Напівпровідникове джерело інфрачервоного випромінювання

Напівпровідникове джерело інфрачервоного випромінювання, яке містить випромінюючі кристали з р-n-переходами, відбивач бокового випромінювання кристалів, розміщених на теплопровідній основі, корпус з матеріалу прозорого до випромінювання, яке відрізняється тим, що корпус виконаний з матеріалу на основі напівпровідникових халькогенідних стекол, що 3 27726 4 розміщеного на теплопровідній основі та властивостей, таких як технологічність одержання використання епоксидного компаунда внаслідок корпусу, циліндрична основа та видовжена сильного поглинання випромінювання в середній напівсферична лінза, що розміщена на основі інфрачервоній області спектру. циліндра, виготовлені з одного матеріалу в одному В основу корисної моделі поставлена задача технологічному циклі та простота виготовлення підвищити ефективність роботи теплопровідної основи із заглибленням і плоским напівпровідникового джерела інфрачервоного дном для розміщення кристалів. Це дозволяє випромінювання, розширити діапазон його отримати очікуваний технічний результат, а саме: інфрачервоного випромінювання та спростити підвищити ефективність роботи випромінюючих конструкцію. кристалів з p-n - переходами розміщених на Задача, яка поставлена, вирішується за теплопровідній основі із заглибленням і плоским рахунок того, що у відомому світлодіоді, який дном в безпосередньому контакті з матеріалом містить випромінюючі кристали з р-n-переходами, корпуса та суттєво підвищити потік відбивач бокового випромінювання кристалів, випромінювання придатного для практичного розміщених на теплопровідній основі, корпуса з використання і звузити діаграму направленості матеріалу прозорого до випромінювання вздовж осі випромінювання при товщині відповідно до корисної моделі корпус виконаний з циліндричної основи корпуса, яка перевищує матеріалу на основі напівпровідникових висоту його видовженої напівсферичної лінзи не халькогенідних стекол, що містять Ge, As, Sb, Bi, менше ніж у два рази, розширити діапазон його S, Se у відповідних пропорціях із заданим інфрачервоного випромінювання за рахунок показником заломлення, товщина циліндричної виготовлення корпуса з матеріалу, що містить Ge, основи корпуса перевищує висоту його As, Sb, Bi, S, Se у відповідних пропорціях із видовженої напівсферичної лінзи не менше ніж у заданим показником заломлення, прозорому в два рази, теплопровідна основа містить середній інфрачервоній області спектру та заглиблення з плоским дном для розміщення використання широкого класу матеріалів для кристалів, величиною не менше ніж дві товщини випромінюючих кристалів з p-n-переходами, що випромінюючих кристалів, але не більше товщини випромінюють в середній інфрачервоній області чотирьох випромінюючих кристалів, причому для спектру, спростити конструкцію при використанні кожного окремого випромінюючого кристалу випромінюючих кристалів з р-n - переходами необхідно місця не більше ніж півтори величини виготовлених за планарною технологією і його діагоналі, а відбиваюча випромінювання одержання заглиблення із плоским дном на бокова поверхня заглиблення виготовлена у теплопровідній основі. формі зрізаного конуса або іншого концентратора На Фіг.1 наведено конструкцію випромінювання. напівпровідникового джерела інфрачервоного Технічний результат, якого можна досягти при випромінювання, що заявляється. Випромінюючі 1 використанні корисної моделі виражений в тому, кристали з p-n-переходами, виготовленими за що забезпечується підвищення ефективності планарною технологією, розміщені на плоскому роботи напівпровідникового джерела дні заглиблення теплопровідної 2 основи в інфрачервоного випромінювання, розширення безпосередньому контакті з корпусом 3, діапазону інфрачервоного випромінювання та виготовленого з напівпровідникового спрощення конструкції. халькогенідного матеріалу із заданим показником Причинно-наслідковий зв'язок між сукупністю заломлення. ознак корисної моделі і технічним результатом Напівпровідникове джерело інфрачервоного прослідковується в тому, що нові ознаки: корпус випромінювання працює наступним чином. При виконаний на основі напівпровідникових прикладанні напруги до випромінюючих 1 халькогенідних стекол, що містять Ge, As, Sb, Bi, кристалів з p-n- переходами в них генерується S, Se у відповідних пропорціях із заданим випромінювання. На теплопровідній 2 основі, що показником заломлення, товщина циліндричної містить заглиблення величиною не менше ніж дві основи корпуса перевищує висоту його товщини випромінюючих 1 кристалів, але не видовженої напівсферичної лінзи