Тонкоплівковий матричний індикатор

ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (19) (II) (51) 4 Н 05 В 3J/22 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 4287250/31-25 (22) 20.07.87 1 (71) Институт полупроводников АН УССР (72) Б.И.Каплан, В.Е.Родионов, И.А.Телегина и Г.Ф.Тюленев* (53) 628.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1237052, кл. Н 05 В 33/22, 1984. Заявка ФРГ К 2432503, кл. Н 05 В 33/14, 1978. (54) ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МАТРІІЧНЬіЙ ИНДИКАТОР (57) Изобретение относится к электролюминесцентным источникам света и может быть использовано для отображения информации. Цель изобретения повышение надежности тонкопленочного матричного индикатора. Индикатор Изобретение относится к электролюмииесцентиым источникам света и может быть использовано для отображения информации. Цель изобретения - повышение надежности индикатора. На фиг. 1 изображен элемент матричізого индикатора, поперевное сечение; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1 (вид на часть слоев, расположенных w& подложке в месте пересечения электродов) . Тонкопленочный матричный индикатор содержит проэпачную диэлектрическую подложку 1, например, из стекла ЛК-7 с расположенными на ней прозрачными полосковыми электродами 2 из оксидов 31-89 содержит диэлектрическую подложку, снабженную прозрачными параллельными полосковыми электродами. На подложке расположены первый диэлектрический слой, электролюминесцентный слой, второй диэлектрический слой и полосковые электроды, перпендикулярные про прозрачкым полосковым электродам. Между прозрачными полосковыми электродами и первым диэлектрическим слоем введен третий диэлектрический слой, снабженный в местах пересечения полосковых элеь гродов сквозными окнами, в которых расположены участки дополнительного прозрачного проводящего слоя с толщиной, равной толщине третьего диэлектрического слоя. Конструкция позволяет локализовать возможные про&ои электролюминесцентной структуры. 2 ил. индия и олова толщиной 150 нм. На подложке расположены первый прозрачный диэлектричский слой 3 из оксида иттрия толщиной 220 нм, электролюминесцентный слой 4 в виде пленки сульфида цинка, легированного марганцем, толщиной 600 нм, второй диэлектрический слой 5, аналогичный слою 3, и алюминиевые полосковые электроды 6 толщиной 120 нм, перпендикулярные прозрачным электродам. Между прозрачными полосковыми электродами и первым диэлектрическим слоем расположен третий диэлектрический слои 7 из двуокиси кремния толщиной 280 нм. В мес1 ах пересечения полосковых электродов в этом слое выполнены сквозные 1503674 окїіа 8, в которых распопожены участны первый прозрачный диэлектрический ки дополнительного прозрачного провослой, электропюмннесцентньт слой, дящего слон 9 и-э того же материала, второй диэлектрический слой и полосчто и электроды 2 с толщиной, р а в ковые электроды, перпендикулярные ной толщине диэлектрического слоя 7. прозрачным полосковым электродам, Предлагаемая конструкция позволяо т л и ч а ю щ и й с я тем, что, ет 'локализовать возможные электричесс целью повышения надежности, между кие пробои электролюминесцентной прозрачными полосковыми электродами структуры. 10 и первым диэлектрическим слоем введен третий диэлектрический слой, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я снабженный в местех пересечения полосковых электродов скв-озными окнами, Тонкопленочный матричный индика- . в которых расположены участки дополтор, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку, снабженную парал15 нительного прозрачного проводящего слоя с толщиной, равной толщине трелельными прозрачными электродами, тьего диэлектрического слоя. на которой последовательно расположе фие,1 Л-А Редактор М.Кузнецова Составитель В.Прибытков Техред М.Ходанич Корректор Л.Бескид Заказ 1596/ДСП Тираж 373 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 11303 3, Москва, Ж-3 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101