Ларкін Сергій Юрійович

Номер патенту: 93890

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: G01R 17/00, G01R 27/00

Мітки: нвч-контролю, твердотільних, електрофізичних, структур, параметрів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для НВЧ-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур, що містить НВЧ-генератор, резонаторний зонд, керований за допомогою комп'ютера предметний столик, генератор модульованої частоти F, з'єднаний з пов'язаними зі спрямованим відгалужувачем двома синхронними детекторами, вихід першого з яких, що працює на частоті F, пов'язано з комп'ютером та НВЧ-генератором, а вихід другого, що працює на частоті 2F, з'єднано з...

Номер патенту: 85049

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Носенко Віктор Костянтинович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Неймаш Володимир Борисович, Кабалдін Олександр Миколайович, Порошин Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/00, C23C 16/00, H01L 31/00 ...

Мітки: аморфно-кристалічного, отримання, основі, плівок, кремнію, елементів, сонячних, нанокомпозиту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок аморфно-кристалічного нанокомпозиту на основі кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію із газової фази на гнучкі не тугоплавкі підкладки, який відрізняється тим, що плівки кремнію легують високочистими домішками олова та вуглецю у певних вагових пропорціях при виготовленні порошкової суміші, яку переводять у газову фазу термічним випаровуванням у вакуумі.

Номер патенту: 84867

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/22

Мітки: контакт, надпровідникового, багатошаровий, реєстрації, електромагнітних, магнетометра, джозефсонівський, полів, змінних

Формула / Реферат:

Джозефсонівский багатошаровий контакт надпровідного магнітометра для реєстрації змінних електромагнітних полів, який містить розміщений на ізолюючій підкладці нижній електрод, виконаний з надпровідників, і послідовно розміщені на ньому шар ненадпровідного металу, плівку ізолятора і верхній надпровідний електрод, який відрізняється тим, що між плівкою ізолятора і верхнім надпровідним електродом розміщується додатковий шар ненадпровідного...

Номер патенту: 83558

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Верба Ігор Едуардович, Ларкін Сергій Юрійович, Ларкін Дмитро Сергійович

МПК: A61K 9/00, A61K 31/00

Мітки: вітамінний, препарат

Формула / Реферат:

1. Вітамінний препарат, що містить вітамінізуючу складову, бета-каротин (провітамін А), поверхнево-активну речовину (ПАР), воду, який відрізняється тим, що додатково містить залізо (Fe) або цинк (Zn), при наступному співвідношенні, мас. %: вітамінізуюча складова 0,01-15,0 бета-каротин (провітамін А) 0,5-7,0 поверхнево-активна речовина ...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H04N 5/257

Мітки: електрофізичних, структур, контролю, скануючий, параметрів, мікрохвильовий, мікроскоп, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Номер патенту: 74303

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 31/12, H01Q 13/00, H05B 3/20 ...

Мітки: світлодіодний, випромінювач

Формула / Реферат:

1. Світлодіодний випромінювач, що містить послідовно встановлені вдовж оптичної осі модуль із Μ ³ 2 твердотільних чипів з різними довжинами хвиль випромінювання, оптичний змішувач і збиральну лінзу, який відрізняється тим, що оптичний змішувач складено із М-1 об'ємних фазових дифракційних ґраток з просторовою модуляцією показника заломлення m -й ґратки з періодом d :

Номер патенту: 73341

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович, Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 31/052, H01L 31/18, C23C 16/22 ...

Мітки: спосіб, сонячного, отримання, структури, елемента, епітаксійної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента на основі GalnP/GaAs з двома р-n переходами із газової фази, яка містить, як елементи третьої і п'ятої груп, триметилгалій (TMGa), триметилалюміній (ТМА1), арсин (АН3) та фосфін (РН3), а як донорні та акцепторні домішки - силан (SiH4) та діетилцинк (DEZn), який відрізняється тим, що формування твердого розчину pAlxGa1-xAs, легованого цинком із наростаючою шириною забороненої зони до...

Номер патенту: 73331

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Мірошніков Анатолій Миколайович, Шатернік Володимир Євгенович, Горб Василь Миколайович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/22

Мітки: джозефсона, надпровідникового, переходу, елемент

Формула / Реферат:

Елемент надпровідникового переходу Джозефсона, що включає нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єра, верхній електрод, утворений надпровідником, який відрізняється тим, що на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єра, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електроду, шар надпровідника, що лежить на нижньому...

