H01L 39/22 — прилади з переходом між різними матеріалами, наприклад прилади з використанням ефекту Джозефсона

Номер патенту: 114924

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Шаповалов Андрій Петрович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: точки, бар'єри, гібридного, квантові, заряду, транспортом, створення, тунельного, спосіб, переходу

Формула / Реферат:

Спосіб створення гібридного тунельного переходу, що включає створення на діелектричній підкладці металевої плівки нижнього електрода шару першого бар'єру із ізолятора певної товщини (h1~0¸10 нм), шару матеріалу, що забезпечує транспорт заряду в бар'єрі через квантові точки, шару другого бар'єру та верхнього електрода, який відрізняється тим, що шар матеріалу, що забезпечує транспорт заряду в бар'єрі через квантові точки, виконують як...

Номер патенту: 104982

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Антон Володимирович, Шатернік Володимир Євгенович, Шаповалов Андрій Петрович, Новіков Микола Васильович

МПК: H01L 39/22

Мітки: переходу, створення, спосіб, джозефсона

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, шару бар'єра у вигляді аморфної напівпровідникової плівки кремнію, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту...

Номер патенту: 86442

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шаповалов Андрій Петрович, Шатернік Антон Володимирович, Новіков Микола Васильович, Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/00, H01L 39/22

Мітки: створення, джозефсона, переходу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту заряду, а як матеріал верхнього електрода використовують...

Номер патенту: 84867

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 39/22

Мітки: магнетометра, надпровідникового, контакт, змінних, джозефсонівський, реєстрації, полів, багатошаровий, електромагнітних

Формула / Реферат:

Джозефсонівский багатошаровий контакт надпровідного магнітометра для реєстрації змінних електромагнітних полів, який містить розміщений на ізолюючій підкладці нижній електрод, виконаний з надпровідників, і послідовно розміщені на ньому шар ненадпровідного металу, плівку ізолятора і верхній надпровідний електрод, який відрізняється тим, що між плівкою ізолятора і верхнім надпровідним електродом розміщується додатковий шар ненадпровідного...

Номер патенту: 73331

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Горб Василь Миколайович, Шатернік Володимир Євгенович, Мірошніков Анатолій Миколайович

МПК: H01L 39/22

Мітки: переходу, елемент, надпровідникового, джозефсона

Формула / Реферат:

Елемент надпровідникового переходу Джозефсона, що включає нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єра, верхній електрод, утворений надпровідником, який відрізняється тим, що на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єра, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електроду, шар надпровідника, що лежить на нижньому...

Номер патенту: 23680

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/22

Мітки: ланцюжковий, вентиль, надпровідниковий

Формула / Реферат:

Надпровідниковий ланцюжковий вентиль, що містить діелектричну підкладку, на яку послідовно нанесені шар надпровідника, шар діелектрика, на якому розміщений П-подібної форми ланцюжок послідовно з'єднаних переходів Джозефсона, на один край якого нанесена плівка діелектрика, на яку послідовно нанесені плівка магнітожорсткого феромагнетика, плівка діелектрика, плівка магнітом'якого феромагнетика, плівка діелектрика, і над якими розташована смужка...

Номер патенту: 22453

Опубліковано: 25.04.2007

Автор: Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: надслабкої, надпровідності, перехід, джозефсона, ефектом

Формула / Реферат:

Перехід Джозефсона з ефектом надслабкої надпровідності, що містить підкладку, на якій знаходяться перший та другий надпровідні шари, розділені шаром діелектрика, який відрізняється тим, що підкладка є пластиною із кремнію, на який нанесений шар діелектрика, причому перший шар надпровідника має на поверхні тонкий шар товщиною в кілька атомних шарів з істотно заглушеною надпровідністю.

Номер патенту: 22443

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/22, H01L 39/12

Мітки: генератор, надвисокочастотних, коливань

Формула / Реферат:

Генератор надвисокочастотних коливань, який містить з'єднаний із джерелом струму зміщення джозефсонівський перехід, що містить перший і другий надпровідні шари та ізолюючий прошарок, який відрізняється тим, що принаймні один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію.

Номер патенту: 2358

Опубліковано: 16.02.2004

Автор: Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: вентиль, надпровідниковий

Формула / Реферат:

Надпровідниковий вентиль, що містить діелектричну підкладку, на яку послідовно нанесені шар надпровідника, шар діелектрика, на якому розміщена П-подібної форми смужка надпровідника, посередині якої нанесена плівка діелектрика, на якій послідовно нанесені плівка магнітожорсткого феромагнетику, плівка діелектрика, плівка магнітом'якого феромагнетику, над якими розташована ізольована смужка надпровідника, що перетинає їх, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 33068

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Кісілюк Олександр Олексійович, Погоричний Олексій Борисович, Коваленко Олександр Володимирович, Мойсеєв Володимир Констянтинович

МПК: H01L 39/22, H01P 5/00, H01Q 23/00 ...

Мітки: джозефсона, переходом, нвч, надширокосмуговий, пристрій

Текст:

...звужується по довжині, виконана на полімерній, наприклад, полпмідніи, плівці, електри чна товщина якої значно менше чверті довжини найкоротшої робочої електромагнітної хвилі, та всіановлена у порожнині навантаження вздовж його осі таким чином, що кінець плівки з виводами аніени проходить крізь отвір у вершині порожнини та притиснутий до зовнішньої площинної поверхні навантаження, в якій є поздовжня канавка, що має переріз більший, ніж...

Номер патенту: 25372

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шатерник Володимир Евгенович, Руденко Едуард Михайлович

МПК: H01L 39/22

Мітки: hадпровідhиковий, траhзистор

Формула / Реферат:

Сверхпроводниковый транзистор, содержащий подложку с нанесенной пленкой сверхпроводника, электрод затвора из металла, размещенный над сверхпроводником на изолирующей прослойке, отличающийся тем, что на слой металла затвора нанесен слой диэлектрика и инжектирующий сверхпроводниковый слой, между инжектирующим сверхпроводниковым слоем и слоем металла затвора создается электрическое поле, а источник тока подключен и пленке сверхпроводника.

Номер патенту: 17096

Опубліковано: 18.03.1997

Автор: Мойсеєв Володимир Констянтинович

МПК: H01P 5/00, H01L 39/22

Мітки: пристрій, hадвисокочастотhий, переходом, джозефсоhа

Формула / Реферат:

Сверхвысокочастотное устройство с переходом Джозефсона, содержащее волно-водный блок с плоским выходным фланцем и заниженным выходным сечением, включающий преобразователь мод распространения подводящего волновода и понижающий СВЧ трансформатор импеданса, а также интегральную микросхему на диэлектрической подложке, на которой выполнен собственно переход Джозефсона с пленочными выводами и проводниками фильтров нижних частот цепей смещения, и...