. Сегнетоелектричний резонатор для спектрометру ЕПР, виконаниий з монокристалу, який відрізняється тим, що він виконаний з танталату калія, легованого літієм з вмістом 0,01-0,1 %.2. Сегнетоелектричний резонатор по п.1, який відрізняється тим, що він виконаний у прямокутній формі.3. Сегнетоелектричний резонатор по п.1 і п.2, який відрізняється тим, що він має всередині отвір для розміщення досліджуваного об'єкта, а глибина...
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам’ятовуючий пристрій з неруйнівним зчитуванням
Номер патенту: 18752
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Мартинюк Яків Васильович, Верба Олександр Андрійович, Самофалов Костянтин Григорович, Божко Анатолій Панасович, Скороход Ігор Олександрович, Клето Геннадій Іванович
МПК: G11C 11/22
Мітки: запам'ятовуючий, зчитуванням, пристрій, сегнетоелектричний, енергонезалежний, неруйнівним
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, чутливі підсилювачі і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і сегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані з розрядними...
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам`ятовуючий пристрій
Номер патенту: 35574
Опубліковано: 25.09.2008
Автори: Самофалов Костянтин Григорович, Верба Олександр Андрійович, Мартинюк Яків Васильович
МПК: G11C 11/22
Мітки: пристрій, запам'ятовуючий, енергонезалежний, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, підсилювачі зчитування та запису і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і cегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані...
Сегнетоелектричний запам’ятовуючий пристрій
Номер патенту: 37367
Опубліковано: 25.11.2008
Автори: Мартинюк Яків Васильович, Верба Олександр Андрійович, Самофалов Костянтин Григорович
МПК: G11C 11/22
Мітки: пристрій, сегнетоелектричний, запам'ятовуючий
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, матрицю сегнетоелектричних запам'ятовуючих конденсаторів, підсилювачі зчитування, числові ключі, розрядні ключі, контролер/дешифратор, причому кожен сегнетоелектричний запам'ятовуючий конденсатор включений між числовою та розрядною шинами, числові шини підключені до виходів числових ключів, входи яких зв'язані з виходами контролера/дешифратора, розрядні шини...
Попередній патент: Коробка приводів агрегатів авіаційного двигуна, такого як турбореактивний двигун
Наступний патент: Спосіб покращення ступеня схожості насіння
Випадковий патент: Трансформатор струму з полімерною ізоляцією