Рубіш Василь Михайлович

Номер патенту: 113516

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: G03F 7/30, C03C 15/00, G03C 1/705 ...

Мітки: зображення, створення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення зображення, який включає нанесення на тверду поверхню плівки скла системи, яка містить миш'як, сірку та селен, локальне опромінення поверхні плівки та обробку її рідким протравлювачем, який містить етилендіамін та воду, який відрізняється тим, що в склад протравлювача додатково вносять суміш гідразингідрату та етиленгліколю, що містить 25-60 мас.% гідразингідрату при такому співвідношенні складових протравлювача, мас.%: ...

Номер патенту: 107955

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Ясінко Тамара Іванівна, Риган Михайло Юрійович, Пісак Роман Петрович

МПК: C22B 9/16, C22B 17/06, C30B 13/02 ...

Мітки: очистки, цинку, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки кадмію від домішок цинку, який включає зонну плавку, який відрізняється тим, що в зразок, який очищають, попередньо вводять залізо в кількості, яка становить від 1,3 до 1,4 маси домішку цинку.

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Пісак Роман Петрович

МПК: C01G 15/00, C30B 11/02, C01B 19/00 ...

Мітки: сегнетоелектричного, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, складу, синтезу, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Номер патенту: 101519

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: відходів, містять, талію, тіогалат, регенерації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію, який включає розділення тіогалату талію на сполуки, одна з яких містить талій, а інша галій, який відрізняється тим, що вихідну речовину витримують в атмосфері кисню або повітря при температурі 400-450 °C протягом 0,5-1,0 години, після чого нагрівають до температури 900-950 °C і витримують при цій температурі протягом 2-3 годин в герметичному контейнері, частина якого...

Номер патенту: 109582

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Минько Віктор Іванович, Бородін Юрій Олександрович, Гера Едуард Васильович, Петров В'ячеслав Васильович, Данько Віктор Андрійович, Шепелявий Петро Євгенович, Крючин Андрій Андрійович, Луканюк Марія Василівна, Рубіш Василь Михайлович, Індутний Іван Захарович

МПК: G11B 7/26

Мітки: спосіб, оригіналу, оптично, сигналограми, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення оригіналу оптичної сигналограми, що включає нанесення у вакуумі на дискову підкладку адгезійного шару і шару неорганічного фоторезисту на основі халькогенідного скла, його експонування модульованим гостросфокусованим лазерним пучком, і формування рельєфної структури шляхом селективного хімічного травлення фоторезисту, який відрізняється тим, що як неорганічний фоторезист на основі халькогенідного скла використовують шар...

Номер патенту: 106518

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Штець Петро Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Росул Роман Романович, Риган Михайло Юрійович, Гомоннай Олександр Олександрович, Рубіш Василь Михайлович, Гомоннай Олександр Васильович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.

Номер патенту: 89870

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Ясінко Тамара Іванівна, Риган Михайло Юрійович, Перевузник Віра Петрівна, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01B 17/20

Мітки: синтезу, спосіб, талію, тіоіндату

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу тіоіндату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування ампули, нагрівання вмісту ампули до температури синтезу та охолодження ампули, який відрізняється тим, що талій та індій розміщують в одному кінці ампули, а сірку окремо від талію та індію, нагрівають ділянку ампули із талієм та індієм до температури 950-1000 °C, а сірку до температури 300-350 °C після чого...

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00

Мітки: спосіб, селеногалату, синтезу, талію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Номер патенту: 80203

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Гуранич Павло Павлович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Оксана Григорівна, Росул Роман Романович

МПК: H01L 41/39, C01G 15/00

Мітки: tlins2)x(tlinse2)1-x, сегнетоелектричного, спосіб, матеріалу, складу, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Поп Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C30B 28/00, C03C 23/00

Мітки: шару, одержання, стеклах, наноструктурованого, поверхневого, халькогенідних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Номер патенту: 62263

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Перевузник Віра Петрівна, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: B24B 27/00

Мітки: полірувальна, паста

Формула / Реферат:

Полірувальна паста, яка містить подрібнений абразивний матеріал та органічний наповнювач, яка відрізняється тим, що як абразивний матеріал містить подрібнений цеоліт, а як органічний наповнювач - касторове масло, при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: цеоліт 40-60, касторове масло решта.

