H01L 39/12 — характеризуються матеріалом

Номер патенту: 94369

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Бабич Орест Йосипович, Васюк Микола Миколайович, Луців Роман Васильович, Габрієль Ігор Ігоревич, Морозов Леонід Михайлович, Бойко Ярослав Васильович, Матвіїв Мирон Васильович

МПК: C01G 13/00, C01G 1/02, C01G 3/02 ...

Мітки: високотемпературних, спосіб, нg-вмісних, отримання, надпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб отримання Hg-вмісних високотемпературних надпровідників, за яким наважують складові компоненти, перемішують та спікають суміш, отриманий матеріал прожарюють у атмосфері ртуті та кисню, який відрізняється тим, що наважують складові карбонати ВаСО3, СаСО3 та оксид CuO в стехіометричному співвідношенні 2:2:3, суміш пресують під тиском 103 атм і отримують таблетки d=12 мм, h=4 мм, які плавлять електричною дугою в режимі автотигля в...

Номер патенту: 22443

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Мітки: коливань, надвисокочастотних, генератор

Формула / Реферат:

Генератор надвисокочастотних коливань, який містить з'єднаний із джерелом струму зміщення джозефсонівський перехід, що містить перший і другий надпровідні шари та ізолюючий прошарок, який відрізняється тим, що принаймні один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію.

Номер патенту: 29037

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Зеленева Оксана Геннадіївна, Приседський Вадим Вікторович

МПК: C01G 1/00, H01L 39/12

Мітки: надпровідникових, регулювання, оксидних, матеріалах, складу, спосіб, кисню

Формула / Реферат:

Спосіб регулювання складу кисню в оксидних надпровідникових матеріалах, що включає відновлення оксидних надпровідникових матеріалів воднем, який відрізняється тим, що відновлення ведуть у середовищі метанолу, утримуючий тетрахлорид титану та металевий алюміній у такому мольному співвідношенні:СН3ОН : ТiСl4 : Аl = (0,05-0,82) : (0,004-0,01) : (0,06-0,07)в умовах атмосферного тиску в інтервалі температур (15-50)°С протягом (15-90)...

Номер патенту: 18731

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Петрусенко Ала Іванівна, Буряк Валентин Порфірійович, Дугадко Олександр Борисович

МПК: H01B 12/00, H01L 39/12

Мітки: композитний, надпровідник, умов, нестаціонарних

Формула / Реферат:

Композитный сверхпроводник для нестационарных условий, содержащий в оболочке из нормально проводящего металла сверхпроводящие и стабилизирующие нормально проводящие конструктивные элементы, равновеликие по площади и имеющие форму геометрически правильных фигур, отличающийся тем, что в качестве конструктивного сверхпроводящего элемента использована сверхпроводящая нить, заключенная в оболочку из нормально проводящего металла с удельным...

Номер патенту: 19993

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Демірська Ольга Вікторівна, Семиноженко Володимир Петрович, Хайлова Олена Генадіївна, Чергінець Віктор Леонідович, Іщук Валерій Максимович, Боярчук Тетяна Павлівна

МПК: C23C 28/02, C23C 18/00, H01L 39/12 ...

Мітки: високотемпературного, спосіб, одержання, покриття, надпровідного

Формула / Реферат:

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящегопокрытия, предусматривающий приготовление исходного раствора солей металлов-компонентов высокотемпературного сверхпроводящего соединения и многоосновных органических кислот в многоатомном спирте, нанесение его на подложку с последующим термическим разложением нанесенного слоя и отжигом, отличающийся тем, что исходный раствор готовят смешиванием водного раствора нитратов...

Номер патенту: 18067

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Кузнецов Геннадій Васильович, Стріха Віталій Ілларіонович, Білоусов Ігор Володимирович, Ільченко Василь Васильович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Мітки: кремнії, виготовлення, плівки, надпровідної, спосіб, оксидної

Формула / Реферат:

Способ изготовления сверхпроводящей оксидной пленки на кремнии, предусматривающий предварительное формирование на поверхности кремниевой подложки буферного слоя с последующим нанесением на него сверхпроводящей пленки, отличающийся тем, что буферный слой формируют путем нанесения на поверхность кремниевой подложки слоя оксида бария с последующей выдержкой при температуре 730-750°С в течение 1,5-2 часов.

Номер патенту: 5753

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Тихинський Генадій Пилипович, Яровой Володимир Григорович, Петренко Віктор Тимофійович, Пугачов Микола Семенович, Трет'яков Віталій Михайлович

МПК: H01L 39/12

Мітки: добавками, спосіб, втнп, металів, одержання, кераміки

Формула / Реферат:

(57) Способ получения ВТСП керамики с добавками металлов, включающий введение металлов в порошки материалов ВТСП керамики через раствор, отличающийся тем, что в качестве раствора используют растворы солей металлов неорганических кислот, смешивают с ними порошки материалов ВТСП керамик до образования пастообразной массы, нагревают эту массу до удаления растворителя, затем охлаждают до комнатной температуры и прессуют при давлениях, не...

Номер патенту: 2291

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Левандовський Всеволод Всеволодович, Левченко Олександр Олександрович, Галушко Любов Володимирівна, Дякін Віктор Васильович, Возний Петро Олексійович, Чуйко Олексій Олексійович, Горбик Петро Петрович, Огенко Володимир Михайлович, Янчевський Леонід Казимирович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Мітки: матеріалу, надпровідникового, спосіб, одержання, високотемпературного, виробів

Формула / Реферат:

Способ получения изделий из высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий смешивание .порошка сверхпроводящего материала и полимера с последующим прессованием, отличающийся тем, что в качестве порошка сверхпроводящего материала используют порошок состава (РbхВі1-х)2Са2Sr2Сu3Оу. в качестве полимера используют полихлорт-рифторэтйлен в количестве 10-25% от массы композиции, а прессование ведут gри температуре 503-523 К и давлении...