Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Генератор надвисокочастотних коливань, який містить з'єднаний із джерелом струму зміщення джозефсонівський перехід, що містить перший і другий надпровідні шари та ізолюючий прошарок, який відрізняється тим, що принаймні один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію.

Текст

Корисна модель належить до галузі надпровідникової надвисокочастотної електроніки та радіотехніки, зокрема, пристроїв з переходом Джозефсона, і найбільш ефективно може бути використаний при виробництві генераторів надвисокочастотних коливань. Відомі пристрої для отримання надвисокочастотних коливань, до складу яких належить перехід Джозефсона типу надпровідник - ізолюючий прошарок манометрових розмірів - надпровідник, що з'єднаний з джерелом струму зміщення [див. кн. С.Ю. Ларкин «Измерение частоты монохроматического СВЧ поля на основе нестационарного эффекта Дзозефсона», Киев, Наукова думка, 1999р. с. 67-227]. Основна вимога, яка висувається до джозефсонівських переходів, які входять в склад подібних генераторів надвисоких частот, - це високі значення добутку IcRN (Ic - критичний струм при нульовій температурі, a RN - опір переходу в нормальному стані), оскільки характерна джозефсонівська частота дорівнює fc=2eVc/h, де характерна напруга Vc=IcRN пропорційна значенню надпровідникової щілини D на внутрішній поверхні електродів. Одержання переходів Джозефсона базується, як правило, на так званій ніобієвій технології: плівка ніобію товщиною біля 300нм осаджується на підкладку (в основному, на добре відполірований сапфір), а потім на неї осаджується тонкий шар алюмінію з товщиною 5-10нм. Після цього плівка алюмінію окислюється для формування тонкого діелектричного шару АlOx з високим потенціальним бар'єром, а зверху напилюється ще один надпровідниковий шар з ніобію. Таким чином, джозефсонівський контакт складається з двох електродів, серед яких нижня плівка є епітаксіальною, в той час як верхня полікристалічна. Проблема існуючої те хнології в створенні переходів Джозефсона для генераторів надвисокочастотних коливань полягає в утворенні шарів оксиду ніобію на поверхні полікристалічної плівки Nb: остання покривається тонкими шарами різних оксидів NbxOy загальною товщиною біля 5нм, що призводить до зменшення надпровідного параметру порядку D на внутрішній поверхні надпровідникового електроду, внаслідок чого зменшується значення характеристичної джозефсонівської частоти fс, а, отже, і всіх інших переваг джозефсонівських переходів порівняно з іншими приладами, які використовуються у високошвидкісній електроніці. Недоліком такого генератору є обмежений діапазон високих частот електромагнітного випромінювання, що генерується. Найближчим за технічною суттю, до генератору надвисокочастотних коливань, що заявляється, є пристрій з переходом Джозефсона [див. патент US №6818918, МКВ HO1L39/22, опубл. 16.11.2004р.]. Пристрій містить джерело струму, перший і другий надпровідні шари, між якими розміщений ізолюючий прошарок, причому джерело струму з'єднане із першим та другим надпровідними шарами. Між ізолюючим шаром та першим і другим надпровідними шарами створений бар'єр із суміші надпровідного та нормального матеріалів, причому концентрація першого з них відмінна від нульової на границі між першим та другим надпровідними шарами. Недоліком вищезазначеного пристрою з переходом Джозефсона є обмежений діапазон високих частот електромагнітного випромінювання, що генерується. В основу корисної моделі поставлено задачу удосконалення конструкції генератору надвисокочастотних коливань з переходом Джозефсона, який мав би більш широкий діапазон високих частот електромагнітного випромінювання, що генерується. Цей технічний результат досягається за рахунок того, що у генераторі надвисокочастотних коливань, який містить з'єднаний із джерелом струму зміщення джозефсонівський перехід, що містить перший і другий надпровідні шари та ізолюючий прошарок, згідно корисної моделі, хоча б один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію. Завдяки нанесенню на надпровідні шари додекаборіду цирконію процес випромінювання джозефсонівською гетероструктурою буде відбуватися наступним чином. У нижньому та вер хньому надпровідних шарах електрони провідності конденсуються в пари з протилежним імпульсом і спином. Енергія конденсації Е визначає різницю між енергіями основного стану у нормальному та надпровідниковому металах. Енергія Е в шарах, що утворюють джозефсонівський контакт, звичайно залежить від координати, маючи найбільше значення в глибині шару і найменше на його поверхні. Особливість ZrB12 полягає в тому, що на відміну від усіх відомих досі матеріалів енергія Е на поверхні даного надпровідника