Білоголовський Михайло Олександрович

Номер патенту: 99653

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Руденко Едуард Михайлович, Залуцький Марко Володимирович

МПК: H01C 10/08, G01K 11/06

Мітки: надпровідника, термометр, основі, низькотемпературний, резистивний, високотемпературного

Формула / Реферат:

Низькотемпературний резистивний термометр на основі високотемпературного надпровідника, що містить тришарову структуру (тунельний перехід), утворену двома металевими плівками - нормальною і надпровідною, між якими знаходиться надтонкий шар ізолятора товщиною близько двох нанометрів, який відрізняється тим, що надпровідна плівка є високотемпературним надпровідником з d-хвильовою симетрією параметра порядку, орієнтованим так, що нормаль до...

Номер патенту: 86869

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Шаповалов Андрій Петрович, Хачатурова Тетяна Олександрівна, Василенко Олександр Валентинович, Білоголовський Михайло Олександрович, Пріхна Тетяна Олексіївна

МПК: G11C 11/00

Мітки: створення, спосіб, джерела, спін-поляризованих, електронів

Формула / Реферат:

Спосіб створення джерела спін-поляризованих електронів, що включає послідовне нанесення на феромагнітний металевий інжектор спін-поляризованих електронів спочатку - фільтра спін-поляризованих електронів, потім - прошарку надтонкої плівки діелектрику та, нарешті - металевого детектора спін-поляризованих електронів, який відрізняється тим, що фільтр спін-поляризованих електронів виготовляють нанесенням на інжектор послідовно прошарку надтонкої...

Номер патенту: 91405

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Пермяков Віталій Васильович, Білоголовський Михайло Олександрович, Москаленко Михайло Андрійович

МПК: H01L 29/94

Мітки: пам'яті, запису, довільним, доступом, резистивний, спосіб, зчитування, інформації

Формула / Реферат:

Спосіб запису та зчитування інформації в резистивній пам'яті з довільним доступом, який полягає в тому, що для запису та зчитування інформації на мемристори - комірки резистивної пам'яті, подають електричні імпульси, який відрізняється тим, що подають імпульси струму від джерела струму для запису інформації на мемристори - комірки резистивної пам'яті, а для зчитування інформації з мемристора - комірки резистивної пам'яті, подають два...

Номер патенту: 40781

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Москаленко Михайло Андрійович, Білоголовський Михайло Олександрович, Бойло Ирина Вікторівна

МПК: G01R 33/00, G01B 7/00

Мітки: зберігання, інформації, пам'яті, чарунка, запису, зчитування, однобітової

Формула / Реферат:

Чарунка пам'яті для запису, зберігання і зчитування однобітової інформації, що включає плівку манганіту, яка відрізняється тим, що плівка манганіту виконана наноструктурованою з розміром гранул від 10 до 50 нм.

Номер патенту: 38372

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Пермяков Віталій Васильович, Москаленко Михайло Андрійович, Білоголовський Михайло Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: запису, інформації, зчитування, пам'яті, доступом, спосіб, резистивний, довільним

Формула / Реферат:

1. Спосіб запису та зчитування інформації в резистивній пам'яті з довільним доступом, який полягає в тому, що для запису та зчитування інформації на комірки-мемристори резистивної пам'яті подають електричні імпульси, який відрізняється тим, що на комірки резистивної пам'яті подають імпульси струму від джерела струму, а збережену в комірці пам'яті інформацію визначають по напрузі на мемристорі.2. Спосіб запису та зчитування інформації в...

Номер патенту: 36423

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Хачатуров Олександр Йосипович, Хачатурова Тетяна Олександрівна, Білоголовський Михайло Олександрович

МПК: H01B 1/02

Мітки: хвиль, електромагнітних, генератор

Формула / Реферат:

Генератор електромагнітних хвиль, що містить джерело живлення постійної напруги, два провідних шари і шар із забороненою зоною, розміщений між ними, який відрізняється тим, що два провідні шари виконані із металу, шар із забороненою зоною товщиною від 1 до 3 нм виконаний із діелектрика, при цьому два провідних шари розміщені таким чином, що відстань рівня Фермі електронів у них при нульовій напрузі до дна зони провідності більше відстані від...

Номер патенту: 36420

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Пермяков Віталій Васильович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/24

Мітки: неруйнівного, контролю, інтерферометром, спосіб, надпровідника, високотемпературним, надпровідниковим

Формула / Реферат:

1. Спосіб неруйнівного контролю надпровідника високотемпературним надпровідниковим інтерферометром, що включає збудження в плівці магнітних вихрів Абрікосова, полюси яких розташовані на поверхнях плівки, і зчитування їх положення шляхом сканування датчиком, який відрізняється тим, що зовнішнім впливом наводять у плівці задану структуру (зображення) тимчасових центрів пінінгу вихрів, вводять в плівку кількість магнітних вихрів, що перевищує...

Номер патенту: 22443

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Мітки: коливань, генератор, надвисокочастотних

Формула / Реферат:

Генератор надвисокочастотних коливань, який містить з'єднаний із джерелом струму зміщення джозефсонівський перехід, що містить перший і другий надпровідні шари та ізолюючий прошарок, який відрізняється тим, що принаймні один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію.