Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 32638
Опубліковано: 26.05.2008
Автори: Александров Юрій Леонідович, Фісун Василь Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович
Формула / Реферат
1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, в область контакту поміщають електроліт, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають струм 1-500 мкА і реєструють опір та після декількох циклів різкого падіння й різкого зростання опору, що відбуваються автоматично (т.зв. автоколивання), у момент різкого падіння опору струм відключають.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що загострений струмопідвід може бути виготовлений з неметалічного провідного матеріалу.
3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку, коли струмопідводи виготовлені з різних матеріалів, струм відключають у момент першого різкого падіння опору.
Текст
1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення 3 32638 4 формується електродна система, у якій частина розглядатися як нанооб'єкт. Взаємне переміщення дендрита, яка безпосередньо примикає до струмопідводів у протилежному напрямку вершини, працює в якості катода і товщає за приводить до руйнування нанооб'єкта. В рахунок електроосадження металу, а результаті повторного зведення струмопідводів нанорозмірна вершина дендрита - в якості анода й утворюється новий точковий контакт. Розглянутий електрохімічно розчиняється. Після повного спосіб характеризується незначним часом розчинення вершини виникає заповнений виготовлення нанооб'єкта, особливо при електролітом проміжок між струмопідводами, використанні п'єзодрайвера. Частота через який протікає той же струм. Це приводить до мікропереміщень, яку задає п'єзодрайвер, утворення нової наноструктури. Таким чином, в відповідає в цьому випадку кількості точкових автоматичному режимі реалізується процес контактів, створюваних в одиницю часу. створення наноструктур в широкому діапазоні Разом з тим спосіб за прототипом має опорів. Причому, шляхом зупинки процесу недоліки, в числі яких наступні: автоколивань в конкретний час можливо вибрати 1. Поява структурних деформацій у зоні точковий мікроконтакт з потрібними контакту при механічному зіткненні струмопідводів, характеристиками. Це обумовлює підвищення що приводить до росту концентрації дефектів і функціональних якостей наноструктур, що зниженню довжини вільного пробігу носіїв струму у створюються. кожному зі знову створюваних контактів. В Для реалізації способу, який заявляється, результаті основна кількість точкових контактів, струмопідводи переміщують назустріч один створюваних в одному циклі, не відповідає чистій одному до виникнення між ними електричного межі й не може бути використана як інструмент контакту, причому, принаймні один із цих для вивчення балістичного режиму протікання струмопідводів у місці контакту повинен бути струму в атомно-розмірних об'єктах навіть при загострений. Після виникнення контакту його температурах рідкого гелію. механічно переривають, в область контакту 2. Неможливість створення точкових контактів, поміщають електроліт, що містить іони металу, з у яких струмопідводи виконані з різних матеріалів, яких виготовлені струмопідводи, між так званих гетероконтактів. Завданням корисної струмопідводами пропускають струм 1-500мкА і моделі, що пропонується, є створення простого й реєструють електричний опір та після декількох надійного способу одержання наноструктур циклів різкого падіння й різкого зростання опору, підвищеної якості. Струм і напруга є параметрами, що відбуваються автоматично (т.зв. що управляють процесом, і допускають легке й автоколивання), у момент різкого падіння опору тонке регулювання. струм відключають. Варто відзначити, що Одержувані за запропонованим способом загострений струмопідвод може бути нанооб'єкти мають низьку концентрацію дефектів виготовлений з неметалічного провідного структури й високі значення довжини вільного матеріалу. У цьому випадку при пропусканні пробігу носіїв заряду. При цьому проліт електронів струму утворюється наноструктура у вигляді через канал точкового контакту відбувається в точкового гетероконтакта. Гетероконтакти не балістичному режимі вже при кімнатній утворюються у режимі автоколивань, і для температурі, що свідчить про високу якість формування відповідної наноструктури струм нанооб'єкта. Технічний результат досягається тим, відключають у момент першого різкого падіння що зустрічне переміщення струмопідводів опору. У всіх розглянутих випадках досягають здійснюється шляхом електрохімічного утворення наноструктури у вигляді точкового вирощування між ними дендрита. При цьому в зоні контакту вершини сформованого між «м'якого» зіткнення вершини дендрита із струмопідводами дендрита і протиелектрода. Як протилежним струмовідводом утворюється відомо, структура дендрита наближається до наноструктура без появи структурних деформацій. структури монокристала, тобто характеризується Наявність в одного з струмопідводів вістря по осі високою впорядкованістю й низькою зустрічного переміщення забезпечує високу концентрацією дефектів. Крім того, у процесі концентрацію силових ліній електричного поля у автоколивань концентрація дефектів може разі занурення вістря в електроліт і включення прогресивно знижуватися. Це забезпечує електричного струму. Це створює умови для появи максимально досяжну при кімнатній температурі й росту дендрита. Після виникнення електричного довжину вільного пробігу електронів в зоні контакту між струмопідводами за рахунок сформованої інформації Джерела наноструктури, що суттєво розширює дендрита, який проріс через електроліт, її функціональні можливості Yanson. Atlas of Point 1. A.V. Khotkevich and I.K. у складі сенсорних відбувається електрохімічне руйнування вершини Contact Spectra ofElectron-Phonon Interactions in пристроїв. цього дендрита за умови подальшого протікання Metals. Kluwer Academic Publishers, постійного струму. Руйнування викликане тим, що Boston/Dordrecht/London, 1995. вершина дендрита в момент торкання 2. Yu.G. Naidyuk аnd I.K. Yanson. Point-Contact протилежного електрода здобуває позитивний Spectroscopy. Springer Verlag, New York, 2004. потенціал у порівнянні з основою дендрита. Через те, що струмопідводи занурені в електроліт, Комп’ютерна верстка В. Мацело Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod of obtaining conducting nanostructures
Автори англійськоюPospielov Oleksandr Petrovych, Kamarchuk Hennadii Vasyliovych, Fisun Vasyl Vasyliovych, Aleksandrov Yurii Leonidovych, Pylypenko Oleksii Ivanovych
Назва патенту російськоюСпособ получения проводящих наноструктур
Автори російськоюПоспелов Александр Петрович, Камарчук Геннадий Васильевич, Фисун Василий Васильевич, Александров Юрий Леонидович, Пилипенко Алексей Иванович
МПК / Мітки
МПК: B82B 3/00
Мітки: одержання, провідних, спосіб, наноструктур
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-32638-sposib-oderzhannya-providnikh-nanostruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання провідних наноструктур</a>
Попередній патент: Спосіб розробки потужних покладів міцних руд
Наступний патент: Спосіб професора селезнева для поліпшення спортивних результатів
Випадковий патент: Спосіб одержання заміщених 2-(5-арил-2-фурил)-4,5діарил-1н-імідазолів