Номер патенту: 72966

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Золот Анатолій Іванович, Галстян Геворк Гакікович, Ходаковський Микола Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: продуктивністю, структур, наноелектронних, керування, пристрій, формування

Формула / Реферат:

Пристрій керування продуктивністю формування наноелектронних структур, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока сканування зонда, вихід блока сканування зонда з'єднаний з входом блока реєстрації відхилень зонда, вхід-вихід блока реєстрації відхилень зонда зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що містить блок керування скануванням...

Номер патенту: 72667

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Форш Павєл Анатольєвіч, Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00, C23C 16/00 ...

Мітки: спосіб, аморфного, сонячних, плівок, кремнію, елементів, отримання, наноструктурованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованих плівок аморфного кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію на підкладку із газової фази, який відрізняється тим, що плівки аморфного кремнію освітлюють випромінюванням фемтосекундного лазера на основі калій-гадолінієвого вольфрамату ітербію або титан-сапфіру.

Номер патенту: 65114

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Гордієнко Юрій Омелянович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01J 37/27

Мітки: мікроскоп, мікрохвильовий, скануючий

Формула / Реферат:

1. Скануючий мікрохвильовий мікроскоп, що містить НВЧ генератор, резонатор, детектор, блок обробки інформації, який відрізняється тим, що до резонатора, який виготовлений у формі циліндра, приєднаний коаксіальний вивід, в якому центральний провідник встановлений паралельно осі резонатора.2. Скануючий мікрохвильовий мікроскоп за п. 1, який відрізняється тим, що резонатор і коаксіальний вивід виготовлені із твердого діелектрика у формі...

Номер патенту: 64687

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Вовченко Людмила Леонтіївна, Лаунець Вілієн Львович, Козаченко Віктор Васильович, Олійник Віктор Валентинович, Ларкін Сергій Юрійович, Мацуй Людмила Юрівна

МПК: H05K 9/00

Мітки: захисту, пристрій, електромагнітного, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для захисту від електромагнітного випромінювання (ЕМВ), що містить покриття, яке накладається на поверхню об'єкта, який захищається від ЕМВ, та яке складається із низки шарів (не менше п'яти) із поглинаючих матеріалів однакової товщини, коефіцієнт поглинання кожного з яких збільшується лінійно від першого - непоглинаючого шару, до останнього - з максимальним поглинанням, який відрізняється тим, що покриття, яке накладається на...

Номер патенту: 62412

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Новіков Євген Іванович, Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Галстян Георгій Георгійович, Золот Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: пристрій, наноструктур, зондового, анодного, окислення

Формула / Реферат:

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...

Номер патенту: 59509

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Ларкін Наталія Володимирівна

МПК: G09F 23/10, G06F 17/00

Мітки: реалізації, стимулювання, продукції, процесу, друкованої, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимулювання процесу реалізації друкованої продукції, зокрема літературного твору, на ринку, який включає зашифровування певного елемента інформації та розміщення його на сторінках літературного твору, розшифрування його та отримання винагороди за умови правильного розшифрування, який відрізняється тим, що додатково на кожний примірник літературного твору, на сторінках якого зашифрована певна інформація, наносять індивідуальне...

Номер патенту: 57236

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Ларкін Наталія Володимирівна, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: A63G 33/00, A63F 3/08

Мітки: спосіб, мережі, розіграшу, інтернет, проведення, призів

Формула / Реферат:

1. Спосіб проведення розіграшу цінних призів в мережі Інтернет, який включає нанесення на паперовий носій основної зашифрованої інформації та, за умови її відповідності розшифрованій інформації, визначення переможця розіграшу, який відрізняється тим, що додатково на паперовий носій наносять ідентифікаційну інформацію, на підставі якої учасник розіграшу через периферійний пристрій в мережі Інтернет вводить та передає до центрального процесора...

Номер патенту: 53361

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Мірошніков Анатолій Миколайович, Горб Василь Миколайович

МПК: G01R 29/08, G01R 23/00

Мітки: сигналів, пристрій, діапазонах, безперервних, частоти, субміліметровому, автоматичного, визначення, імпульсно-модульованих, довжини, хвиль, міліметровому

Формула / Реферат:

Пристрій для автоматичного визначення частоти безперервних та імпульсно-модульованих сигналів у міліметровому та субміліметровому діапазонах довжини хвиль, що включає послідовно включені вхідний хвилевідний НВЧ тракт, низькотемпературний приймач на основі матриці з N надпровідних переходів Джозефсона як функції змінного параметра, малошумкий підсилювач сигналів матриці, аналого-цифровий та цифро-аналоговий перетворювачі, пристрій обробки та...

