Патенти з міткою «наноструктур»
Спосіб синтезу наноструктур оксиду міді в наносекундному розряді з електролітичним електродом
Номер патенту: 120072
Опубліковано: 25.10.2017
Автори: Гомокі Золтан Тиберійович, Міня Олександр Йосипович, Шевера Ігор Васильович, Данило Владислав Валерійович, Шуаібов Олександр Камілович
МПК: B01J 13/00, H01J 9/00, C01B 32/15 ...
Мітки: спосіб, міді, наносекундному, електролітичним, оксиду, розряді, електродом, наноструктур, синтезу
Формула / Реферат:
1. Спосіб синтезу наноструктур оксиду міді в наносекундному розряді з електролітичним електродом, що включає подання імпульсів високої напруги наносекундної тривалості на металевий та рідинний електроди, який відрізняється тим, що для синтезу наноструктур оксиду міді використовують біполярний сильнострумовий наносекундний розряд між системою металевих лез і поверхнею розчину мідного купоросу в дистильованій воді, що дозволяє одержувати з...
Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte
Номер патенту: 112999
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Удовицька Руслана Сергіївна
МПК: H01L 21/20, C23C 14/48, B82B 3/00 ...
Мітки: p-cdhgte, наноструктур, отримання, поверхні, гетероепітаксійної, спосіб, плівки
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...
Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (iv) оксиду
Номер патенту: 110032
Опубліковано: 26.09.2016
Автори: Люц Вікторія Анатоліївна, Донцова Тетяна Анатоліївна, Нагірняк Світлана Валеріївна
МПК: C01G 19/02
Мітки: стануму, одновимірних, спосіб, наноструктур, синтезу, оксиду
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (IV) оксиду, що включає отримання прекурсору стануму (II) оксалату шляхом змішування гарячих розчинів стануму (II) хлориду та амонію оксалату з подальшим відфільтровуванням осаду стануму (II) оксалату, відмиванням, висушуванням та нагріванням в трубчатій печі при температурі 850 °C впродовж 2 годин, який відрізняється тим, що нагрівання стануму (II) оксалату відбувається зі швидкістю...
Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс
Номер патенту: 102229
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Яворський Ростислав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C01G 30/00, C01B 19/00, B82B 3/00 ...
Мітки: слюди, спосіб, наноструктур, високою, отримання, термо-е.р.с, snte:sb
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...
Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю
Номер патенту: 102226
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: отримання, спосіб, питомою, snte:sb, високою, наноструктур, слюди, термоелектричною, потужністю
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...
Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс
Номер патенту: 102175
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: p-типу, отримання, snte:sb, термо-е.р.с, підкладках, значною, спосіб, наноструктур, ситалових
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...
Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю
Номер патенту: 101359
Опубліковано: 10.09.2015
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, питомою, потужністю, snte:sb, слюди, високою, термоелектричною, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...
Спосіб отримання наноструктур кремнію неелектролітичним травленням
Номер патенту: 98703
Опубліковано: 12.05.2015
Автори: Павленко Микола Миколайович, Сминтина Валентин Андрійович, Яцунський Ігор Ростиславович, Рімашевський Олександр Аркадійович
МПК: B02B 3/00
Мітки: спосіб, отримання, кремнію, наноструктур, неелектролітичним, травленням
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктурованого кремнію неелектролітичним травленням, який полягає в окисненні та розчиненні кремнію в розчині плавикової кислоти та окиснювача, який відрізняється тим, що в розчин додатково вводять наночастинки срібла в кількості 10-3-10-4 моль/л, а як окиснювач використовують перекис водню в кількості 0,5-3,5 моль/л.
Реактор для отримання наноструктур
Номер патенту: 96541
Опубліковано: 10.02.2015
Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Борова Валентина Євгенівна, Андрєєв Олександр Анатолійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Остапін Іван Сергійович
МПК: C01B 31/00
Мітки: реактор, наноструктур, отримання
Формула / Реферат:
Реактор для отримання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, вузол переміщення, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що між електродами розташовані електроізоляційні прокладки, які зв'язані з вузлом переміщення.
Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte
Номер патенту: 87886
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович, Савкіна Рада Костянтинівна, Смірнов Олексій Борисович
МПК: B28B 23/00, B28B 1/00
Мітки: плівки, отримання, наноструктур, поверхні, спосіб, p-cdхнg1-хte, гетероепітаксійної
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.
Реактор для одержання наноструктур
Номер патенту: 84451
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Остапін Іван Сергійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Борова Валентина Євгенівна, Мірошніченко Іван Сергійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Стасюк Андрій Романович, Андрєєв Олександр Анатолійович
МПК: B82B 1/00, C01B 31/00
Мітки: реактор, одержання, наноструктур
Формула / Реферат:
1. Реактор для одержання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивні електроди із струмопровідним стрижнем встановлені з можливість переміщення, а негативні електроди виконані у вигляді змінних патрубкоподібних вставок з різною товщиною стінок, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що в корпусі в...
Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 82332
Опубліковано: 25.07.2013
Автори: Берник Віталій Олегович, Боровий Ярослав Анатолійович, Остапін Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович
МПК: C01B 31/00
Мітки: пристрій, одержання, вуглецевих, наноструктур
Формула / Реферат:
1. Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивний електрод у вигляді ряду електродів і негативний електрод, які з'єднані з джерелом напруги, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, при цьому позитивні електроди встановлені з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що корпус має форму циліндричної поверхні, а негативний електрод, виконаний у вигляді змінних...
Реактор для одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 81663
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Андрєєв Олександр Анатолійович, Лісовий Оксен Васильович, Берник Віталій Олегович, Боровий Ярослав Анатолійович, Остапін Іван Сергійович
МПК: C01B 31/00
Мітки: вуглецевих, одержання, наноструктур, реактор
Формула / Реферат:
1. Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, у вигляді поверхні зрізаного конуса, заповненого робочою рідиною, кришку, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, позитивний електрод у вигляді диска і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивний електрод встановлений з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що позитивний електрод виконаний у вигляді ряду...
Спосіб створення наноструктур на поверхні германію
Номер патенту: 101705
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович
МПК: H01L 21/322
Мітки: наноструктур, германію, спосіб, створення, поверхні
Формула / Реферат:
Спосіб створення наноструктур на поверхні германію, що включає дифузію атомів речовини в полі локальних механічних напружень, який відрізняється тим, що пластину германію обробляють механічним та хіміко-динамічним поліруванням, після чого пластину за кімнатної температури деформують циклами стискання-розвантаження з одночасним ультразвуковим опромінюванням зі створенням наноструктур в області виходу на поверхню дислокаційної півпетлі.
Спосіб отримання наноструктур zno
Номер патенту: 71235
Опубліковано: 10.07.2012
Автори: Турко Борис Ігорович, Капустяник Володимир Богданович, Лень Наталія Володимирівна
МПК: B82B 3/00, C01G 9/00, C01G 9/02 ...
Мітки: наноструктур, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктур ZnO, за яким готують суміш порошків ZnO і каталізатора у масовому співвідношенні 1:1 або 1:2, розміщують її поблизу запаяного кінця, а відповідну підкладку поблизу відкритого кінця кварцової трубки, яку поміщають горизонтально у нагрівник, де витримують 30-60 хв. і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують активоване вугілля, при цьому кварцову трубку...
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 70807
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович
МПК: B82B 3/00
Мітки: властивостями, напівпровідникових, n-pbte:bi, ситалових, підкладках, покращеними, термоелектричними, наноструктур, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...
Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 98909
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Свавільний Микола Євгенович, Панарін Валентин Євгенович, Хомінич Анастасія Іванівна
МПК: B01J 19/08, B01J 3/03, B82B 3/00 ...