Номер патенту: 61905

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Ткаченко Віктор Іванович, Гаврилко Петро Петрович

МПК: G01N 1/22, G01F 11/00

Мітки: газу, дозатор

Формула / Реферат:

Дозатор газу, що містить робочу камеру з впускним та випускним патрубками, крани, який відрізняється тим, що робоча камера виготовлена у вигляді сильфона, розміщеного між опорними пластинами, встановленими перпендикулярно осі симетрії камери, одна із опорних пластин встановлена з можливістю переміщення вздовж осі симетрії камери, а вздовж осі симетрії камери встановлена шкала.

Номер патенту: 58611

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Ткаченко Віктор Іванович, Гаврилко Петро Петрович, Риган Михайло Юрійович

МПК: B01J 8/08

Мітки: реактор

Формула / Реферат:

Реактор, який містить корпус у вигляді вертикально встановленої ємності, кришку з отвором і внутрішній стакан, який відрізняється тим, що форма та розміри поперечного перерізу стакана у верхній частині відповідають формі і розмірам отвору в кришці, в нижній частині стакана є отвори, стакан має кришку, в яку вмонтовано випускний патрубок і встановлений з можливістю вертикального переміщення відносно до корпусу.

Номер патенту: 94105

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Шпирко Григорій Миколайович, Ткаченко Віктор Іванович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: B24B 21/00, B24B 1/00, B24B 37/04 ...

Мітки: пластин, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення пластин, який включає формування однієї плоскої поверхні заготовки, виготовлення підкладки з принаймні однією плоскою поверхнею, нанесення на плоску поверхню підкладки шару термопластичного матеріалу, нагрівання підкладки з термопластичним матеріалом та заготовки до температури розм'якшення термопластичного матеріалу, притискання заготовки плоскою стороною до плоскої сторони підкладки, охолодження та подальше шліфування...

Номер патенту: 94010

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Шпак Анатолій Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Гасинець Степан Михайлович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний тіогіподифосфат олова, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %:тіогіподифосфат олова 10-50 сульфід миш'яку - решта.

Номер патенту: 92896

Опубліковано: 27.12.2010

Автор: Рубіш Василь Михайлович

МПК: H01P 7/10, H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 52-95 сульфід миш'яку решта.

Номер патенту: 92332

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Шпак Анатолій Петрович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: H01L 41/18

Мітки: матеріал, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.3. Сегнетоелектричний матеріал за...

Номер патенту: 91707

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C01B 19/00

Мітки: спосіб, двооксид, містять, регенерації, телуру, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять двоокис телуру, який включає введення оброблюваної речовини в контакт з відновником, який відрізняється тим, що як відновник використовують титан, а процес відновлення здійснюють при температурі 400-730 °С.

Номер патенту: 91201

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Шпак Анатолій Петрович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що він додатково містить склоподібний селенід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми            50-97 селенід миш'яку                   решта.

Номер патенту: 90517

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C22B 3/06, C01G 28/00, C01B 19/00 ...

Мітки: відходів, селенід, містять, спосіб, регенерації, миш'яку

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш'яку, який відрізняється тим, що відходи обробляють азотною кислотою, після чого відділяють рідку фазу від твердого залишку, твердий залишок витримують в гарячій зоні градієнтної печі при температурі 350-400 °С, при цьому температура холодної зони градієнтної печі нижче 200 °С, а рідку фазу упарюють в контейнері при температурі 100-130 °С.

Номер патенту: 90275

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Перевузник Віра Петрівна, Риган Михайло Юрійович

МПК: C03B 5/00, C03C 3/12

Мітки: спосіб, синтезу, as-s-se, системі, стекол

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стекол системи As-S-Se, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцевого скла, вакуумування ампули, нагрівання вмісту ампули до температури синтезу та охолодження ампули, який відрізняється тим, що сірку та селен розміщують в одному кінці ампули, а миш'як окремо від сірки та селену, нагрівають локально суміш сірки із селеном до температури 120-170 °С, витримують при цій температурі протягом 6-10...

Номер патенту: 81324

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C22B 30/00

Мітки: сульфіду, виділення, миш'яку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виділення миш'яку із його сульфіду, який включає окислення сульфіду і наступне введення в контакт з утвореним оксидом миш'яку відновника, який відрізняється тим, що як відновник беруть титан, а процес відновлення здійснюють в герметичному контейнері при температурі 300-500 °С.