Номер патенту: 90571

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Золот Анатолій Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович, Ходаковський Микола Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: пристрій, формуванням, наноелектронних, керування, структур

Формула / Реферат:

Пристрій керування формуванням наноелектронних структур, який містить блок керування параметрами пристрою, вхід якого є входом пристрою, а вихід з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, другий вихід блока керування параметрами пристрою з'єднаний з входом блока сканування вістрям структури, вихід блока сканування вістрям структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вихід блока керування тунельним струмом...

Номер патенту: 42435

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Ларкін Сергій Юрійович, Карпінський Константин Борисович, Русанов Анатолій Григорьєвич, Мержвинський Павло Анатолійович, Воронько Андрій Олександрович, Мержвинський Анатолій Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: лазерів, тестування, драйвером, світлодіодів, пристрій, змінним

Формула / Реферат:

1. Пристрій зі змінним драйвером для тестування лазерів та світлодіодів, який містить модулятор, перший вхід якого є входом даних, джерело напруги зміщення, джерело струму зміщення, вихід якого з'єднаний з виходом модулятора, схему корекції струму зміщення, схему контролю лазера, перший вхід якої з'єднаний з входом схеми корекції, блок тестового випромінювача, електричний вхід якого з'єднаний з виходом модулятора, перший електричний вихід...

Номер патенту: 41229

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Воронько Андрій Олександрович, Голяка Роман Любомирович, Ларкін Сергій Юрійович, Михащук Юрій Сергійович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/28

Мітки: точками, спосіб, кристалізації, лазерних, гетероструктур, квантовими

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.

Номер патенту: 40992

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Пермяков Віталій Васильович, Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G01B 7/00, G01R 33/02

Мітки: тришарових, гетероструктур, базі, надпровідниковий, кубіт

Формула / Реферат:

Надпровідниковий кубіт, що містить діелектричну підкладку, на якій розташовано надпровідну петлю, який відрізняється тим, що до надпровідної петлі додатково введено принаймні одну тришарову гетероструктуру, що містить нижній шар надпровідника, неоднорідний тонкоплівковий діелектричний бар'єр із оптимізованою функцією розподілу прозоростей в ньому, а також верхній шар надпровідника, перший вивід надпровідної петлі приєднаний до нижнього шару...

Номер патенту: 40936

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Злобін Сергій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G01B 5/00, G01B 11/08

Мітки: мікроскопа, модуль, скануючого, багатозондовий

Формула / Реферат:

Багатозондовий модуль для скануючого мікроскопа, що містить касету із зондами, з'єднану із приводом обертання, закріпленим на основі, зв'язаний із приводом обертання трубчастий п'єзосканер, що містить фланець та одним кінцем закріплений на основі, при цьому касета виконана у вигляді набору кронштейнів із зондами, виконаних у вигляді кварцових резонаторів з вістрями та установлених на фланці з можливістю руху відносно нього й взаємодії зі...

Номер патенту: 40881

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Ковтун Геннадій Прокопович, Бутько Віктор Григорович, Пермяков Віталій Васильович

МПК: G01R 33/035, G01T 1/00, C23C 14/06 ...

Мітки: детектор, надпровідний, однофотонний

Формула / Реферат:

Надпровідний однофотонний детектор, що містить діелектричну підкладку, на якій розміщений чутливий елемент, виконаний у вигляді надпровідної смуги, наприклад, з нітриду ніобію, підключеної до зовнішнього джерела струму зсуву, який відрізняється тим, що чутливий елемент додатково містить надпровідні смуги, при цьому всі смуги чутливого елемента розміщені між собою паралельно, із зазором менш ніж 200 нм, кожна із смуг чутливого елемента...

Номер патенту: 40781

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Бойло Ирина Вікторівна, Білоголовський Михайло Олександрович, Москаленко Михайло Андрійович

МПК: G01B 7/00, G01R 33/00

Мітки: однобітової, інформації, запису, чарунка, зберігання, пам'яті, зчитування

Формула / Реферат:

Чарунка пам'яті для запису, зберігання і зчитування однобітової інформації, що включає плівку манганіту, яка відрізняється тим, що плівка манганіту виконана наноструктурованою з розміром гранул від 10 до 50 нм.

