Схемотехнічний аналог котушки індуктивності

Схемотехнічний аналог котушки індуктивності, що містить два польові транзистори, витік першого польового транзистора підключено до першого виводу четвертого резистора та до першого виводу четвертого конденсатора, другий вивід четвертого резистора та другий вивід четвертого конденсатора з'єднані зі спільною шиною, стік першого польового транзистора підключено до витоку другого польового транзистора, затвор другого польового транзистора підключено до першого виводу 3 індуктивності, в якому шляхом введення нових елементів та зв'язків досягається збільшення добротності схемотехнічного аналога котушки індуктивності. Поставлена задача вирішується тим, що в аналог котушки індуктивності, що містить два польові транзистори, витік першого польового транзистора підключено до першого виводу четвертого резистора та до першого виводу четвертого конденсатора, другий вивід четвертого резистора та другий вивід четвертого конденсатора з'єднані зі спільним проводом, стік першого польового транзистора підключено до витоку другого польового транзистора, затвор другого польового транзистора підключено до першого виводу першого резистора та до першого виводу першого конденсатора, другий вивід першого резистора та другий вивід першого конденсатора з'єднані зі спільною шиною, стік другого польового транзистора підключено до другого виводу третього резистора та до вихідної клеми, перший вивід третього резистора з'єднано з першим виводом другого резистора, першим виводом третього конденсатора та з клемою живлення, другий вивід другого конденсатора з'єднано з затвором першого польового транзистора, другий вивід третього конденсатора з'єднано зі спільним проводом введено другий конденсатор, перший вивід якого підключено до затвору першого польового транзистора, а другий вивід другого конденсатора підключено до спільної шини. На Фіг.1. наведено схемотехнічний аналог котушки індуктивності. На Фіг.2. наведено схему включення польового транзистора зі спільним витоком та ємнісним навантаженням на вході. На Фіг.3. наведено схему включення польового транзистора зі спільним затвором та індуктивним навантаженням на вході. На Фіг.4. наведено залежність активної та реактивної складової вихідного опору від частоти сигналу для схеми зі спільним витоком. На Фіг.5. наведено залежність активної та реактивної складової вихідного опору від частоти сигналу для схеми зі спільним затвором. На Фіг.6. приведена високочастотна схема схемотехнічного аналога котушки індуктивності. На Фіг.7. наведено графік залежності активної та реактивної складової вихідного опору від частоти сигналу для схемотехнічного аналога котушки індуктивності. Пристрій містить (Фіг.1.): перший резистор 1, перший конденсатор 2, другий резистор 3, другий конденсатор 4, перший польовий транзистор 5, другий польовий транзистор 6, третій резистор 7, третій конденсатор 10, четвертий резистор 8, четвертий конденсатор 9, клему живлення 11, вихідну клему 12, причому перший вивід першого резистора 1 з'єднано з першим виводом першого конденсатора 2 та з затвором другого польового транзистора 6, другий вивід першого резистора 1 з'єднано з другими виводами першого конденсатора 2, другого конденсатора 4, четвертого резистора 8, третього конденсатора 10, четвертого конденсатора 9 13261 4 та з'єднано зі спільною шиною, перший вивід другого конденсатора 4 з'єднано з затвором першого польового транзистора 5 та другим виводом другого резистора 3, перший вивід другого резистора 3 з'єднано з першим виводом третього резистора 7, першим виводом третього конденсатора 10, клемою живлення 11, другий вивід третього резистора 7 з'єднано з витоком другого польового транзистора 6 та вихідною клемою 12, стік першого польового транзистора 5 з'єднано з першим виводом четвертого резистора 8 та першим виводом четвертого конденсатора 9, витік першого польового транзистора 5 з'єднано з стоком другого польового транзистора 6. Пристрій працює наступним чином. Пристрій (Фіг.1.) складається з каскадного з'єднання схеми зі спільним витоком при ємнісному навантаженні між затвором та спільним проводом (Фіг.2.) та схеми зі спільним затвором (Фіг.3). Перший резистор 1, перший конденсатор 2, другий резистор 3, третій резистор 7, третій конденсатор 10, четвертий резистор 8, четвертий конденсатор 9 встановлюють режим роботи схеми по постійному струму. Живлення схеми відбувається при підключенні джерела постійного струму між клемою живлення 11 та спільним проводом. Схема зі спільним витоком є інвертором імітансу, тобто при включенні другого конденсатора 4 між затвором першого польового транзистора 5 та спільним проводом отримаємо індуктивний характер реактивності та активний опір між стоком першого польового транзистора 5 та спільним проводом, тобто схемотехнічний аналог низькодобротної котушки індуктивності з коефіцієнтом добротності близьким до 1. Схема зі спільним затвором на другому польовому транзисторі 6, є конвертором імітансу, тобто при включенні між витоком другого польового транзистора 6 та спільним проводом низькодобротної котушки індуктивності отримаємо між вихідною клемою 12 та спільним проводом індуктивний характер реактивності та негативний активний опір, тобто високодобротний схемотехнічний аналог котушки індуктивності. На Фіг.4. наведено залежність активної та реактивної складової вихідного опору від частоти сигналу для схеми, представленої на Фіг.2. при ємності на вході схеми С1=12пФ. На Фіг.5. наведено залежність активної та реактивної складової вихідного опору від частоти сигналу для схеми, представленої на Фіг.3. при значеннях індуктивності на вході схеми L11=1нГн. На Фіг.6. наведена високочастотна схема схемотехнічного аналога котушки індуктивності, яка реалізована на базі двох польових транзисторів, утворена при каскадному включенні схем на Фіг.2 та Фіг.3. На Фіг.7. наведено графік залежності активної Та реактивної складової вихідного опору від частоти сигналу для схеми, представленої на Фіг.6. при значенні ємності на вході схеми С1=12пФ. З Фіг.6. видно, що реактивний вихідний опір схеми більше 0, тобто є індуктивним, а активний опір менше 0, тобто маємо схемотехнічний аналог котушки індуктивності з високою добротністю. 5 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 13261 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601