Риган Михайло Юрійович
Спосіб створення зображення
Номер патенту: 113516
Опубліковано: 10.02.2017
Автори: Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович
МПК: G03F 7/30, C03C 15/00, G03C 1/705 ...
Мітки: спосіб, зображення, створення
Формула / Реферат:
Спосіб створення зображення, який включає нанесення на тверду поверхню плівки скла системи, яка містить миш'як, сірку та селен, локальне опромінення поверхні плівки та обробку її рідким протравлювачем, який містить етилендіамін та воду, який відрізняється тим, що в склад протравлювача додатково вносять суміш гідразингідрату та етиленгліколю, що містить 25-60 мас.% гідразингідрату при такому співвідношенні складових протравлювача, мас.%: ...
Спосіб очистки кадмію від цинку
Номер патенту: 107955
Опубліковано: 24.06.2016
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Ясінко Тамара Іванівна, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович
МПК: C30B 13/02, C22B 9/16, C22B 17/06 ...
Мітки: кадмію, цинку, спосіб, очистки
Формула / Реферат:
Спосіб очистки кадмію від домішок цинку, який включає зонну плавку, який відрізняється тим, що в зразок, який очищають, попередньо вводять залізо в кількості, яка становить від 1,3 до 1,4 маси домішку цинку.
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x
Номер патенту: 106139
Опубліковано: 25.04.2016
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Пісак Роман Петрович, Гуранич Павло Павлович, Риган Михайло Юрійович
МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...
Мітки: синтезу, сегнетоелектричного, матеріалу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, спосіб, складу
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...
Спосіб кристалізації селену
Номер патенту: 103080
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Пісак Роман Петрович, Горіна Ольга Володимирівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович
МПК: C30B 13/00
Мітки: кристалізації, спосіб, селену
Формула / Реферат:
Спосіб кристалізації селену, який включає формування зливку вихідного матеріалу в герметичному контейнері продовгуватої форми, створення на одному із кінців зливку зони розплаву з підвищеною температурою та переміщення цієї зони вздовж зливка, який відрізняється тим, що на краю зливку створюють зону розплаву з температурою 250-280 °C, переміщують зону розплаву вздовж зливка зі швидкістю 30-80 мм/год., повертають зону розплаву у вихідне...
Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію
Номер патенту: 101519
Опубліковано: 25.09.2015
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович
МПК: C01G 15/00
Мітки: талію, містять, спосіб, тіогалат, відходів, регенерації
Формула / Реферат:
Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію, який включає розділення тіогалату талію на сполуки, одна з яких містить талій, а інша галій, який відрізняється тим, що вихідну речовину витримують в атмосфері кисню або повітря при температурі 400-450 °C протягом 0,5-1,0 години, після чого нагрівають до температури 900-950 °C і витримують при цій температурі протягом 2-3 годин в герметичному контейнері, частина якого...
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 106518
Опубліковано: 10.09.2014
Автори: Штець Петро Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Гомоннай Олександр Олександрович, Соломон Андрій Михайлович, Росул Роман Романович, Гомоннай Олександр Васильович
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.
Спосіб синтезу тіоіндату талію
Номер патенту: 89870
Опубліковано: 12.05.2014
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Ясінко Тамара Іванівна, Перевузник Віра Петрівна
МПК: C01B 17/20
Мітки: синтезу, тіоіндату, талію, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб синтезу тіоіндату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування ампули, нагрівання вмісту ампули до температури синтезу та охолодження ампули, який відрізняється тим, що талій та індій розміщують в одному кінці ампули, а сірку окремо від талію та індію, нагрівають ділянку ампули із талієм та індієм до температури 950-1000 °C, а сірку до температури 300-350 °C після чого...
Спосіб синтезу селеногалату талію
Номер патенту: 81513
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович
МПК: C01G 15/00, C01B 19/00
Мітки: талію, селеногалату, синтезу, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x
Номер патенту: 80203
Опубліковано: 27.05.2013
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Гуранич Павло Павлович, Риган Михайло Юрійович, Росул Роман Романович
МПК: H01L 41/39, C01G 15/00
Мітки: одержання, спосіб, сегнетоелектричного, tlins2)x(tlinse2)1-x, матеріалу, складу
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...
Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією
Номер патенту: 100728
Опубліковано: 25.01.2013
Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Кляп Михайло Петрович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Гаврилко Петро Петрович
МПК: C30B 11/00
Мітки: кристалізацією, пристрій, направленою, вирощування, кристалу
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...
Полірувальна паста
Номер патенту: 62263
Опубліковано: 25.08.2011
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Перевузник Віра Петрівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович
МПК: B24B 27/00
Мітки: паста, полірувальна
Формула / Реферат:
Полірувальна паста, яка містить подрібнений абразивний матеріал та органічний наповнювач, яка відрізняється тим, що як абразивний матеріал містить подрібнений цеоліт, а як органічний наповнювач - касторове масло, при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: цеоліт 40-60, касторове масло решта.
Дозатор газу
Номер патенту: 61905
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Ткаченко Віктор Іванович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович
МПК: G01F 11/00, G01N 1/22
Формула / Реферат:
Дозатор газу, що містить робочу камеру з впускним та випускним патрубками, крани, який відрізняється тим, що робоча камера виготовлена у вигляді сильфона, розміщеного між опорними пластинами, встановленими перпендикулярно осі симетрії камери, одна із опорних пластин встановлена з можливістю переміщення вздовж осі симетрії камери, а вздовж осі симетрії камери встановлена шкала.
Спосіб градуювання термопари
Номер патенту: 95047
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Гаврилко Петро Петрович, БАНДУРИН ЮРІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ, Ткаченко Віктор Іванович
МПК: G01K 7/02, G01K 15/00
Мітки: градуювання, термопари, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб градуювання термопари, який включає введення одного із спаїв термопари в тепловий контакт із зразком еталонної речовини з відомою температурою плавлення, нагрівання зразка еталонної речовини із спаєм термопари, вимірювання термоелектрорушійної сили термопари в момент плавлення зразка еталонної речовини, який відрізняється тим, що зразок еталонної речовини у вигляді пластини або дроту встановлюють горизонтально краями на опори, на...
Пристрій для різання матеріалу
Номер патенту: 95044
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: БАНДУРИН ЮРІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ, Риган Михайло Юрійович, Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович, Гаврилко Петро Петрович
МПК: B28D 5/04, H01L 21/304
Мітки: різання, матеріалу, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій для різання матеріалу, який містить перетворювач крутного моменту, несучу раму різального елемента, встановлену з можливістю зворотно-поступального руху, який відрізняється тим, що перетворювач крутного моменту виготовлений у вигляді диска, на периферії якого прикріплені магніти, полюси яких почергово розміщені в різні сторони, до несучої рами прикріплені два магніти таким чином, що периферійна частина диска знаходиться між...
Термостат
Номер патенту: 60389
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович
МПК: B01L 7/00
Мітки: термостат
Формула / Реферат:
Термостат, що містить корпус у вигляді ємності, в яку вмонтовано робочу камеру, нагрівач, систему регулювання температури, теплопередавальну рідину, який відрізняється тим, що додатково містить ємність зворотної подачі рідини, порожнина якої верхньою та нижньою частинами сполучена з порожниною корпусу, корпус та ємність зворотної подачі рідини заповнені рідиною частково і верхніми частинами сполучені з системою регулювання тиску газу над...
Реактор
Номер патенту: 58611
Опубліковано: 26.04.2011
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гаврилко Петро Петрович, Риган Михайло Юрійович, Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович
МПК: B01J 8/08
Мітки: реактор
Формула / Реферат:
Реактор, який містить корпус у вигляді вертикально встановленої ємності, кришку з отвором і внутрішній стакан, який відрізняється тим, що форма та розміри поперечного перерізу стакана у верхній частині відповідають формі і розмірам отвору в кришці, в нижній частині стакана є отвори, стакан має кришку, в яку вмонтовано випускний патрубок і встановлений з можливістю вертикального переміщення відносно до корпусу.