Номер патенту: 40277

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: n-gan, спосіб, шарів, виготовлення, омічних, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до n-GaN, що включає послідовне напилення шарів Ті, Аl на нагріту до 150-200 °С плівку n-GaN та їх термовідпал при температурі 890-910 °С протягом 30-90 секунд і наступне напилення шарів ТіВх, Аu, який відрізняється тим, що на поверхню шару Аl перед напиленням шару ТіВх наносять шар Yb товщиною від 7 нм до 13 нм.

Номер патенту: 39552

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Золот Анатолій Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Ходаковський Микола Іванович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: мікроскопі, структур, атомно-силової, основі, електростатичних, виготовлення, сіль, еталонних, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення еталонних структур на основі атомно-силової мікроскопії електростатичних сил, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід зв'язаний з входом блока прецизійного контролю форми верхівки вістря зонда, другий вихід блока керування параметрами зв'язаний з входом блока сканування вістряної структури, вихід блока сканування вістряної структури з'єднаний з входом блока прецизійного контролю...

Номер патенту: 36423

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Хачатурова Тетяна Олександрівна, Ларкін Сергій Юрійович, Білоголовський Михайло Олександрович, Хачатуров Олександр Йосипович

МПК: H01B 1/02

Мітки: генератор, хвиль, електромагнітних

Формула / Реферат:

Генератор електромагнітних хвиль, що містить джерело живлення постійної напруги, два провідних шари і шар із забороненою зоною, розміщений між ними, який відрізняється тим, що два провідні шари виконані із металу, шар із забороненою зоною товщиною від 1 до 3 нм виконаний із діелектрика, при цьому два провідних шари розміщені таким чином, що відстань рівня Фермі електронів у них при нульовій напрузі до дна зони провідності більше відстані від...

Номер патенту: 36420

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Пермяков Віталій Васильович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/24

Мітки: спосіб, контролю, надпровідниковим, надпровідника, інтерферометром, неруйнівного, високотемпературним

Формула / Реферат:

1. Спосіб неруйнівного контролю надпровідника високотемпературним надпровідниковим інтерферометром, що включає збудження в плівці магнітних вихрів Абрікосова, полюси яких розташовані на поверхнях плівки, і зчитування їх положення шляхом сканування датчиком, який відрізняється тим, що зовнішнім впливом наводять у плівці задану структуру (зображення) тимчасових центрів пінінгу вихрів, вводять в плівку кількість магнітних вихрів, що перевищує...

Номер патенту: 36419

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Пермяков Віталій Васильович, Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G11C 11/00

Мітки: регістр, зсуву, кріоелектронний

Формула / Реферат:

1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку, надпровідний шар, розташований на поверхні діелектричної підкладки, і канал просування магнітних вихрів у пониженні товщини шару, який відрізняється тим, що на поверхні підкладки вздовж каналу просування створений виступ, на бокових стінках якого виконані зубці, при цьому зубці на першій боковій стінці виступу зсунуті відносно зубців на другій боковій стінці виступу на...

Номер патенту: 36418

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Шатернік Володимир Євгенович, Пермяков Віталій Васильович

МПК: G11C 11/00

Мітки: регістр, кріоелектронний, зсуву

Формула / Реферат:

1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку і, розміщений на її поверхні, надпровідний шар з поглибленням (каналом просування), на бічних стінках якого виконані зуби, причому зуби на першій бічній стінці поглиблення зрушені відносно зубів на другій бічній стінці поглиблення на половину довжини зуба, а донна частина поглиблення в одній зі стінок виконана з товщиною шару, не більшою ніж 20 % від товщини усього...

Номер патенту: 33038

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Горб Василь Миколайович, Мірошніков Анатолій Миколайович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G01J 3/28

Мітки: енергетичного, спосіб, вимірювання, сигналу, нвч, спектра

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання енергетичного спектра НВЧ сигналу, що включає реєстрацію відгуку низькотемпературного приймача на основі надпровідного переходу Джозефсона як функції змінного параметра, який відрізняється тим, що формують відгуки, які піддають обробці, N низькотемпературних приймачів на основі переходів Джозефсона, в яких здійснюють попереднє задання струмів зміщення надпровідних переходів, вибір значень струмів попереднього зміщення і...

