Матеріал для термомагнітних елементів

Матеріал для термомагнітних елементів на основі антимоніду індію, який відрізняється тим, що містить антимонід індію р-типу провідності, утворений акцепторними домішками магнію, цинку та кадмію із загальною їх концентрацією від Цей винахід належить до матеріалів для термомагнітних елементів, що використовуються для охолодження, нагрівання, генерування електричної енергії, вимірювання температури та теплових потоків. Винахід може бути застосований у побуті, приладобудуванні, електроніці, обчислювальній техніці, а також у таких галузях вимірювальної техніки, як: термометрія, калориметрія та теплометрія. Відомі матеріали для термомагнітних елементів на основі антимоніду індію n-типу, описані в роботі [1]. У відомих матеріалах для термомагнітних елементів використовуються напівпровідники одного типу провідності, зокрема, антимонід індію n-типу. Хоча ще в 1979 р. проведений в роботі [2] аналіз показав, що за наявності одного сорту носіїв струму термомагнітна добротність незначна і не являє практичного інтересу. Найбільш близьким до винаходу є матеріал для термомагнітних елементів, описаний в роботі [1]. Проте, цей матеріал є напівпровідником n-типу провідності, де основні носії мають рухливість у сотню разів більшу, ніж неосновні носії заряду. За фактичної відсутності другого носія струму - дірок, такий матеріал має низьку термомагнітну добротність і є неефективним матеріалом для термомагнітних елементів. В основу винаходу поставлено задачу створити матеріал для термомагнітних елементів з підвищеною термомагнітною добротністю. Для цього, згідно до винаходу матеріал для термомагнітних елементів на основі In-Sb р-типу містить від 21022 м-3 до 21024 м-3 акцепторних домішок. Відповідність критерію «новизна» запропонованому винаходу забезпечує та обставина, що заявлена сукупність ознак не міститься ні в одному з об'єктів існуючого рівня техніки. У винаході запропоновано принципово нове рішення щодо матеріалу для термомагнітних елементів, яке полягає в тому, що з метою підвищення ефективності перетворення теплової енергії в електричну він містить акцепторні домішки магнію, цинку та кадмію з загальною концентрацією цих акцепторних домішок від 210 м-3 до 21024 м-3. Тому ознака, яка не зустрічається ні в одному з аналогів - містить акцепторні домішки магнію, цинку та кадмію з загальною концентрацією цих акцепторних домішок від 210 м-3 до 210 м-3 забезпечує заявленому матеріалу необхідний «винахідницький рівень». Матеріал для термомагнітних елементів використовується аналогічно до відомих матеріалів цього ж призначення. Результати випробовувань такого матеріалу в магнітному полі 1 Тл засвідчили, що використання оптимізованих матеріалів р-типу робить можливим досягати в 5-8 разів більших значень вихідних напруг, ніж на In-Sb n-типу. При цьому ККД вдвічітричі вищий, ніж в електронному антимоніді індію. Література (19) UA (11) 93110 (13) C2 2  1022 м3 до 2  1024 м3 . 3 93110 1. Hakamura Η., Ikeda К., Yamaguchi S. Physical model of Nernst element // 17th Int. conf on thermoelectrics, Nagoya, TH. -PO-5-1998. - P. 89-92. Комп’ютерна верстка О. Гапоненко 4 2. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник - К.: Наук думка 1979 - 768 с. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601