Сонячний водонагрівач
Номер патенту: 53814
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович, Шпирко Григорій Миколайович, Ткаченко Віктор Іванович
МПК: F24J 2/24
Мітки: сонячний, водонагрівач
Формула / Реферат:
1. Сонячний водонагрівач, який містить плоский корпус із променепоглинаючою та тіньовою панелями, скріпленими по периметру, впускний та випускний патрубки, який відрізняється тим, що він додатково містить в порожнині корпуса принаймні одну розтяжку у вигляді продовгуватого тіла, розміщеного перпендикулярно поверхні панелей, прикріплену кінцями до панелей.2. Сонячний водонагрівач за п. 1, який відрізняється тим, що розтяжки виготовлені...
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 92332
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Шпак Анатолій Петрович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.3. Сегнетоелектричний матеріал за...
Хірургічний скальпель
Номер патенту: 52831
Опубліковано: 10.09.2010
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Ткаченко Віктор Іванович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович
МПК: A61B 17/32
Мітки: хірургічний, скальпель
Формула / Реферат:
1. Хірургічний скальпель у вигляді продовгуватого тіла, що складається з передньої робочої частини з ріжучою кромкою та задньої несучої частини, робоча частина виготовлена з твердого матеріалу, який відрізняється тим, що матеріалом робочої частини є плавлений кварц.2. Хірургічний скальпель за п. 1, який відрізняється тим, що робоча і несуча частини виготовлені із однієї заготовки.3. Хірургічний скальпель за п. 1, який...
Спосіб регенерації відходів, які містять двооксид телуру
Номер патенту: 91707
Опубліковано: 25.08.2010
Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Гасинець Степан Михайлович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: C01B 19/00
Мітки: містять, спосіб, телуру, відходів, регенерації, двооксид
Формула / Реферат:
Спосіб регенерації відходів, які містять двоокис телуру, який включає введення оброблюваної речовини в контакт з відновником, який відрізняється тим, що як відновник використовують титан, а процес відновлення здійснюють при температурі 400-730 °С.
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 91201
Опубліковано: 12.07.2010
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що він додатково містить склоподібний селенід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 50-97 селенід миш'яку решта.
Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш`яку
Номер патенту: 90517
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович
МПК: C01B 19/00, C22B 3/06, C01G 28/00 ...
Мітки: спосіб, миш'яку, селенід, регенерації, містять, відходів
Формула / Реферат:
Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш'яку, який відрізняється тим, що відходи обробляють азотною кислотою, після чого відділяють рідку фазу від твердого залишку, твердий залишок витримують в гарячій зоні градієнтної печі при температурі 350-400 °С, при цьому температура холодної зони градієнтної печі нижче 200 °С, а рідку фазу упарюють в контейнері при температурі 100-130 °С.
Спосіб синтезу стекол системи as-s-se
Номер патенту: 90275
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Перевузник Віра Петрівна, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Гасинець Степан Михайлович
Мітки: as-s-se, синтезу, системі, спосіб, стекол
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу стекол системи As-S-Se, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцевого скла, вакуумування ампули, нагрівання вмісту ампули до температури синтезу та охолодження ампули, який відрізняється тим, що сірку та селен розміщують в одному кінці ампули, а миш'як окремо від сірки та селену, нагрівають локально суміш сірки із селеном до температури 120-170 °С, витримують при цій температурі протягом 6-10...
Спосіб виділення миш’яку із його сульфіду
Номер патенту: 81324
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: C22B 30/00
Мітки: сульфіду, виділення, миш'яку, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виділення миш'яку із його сульфіду, який включає окислення сульфіду і наступне введення в контакт з утвореним оксидом миш'яку відновника, який відрізняється тим, що як відновник беруть титан, а процес відновлення здійснюють в герметичному контейнері при температурі 300-500 °С.