Багатопроменева дзеркальна антена

1. Багатопроменева дзеркальна антена, що містить дзеркало у вигляді внутрішньої поверхні тіла обертання параболічної твірної навколо осі симетрії і опромінювачі, розташовані на фокаль 3 13225 4 Причинно-наслідковий зв'язок ознак, які витики застосовуваного матеріалу досягається при значають сутність корисної моделі з технічним рівнях освітленості (3-5)·105 лк, тому що при такорезультатом. Конструкція передбачає виконання му рівні освітленості не спостерігається помітного поверхні антени з реверсивного матеріалу, напринасичення як у режимі проходження електромагніклад, полікристалічного сульфіду кадмію. У не тної хвилі, так і в режимі відбиття. Як реверсивний збудженому стані реверсивне середовище має матеріал можуть бути використані полікристалічні мале темнове збурення поля, що характеризує пластини на основі сульфіду кадмію (час існування його як радіопрозоре середовище. У той же час нерівновагих носіїв струму ~0,5-1мкс). Темповий воно має властивість помітно змінювати свою прокоефіцієнт відбиття таких полікристалічних пласвідність в області впливу керуючого сигналу і здотин товщиною 200-300мкм на резонансній довжині бувати металеві властивості, що дозволяє відбихвилі, наприклад, в 8мм діапазоні становить від вати електромагнітні хвилі. При впливі на 1,5 до 5%, а в 3-см діапазоні - від 0,8 до 2%. У неповерхню антени керуючими сигналами формузбудженому стані реверсивне середовище має ється кілька променів діаграми спрямованості. мале темнове збурення поля, що характеризує Вплив на поверхню антени керуючих сигналів дойого як радіопрозоре середовище. В областях пазволяє по черзі змінювати провідність різних ділядіння світла на реверсивний матеріал 4 відбуванок напівпровідникової пластини. Це приводить до ється різка зміна параметрів матеріалу за рахунок сканування променів багатопроменевої діаграми генерації нерівновагих носіїв струму, що змінюють спрямованості у просторі. електромагнітні характеристики матеріалу (коефіЗазначені ознаки становлять сутність корисної цієнт поглинання, відбиття й переломлення), мамоделі, наведеної на Фіг. теріал здобуває металеві властивості, що дозвоДзеркало 1 виконане з радіопрозорого матеріляє відбивати електромагнітні хвилі. Це приводить алу, поверхня якого покрита реверсивним матерідо формування декількох променів діаграми спряалом, наприклад, полікристалічним сульфідом мованості 6. кадмію. Опромінювачі 2 перемішують у площині Переміщення області керуючого впливу 4 дофокального кільця. зволяє по черзі змінювати провідності різних діляДжерело керуючих сигналів 3 впливає на понок напівпровідникової пластини. Це дає можливерхню реверсивного матеріалу в областях 4 сигвість сканування променів діаграми спрямованості налом керування 5. Внаслідок цього відбувається в широкому секторі кутів. Ширина променів діагформування променів діаграми спрямованості 6. рами спрямованості залежить від розміру, форми При переміщенні області впливу сигналу керуванй орієнтації збуджених областей. Швидкість скануня 5 відбувається переміщення області 4, що привання обмежується тільки швидкістю переходу водить до переміщення променів діаграми спряреверсивного середовища з непровідного стану в мованості 6 у просторі. провідне (визначається часом існування нерівноПристрій працює у такий спосіб. вагих носіїв струму) і швидкістю переміщення обОпромінювачі 2 переміщують у площині фокаласті впливу сигнала керування. льного кільця. Джерело керуючих сигналів 3 вплиТаким чином, використання даної багатопроває на поверхню реверсивного матеріалу в обласменевої дзеркальної антени дозволяє створювати тях 4 сигналами 5 на дзеркалі 1. Джерелом багатопроменеву діаграму спрямованості антени з сигналів 3 є потужне джерело приблизно сонячноможливістю сканування променів діаграми спряго спектрального складу - дугова ксенонова лампа мованості в широкому секторі кутів. надвисокого тиску, причому найкращі характерис 5 Комп’ютерна верстка М. Мацело 13225 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601