не менше ніж у більше товщини чотирьох випромінюючих 1 два рази, теплопровідна основа містить кристалів, з плоским дном розміщені випромінюючі заглиблення з плоским дном для розміщення 1 кристали так, що для кожного окремого кристалів, величиною не менше ніж дві товщини випромінюючого 1 кристалу необхідно місця не випромінюючих кристалів але не більше товщини більше ніж півтори величини його діагоналі. чотирьох випромінюючих кристалів, причому для Поверхня теплопровідної 2 основи із кожного окремого випромінюючого кристалу заглибленням та плоским дном, де розміщені необхідно місця не більше ніж півтори величини випромінюючі 1 кристали, знаходиться в його діагоналі, а відбиваюча випромінювання безпосередньому контакті з корпусом 3, що бокова поверхня заглиблення виготовлена у виготовлений із матеріалу на основі формі урізаного конуса або іншого концентратора халькогенідного скла прозорого до випромінювання, при взаємодії з відомими випромінювання і має заданий показник ознаками, якими є: випромінюючі кристали з p-nзаломлення. Циліндрична частина корпуса переходами, відбивач бокового випромінювання товщиною, що перевищує висоту його видовженої кристалів, розміщених на теплопровідній основі, напівсферичної лінзи не менше ніж у два рази, корпуса з матеріалу прозорого до випромінювання величина заглиблення теплопровідної 2 основи та забезпечують прояв нових технічних відстань між випромінюючими 1 кристалами 5 27726 6 вибрані такими, щоб отримати ефект повного вібраційних навантажень в діапазоні частот від 10 внутрішнього відбивання випромінювання, яке до 500Гц на вібростенді ВЭДС-400А. падає на границю поділу халькогенідне скло Джерела інформації: повітря з мінімальними втратами зовнішнього 1. Патент РФ №2154324, Полупроводниковый квантового виходу випромінюючих 1 кристалів та источник инфракрасного излучения, МПК ефективно використати їх бокове випромінювання. H01L33/00, Опублікований 2000.08.10. Зменшення кутів відбивання бокового 2. Патент РФ №2207663, Светодиод, МПК випромінювання та ефективне використання H01L33/00, Опублікований 2003.06.27. фронтального випромінювання відбувається у видовженій напівсферичній лінзі. Циліндрична частина корпуса та видовжена напівсферична лінза виготовлені в одному технологічному циклі з одного матеріалу так, що не існує границі поділу між ними. Відбиваюча випромінювання бокова поверхня заглиблення, що виготовлена у формі урізаного конуса або іншого концентратора випромінювання разом із видовженою напівсферичною лінзою підвищують вивід випромінювання придатного для практичного використання. Розміщення на плоскому дні теплопровідної 2 основи двох і більше випромінюючих 1 кристалів не приводить до зміни діаграми направленості випромінювання, що особливо важливо для конструювання цілого класу приладів газового аналізу. Напівпровідникове джерело інфрачервоного випромінювання містить випромінюючі 1 кристали з p-n-переходами, що виготовлені на основі твердих розчинів InGaAs та InAsSbP групи А3В5 за планарною технологією методом рідинно-фазної епітаксії і випромінюють в середній інфрачервоній області спектру на довжинах хвиль 2,5-5,0мкм. Теплопровідна 2 основа виготовлена на основі металевої пластинки або може бути також діелектричною з металевим одностороннім та двостороннім покриттям. Проведені дослідження показали, що ефективне використання бокового та фронтального випромінювання даного напівпровідникового джерела ІЧ - випромінювання дало змогу підвищити потужність випромінювання у 2,5-4 рази та суттєво звузити діаграму направленості випромінювання вздовж оптичної осі. Вимірювання потужності напівпровідникових джерел ІЧ - випромінювання проводилося за допомогою фотометричної сфери. Потужність випромінювання в залежності від режиму генерації та довжини хвилі випромінювання лежить в межах 500-1500мкВт. На Фіг.2 показана діаграма направленості напівпровідникових джерел випромінювання, виготовлених на теплопровідній основі, з напівсферичним корпусом (діаграма 1), напівсферичним корпусом розміщеним в параболічному відбивачу діаметром 80мм (діаграма 2) та запропонованим корпусом (діаграма 3). Матеріал корпуса у всіх випадках був однаковий. Для виготовлення корпусу використовувалися напівпровідникові халькогенідні стекла систем As-S-Se, As-Sb-S-Se, Ge-Sb-S, Ge-Bi-S у відповідних пропорціях. Показник заломлення халькогенідних стекол на довжині хвилі l=4,0мкм, в залежності від складу компонентів, змінювався від 2,0 до 2,7. Конструкція напівпровідникового джерела ІЧ випромінювання, що заявляється, була механічно стійкою, зберігала свої параметри після дії на неї