Автогенераторний перетворювач індуктивності

Автогенераторний перетворювач індуктивності, що містить перший і другий транзистори та перший і другий колекторні резистори і базовий резистор, в якому емітер першого транзистора з'єднаний з виходом пристрою, а його база з'єдна 3 18472 4 колектором другого транзистора та через перший та вихідного кола до емітера транзистора 1 підкколекторний резистор з емітером, емітер другого лючена роздільна ємність 8. Живлення підключене транзистора з'єднаний з загальною шиною, а його до емітера першого транзистора 1 через обмежубаза з'єднана з колектором першого транзистора, вальний резистор 9. через другий колекторний резистор з загальною Еквівалентна індуктивність, що виникає між шиною та через базовий резистор з'єднана з баемітером і колектором першого транзистора 1 та зою першого транзистора. Між базами першого та еквівалентна індуктивність, яка виникає між емітедругого транзисторів послідовно з базовим резисром та колектором другого транзистора 2 утворютором ввімкнена вимірювальна індуктивність, а ють з резонансною ємністю 7 коливальний контур. між емітером першого транзистора та загальною Зміна вимірювальної індуктивності 6 приводить до шиною ввімкнена резонансна ємність. одночасної зміни еквівалентної індуктивності між Ввімкнення вимірювальної індуктивності посемітером та колектором як першого 1 так і другого лідовно з базовим резистором між базами першо2 транзисторів. В результаті збільшується зсув го та другого транзисторів приводить до одночасчастоти генеруємих коливань при зміні еквіваленного збільшення еквівалентної індуктивності як тної індуктивності. Збільшення зсуву резонансної першого так і другого транзистора. В результаті частоти також обумовлено тим, що еквівалентна відбувається зсув частоти генерації контуру, утвоіндуктивність кожного з транзисторів змінюється реного еквівалентною індуктивністю транзисторів більше при зміні індуктивності 6, ніж при зміні опота резонансною ємністю. Зсув резонансної частоти ру 5 в колі зворотного зв'язку. В результаті чутлипри зміні вимірювальної ємності більше ніж зсув вість перетворювача зростає. частоти, обумовлений зміною опору базового реПристрій працює наступним чином. В початкозистору. Це пояснюється більшою крутизною завому стані транзистори 1 та 2 знаходяться в рележності еквівалентної індуктивності від індуктивжимі відсічки. Збільшення напруги живлення приності в колі бази [див. кн.. Осадчук B.C. водить до збільшення сили струму, який протікає Индуктивный эффект в полупроводниковых причерез колекторний резистор 3, базовий резистор борах. К. - Выща школа. Головное изд-во. 1987. 5, вимірювальну індуктивність 6 та колекторний С.89. Рис.4.12, 4.13]. резистор 4, що приводить, відповідно, до збільНа кресленні зображена схема пропонуємого шення падіння напруги на колекторних резисторах автогенераторного перетворювача індуктивності. 3 і 4. Коли падіння напруги на резисторі 3 або 4 Перетворювач містить перший транзистор 1, дорівнює напрузі на переході база-емітер, то відкдругий транзистор 2, перший колекторний резисривається один з транзисторів (першим завжди тор 3, другий колекторний резистор 4. базовий відкривається той, який має менше значення нарезистор 5, вимірювальну індуктивність 6, резонапруги між базою та емітером). За рахунок дії додансну ємність 7, роздільну ємність 8 та обмежуватного зворотного зв'язку за струмом вмикається льний резистор 9. інший транзистор. Після переходу в лінійний реЕмітер першого транзистора 1 з'єднаний з вижим роботи струм, який протікає в загальному коходом автогенераторного перетворювача індуктилі, перерозподіляється в основному через колеквності. База першого транзистора 1 з'єднана з торні кола транзисторів 1 та 2. Подальше колектором другого транзистора 2, через перший підвищення напруги живлення приводить до того, колекторний резистор 3 з'єднана зі своїм емітером що лише незначна частина струму протікає через та через послідовно включені базовий резистор 5 базовий резистор 5 та вимірювальну індуктивність та вимірювальну індуктивність 6 з базою другого 6. Подальше збільшення струму супроводжується транзистора 2. Емітер другого транзистора 2 з'єдзменшенням падіння напруги на транзисторах 1 і наний з загальною шиною, а його база з'єднана з 2, що приводить до зменшення падіння напруги на колектором першого транзистора 1 та через друколекторному переході. гий колекторний резистор 4 також з'єднана з загаПристрій працює в режимі глибокого насиченльною шиною. Між емітером першого транзистора ня. Подальше зростання струму практично не ві1 і загальною шиною підключена резонансна ємдображується на величині напруги. ність 7. Для розв'язки кола живлення транзисторів 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 18472 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601