Номер патенту: 32905

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Олійник Віктор Валентинович, Лаунець Віліен Львович

МПК: G01R 21/12, H01L 43/00

Мітки: потужності, надвисоких, магніторезистивного, частот, основі, ефекту, вимірювач

Формула / Реферат:

Вимірювач потужності надвисоких частот (НВЧ) на основі магніторезистивного ефекту, що містить хвилевід, всередині якого розміщена магніторезистивна плівка, яка покрита діелектриком, та індикатор потужності, який відрізняється тим, що додатково містить ближньопольовий зонд, другий хвилевід, який має прямокутний поперечний переріз, на одному з кінців якого встановлені послідовно з'єднані НВЧ-генератор, вентиль, а на іншому - поршень, при цьому...

Номер патенту: 80154

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Коржинський Федір Йосипович, Мержвинський Павло Анатолійович, Золот Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/67, B82B 3/00

Мітки: виготовлення, наноструктур, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для виготовлення наноструктур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістревої структури, вихід блока подачі вістревої структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що додатково містить блок технологічного...

Номер патенту: 23680

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/22

Мітки: ланцюжковий, вентиль, надпровідниковий

Формула / Реферат:

Надпровідниковий ланцюжковий вентиль, що містить діелектричну підкладку, на яку послідовно нанесені шар надпровідника, шар діелектрика, на якому розміщений П-подібної форми ланцюжок послідовно з'єднаних переходів Джозефсона, на один край якого нанесена плівка діелектрика, на яку послідовно нанесені плівка магнітожорсткого феромагнетика, плівка діелектрика, плівка магнітом'якого феромагнетика, плівка діелектрика, і над якими розташована смужка...

Номер патенту: 23771

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Костюкевич Сергій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: затвора, формування, спосіб, нвч-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб формування субмікронного затвора НВЧ-транзистора, який полягає у тому, що у робочому n-шарі напівпровідникової пластини створюють канавку з розмірами, які визначаються необхідними напругою відсічки та струмом насичення, металізують канавку та пасивують поверхню пластини, який відрізняється тим, що канавку для затвора виконують шляхом зондової нанолітографії.

Номер патенту: 23770

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Костюкевич Сергій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, електродної, транзисторів, нвч-польових, затворів, системі, формування, субмікронної

Формула / Реферат:

Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів НВЧ-польових транзисторів, який включає формування маски, осадження у вакуумі і видалення маски, який відрізняється тим, що для формування маски використовують фоторезист на основі шарів потрійного з'єднання:As40S60-x, де 5≤х≤25.

Номер патенту: 22865

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/265

Мітки: оксиду, транзисторів, пам'яті, шару, надтонкого, ефектом, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.

Номер патенту: 22541

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ковтун Геннадій Прокопович, Щербань Олексій Петрович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: C22B 9/187, C22B 9/04, C21C 7/10 ...

Мітки: металів, спосіб, рафінування

Формула / Реферат:

Спосіб рафінування металів у вакуумі, що включає етап очищення металу від легколетких домішок і етап очищення від важколетких домішок, кожний із яких включає випаровування металу, що рафінується, і конденсацію парів металу, який відрізняється тим, що пари металу перед їх конденсацією на етапі очищення від важколетких домішок пропускають через нерозпилюваний гетерний фільтр.

Номер патенту: 22443

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Білоголовський Михайло Олександрович

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Мітки: надвисокочастотних, генератор, коливань

Формула / Реферат:

Генератор надвисокочастотних коливань, який містить з'єднаний із джерелом струму зміщення джозефсонівський перехід, що містить перший і другий надпровідні шари та ізолюючий прошарок, який відрізняється тим, що принаймні один з надпровідних шарів виконано з надпровідного додекаборіду цирконію.

Номер патенту: 77015

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Коржинський Федор Йосипович, Шкляр Михайло Петрович, Мержвинський Павло Анатолійович, Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Золот Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: структур, контролю, нанорозмірних, пристрій, формування

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю формування нанорозмірних структур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістря, вихід блока подачі вістря з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що містить блок керування нанесенням іонів, вхід-вихід...

Номер патенту: 4703

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Щербань Олексій Петрович, Кравченко Олександр Іванович, Ковтун Геннадій Прокопович

МПК: C22B 9/04, C22B 9/187

Мітки: цинку, рафінування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб рафінування цинку, що включає випаровування цинку у вакуумі і наступну конденсацію парів цинку у вакуумі, який відрізняється тим, що пари цинку пропускають через фільтр, нагрітий до температури, не нижчої від температури випаровування цинку.