більше відповідної величини всередині додекаборіду цирконію. Додана до джозефсонівського переходу напруга V зміщує енергії конденсації на поверхнях верхнього і нижнього шарів, що примикають до ізольованого прошарку, Е1 та Е2, відповідно, на величину 2eV, тобто, E1-E2=2e V. Електронна пара тунелює квантовомеханічним чином із одного електроду в другий, та при цьому, знижує свою енергію на 2eV. Оскільки загальна енергія системи повинна зберігатися, то такий процес супроводжується випромінюванням фотону з частотою f, що визначається співвідношенням hf=2eV=E1-E2, де h - постійна Планка. Якщо значення Е1 та Е2 подавлені у порівнянні з об'ємними величинами, як це має місце у випадку ніобію або високотемпературних надпровідникових металооксидів, то, відповідно, падає й частота електромагнітного випромінювання. В тому випадку, коли, хоча б, один з електродів виконаний з додекаборіду цирконію, різниця Е1Е2 зростає і, значить, частота, що випромінюється, росте. Сутність корисної моделі пояснюється кресленнями, де: на Фіг.1 - представлена схема генератора надвисокочастотних коливань; на Фіг.2 - представлена вольт-амперна характеристика контакту, створеного інжектором із золота та монокристалом додекаборіду цирконію при температурі 4,2К. Генератор надвисокочастотних коливань з переходом Джозефсона, що заявляється, (Фіг.1) містить перший надпровідний шар 1, ізолюючий шар 2, другий надпровідний шар 3, джерело струму зміщення 4, яке з'єднане з першим та другим надпровідними шарами, при цьому, хоча б один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію. Генератор надвисокочастотних коливань працює наступним чином: Джерело струму 4 подає електричну напругу на джозефсонівський перехід, який виступає в ролі конвертора постійного струму у електромагнітне надвисокочастотне випромінювання. Останнє далі спрямовується у потрібному напрямку за допомогою стандартного хвилеводного уста ткування. При використанні в якості джозефсонівського переходу для НВЧ генератору переходу з додекаборідом цирконію ZrB12 з надпровідною критичною температурою Тс=6,03К в якості щонайменше одного надпровідного шару енергія конденсації електронів Е, а також надпровідний параметр порядку D не зменшуються, а, навпаки, збільшуються на поверхні. За допомогою скануючого тунельного мікроскопу при температурі 4,2К були виміряні вольт-амперні характеристики контакту, утвореного монокристалом додекаборіду цирконію та інжектором. Перша похідна від типової вольт-амперної характеристики такого контакту зображена на Фіг.2 суцільною лінією, у той час, як пунктирна крива - це теоретична залежність. Положення піку в першій похідній дає значення параметру порядку при 4,2К, яке було рівним 0,97меВ. Беручи до уваги температурну залежність параметру порядку D, визначаємо, що при нульовій температурі T=0 його поверхневе значення дорівнює D(T=0)=D0=1,22меВ. Крім того, виміряли об'ємні магнітні властивості цього матеріалу, а саме, критичне магнітне поле Н с(T) як функцію температури Т і використали рівняння: Tc é dHc (T )ù D0 = - kB Tc Hc (0) ê dT ú T =Tc ë û , де: D0 - параметр порядку при нульовій температурі; kB - стала Больцмана; Тс - критична температура надпровідного переходу; Нс(0) - критичне магнітне поле при нульовій температурі; dHc(T)/dT - температурно залежна похідна критичного магнітного поля по температурі; Т - температура. Визначене таким чином об'ємне значення параметру порядку при нульовій температурі становить 0,92меВ. Похибка у поверхневому значенні D0 (за нашими оцінками) становить не більше ніж 5 процентів, похибка у відповідній об'ємній величині - не більше ніж 10 процентів. Одержана експериментально різниця між двома величинами перевищує максимальну похибку і свідчить про те, що ми дійсно маємо справу з сильно збільшеною на поверхні надпровідністю в ZrB12. Генератор надвисокочастотний коливань, що заявляється, може знайти широке застосування в галузі надпровідникової НВЧ електроніки та радіотехніки, зокрема, пристроїв з переходом Джозефсона, і найбільш ефективно може бути використаний при виробництві генераторів надвисокочастотних коливань.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microwave oscillator

Автори англійською

Larkin Serhii Yuriiovych, Biloholovskyi Mykhailo Oleksanrovych

Назва патенту російською

Генератор сверхвысокочастотных колебаний

Автори російською

Ларкин Сергей Юрьевич, Билоголовский Михаил Александрович

МПК / Мітки

МПК: H01L 39/22, H01L 39/12

Мітки: генератор, коливань, надвисокочастотних

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-22443-generator-nadvisokochastotnikh-kolivan.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Генератор надвисокочастотних коливань</a>

Подібні патенти