Мітки: пристрій, наноструктур, синтезу, вуглецевих, вакуумного
Формула / Реферат:
Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур, який містить джерело вуглецевмісної плазми, плазмовід у вигляді вакуумної труби, що під'єднана до джерела плазми, магнітний сепаратор потоку плазми, який складається з котушок, що розміщені повздовж плазмоводу з забезпеченням можливості повороту потоку плазми на 90°, підкладку, закріплену на підігрівному столику, який встановлений на виході плазмоводу перпендикулярно потоку плазми і...
Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією
Номер патенту: 70431
Опубліковано: 11.06.2012
Автори: Никифорчин Григорій Миколайович, Кирилів Володимир Іванович, Гурей Ігор Володимирович, Максимів Ольга Володимирівна, Курнат Іван Миколайович
МПК: B24B 39/00
Мітки: деформацією, отримання, різнонаправленою, наноструктур, інструмент, поверхневих, термопластичною
Формула / Реферат:
Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією, який складається із корпусу і робочого диска, виконаного із титанового сплаву або нержавіючої сталі, причому для підвищення продуктивності процесу та покращення шорсткості оброблюваної поверхні робоча поверхня інструмента виконана криволінійною у вигляді шевронного зигзагоподібного профілю з кутом нахилу шеврона 12-30°, а кількість зигзагів...
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 69952
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: отримання, властивостями, наноструктур, напівпровідникових, термоелектричними, покращеними, спосіб, n-рbте:ві, основі
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...
Установка для одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 66524
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Цолін Павло Леонідович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Хайнацький Сергій Олександрович, Кускова Наталя Іванівна, Зубенко Олександр Олександрович, Петриченко Сергій Вікторович
МПК: C01B 31/00, B82B 3/00
Мітки: одержання, вуглецевих, наноструктур, установка
Формула / Реферат:
Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, заповнений робочою органічною рідиною, генератор імпульсних струмів, бак-накопичувач, який встановлений вище рівня електророзрядного реактора і з'єднаний з його підвідним патрубком, фільтрувальний пристрій, який з'єднаний з відвідним патрубком електророзрядного реактора, насос, що перекачує робочу рідину з фільтрувального пристрою до бака-накопичувача, яка...
Пристрій зондового анодного окислення наноструктур
Номер патенту: 62412
Опубліковано: 25.08.2011
Автори: Галстян Георгій Георгійович, Золот Анатолій Іванович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Ходаковський Микола Іванович
МПК: H01L 21/00
Мітки: зондового, окислення, наноструктур, анодного, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Номер патенту: 62086
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Яворський Ярослав Святославович, Соколов Олександр Леонідович, Потяк Володимир Юрійович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, багатошарових, отримання, спосіб, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...
Спосіб отримання термоелектричних наноструктур pbs
Номер патенту: 60221
Опубліковано: 10.06.2011
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Ткачук Андрій Іванович, Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, спосіб, термоелектричних, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі який...
Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник
Номер патенту: 55629
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Павлик Михайло Романович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Євчук Оксана Миколаївна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович
МПК: C08K 3/36, C08G 61/00, C08K 7/00 ...
Мітки: отримання, спосіб, гібридних, полімер-напівпровідник, наноструктур
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник, що базується на електролізі кислого водного розчину аміноарену на електроді з поруватого кремнію, який відрізняється тим, що електроліз проводять в умовах циклічної розгортки потенціалу у межах -0,2 ÷ +1,5 В (х. с. е.) протягом 4-20 циклів, а контроль кількості утвореного полімеру здійснюють за лінійною залежністю струму анодного максимуму в інтервалі Е=0,75-0,90 В від...
Установка для одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 55578
Опубліковано: 10.12.2010
Автори: Зубенко Олександр Олександрович, Петриченко Сергій Вікторович, Кускова Наталя Іванівна, Цолін Павло Леонідович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Баклар Віктор Юрійович
МПК: C01B 31/00
Мітки: одержання, наноструктур, установка, вуглецевих
Формула / Реферат:
Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, який має заповнений робочою органічною рідиною циліндричний корпус з днищем, кришкою, підвідним та відвідним патрубками і розміщеним в корпусі співвісно його осі позитивним електродом, робоча частина якого виконана у вигляді диска, та генератор імпульсних струмів, з'єднаний з позитивним та негативним, яким є циліндричний корпус, електродами, яка...
Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю
Номер патенту: 54833
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Чав'як Іван Ігорович, Никируй Любомир Іванович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: телуриду, свинцю, характеристик, покращення, наноструктур, термоелектричних, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 51900
Опубліковано: 10.08.2010
Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Пилипенко Олексій Іванович, Фісун Василь Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, спосіб, одержання, провідних
Формула / Реферат:
Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений; після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, і реєструють опір, який відрізняється тим, що різке падіння...
Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv
Номер патенту: 50923
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович
МПК: C30B 29/30, C30B 11/00
Мітки: сполук, низькосиметричних, кристалів, аiiвv, процес, основі, напівпровідникових, створення, об'ємних, групи, мікро-та, наноструктур
Формула / Реферат:
1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 49385
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Фісун Василь Васильович, Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, провідних, спосіб, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення струмопідводів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, пропускають струм силою 1-500 мкА, реєструють опір системи в процесі автоколивань і в момент...
Реактор для одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 49039
Опубліковано: 12.04.2010
Автори: Кускова Наталя Іванівна, Цолін Павло Леонідович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Зубенко Олександр Олександрович
МПК: C01B 31/00
Мітки: одержання, реактор, наноструктур, вуглецевих
Формула / Реферат:
Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, розміщений в корпусі співвісно його осі позитивний електрод, робоча частина якого виконана у вигляді диска, розташовані на бічній поверхні корпусу патрубки підведення й зливу робочої рідини, позитивний і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом високої напруги, який відрізняється тим, що внутрішня поверхня корпусу виконана у вигляді...
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 45130
Опубліковано: 26.10.2009
Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Александров Юрій Леонідович
МПК: B82B 3/00
Мітки: спосіб, наноструктур, одержання, провідних
Формула / Реферат:
Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після появи контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, з добавкою іммобілізуючого агента, після витримки електроліту впродовж 20-30 хв. з моменту внесення...
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 43859
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Лебедь Олена Костянтинівна, Камарчук Геннадій Васильович
МПК: B82B 3/00
Мітки: спосіб, провідних, одержання, наноструктур
Формула / Реферат:
Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, після виникнення контакту між струмопідводами пропускають струм 1-500 мкА і реєструють опір та після декількох циклів різкого падіння й різного зростання опору, які відбуваються автоматично, струм відключають, який відрізняється...
Реактор для одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 43714
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Кускова Наталя Іванівна, Богуславський Леонід Зиновійович, Зубенко Олександр Олександрович, Смалько Анатолій Олександрович, Баклар Віктор Юрійович
МПК: C01B 31/00
Мітки: реактор, наноструктур, одержання, вуглецевих
Формула / Реферат:
Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить циліндричний корпус з днищем та кришкою, заповнений робочою органічною рідиною, розміщені в корпусі позитивний та негативний електроди, які з'єднані з джерелом високої напруги, патрубок підводу робочої рідини та патрубок відводу газу, що розміщений на кришці, який відрізняється тим, що робоча частина позитивного електрода виконана у вигляді диска, що розміщений коаксіально...
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 41750
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, одержання, спосіб, провідних
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, який відрізняється тим, що до електроліту попередньо додають іммобілізуючий іони агент; після витримки...
Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів “нанотехнологія фракталів”
Номер патенту: 38109
Опубліковано: 25.12.2008
Автори: Каплуненко Володимир Георгійович, Косінов Микола Васильович
МПК: B01J 2/02, A61K 9/50, B22F 9/02 ...
Мітки: спосіб, керування, матеріалів, ефектом, наноструктур, електропровідних, фрактальних, нанотехнологія, абляції, фракталів, електроімпульсний, самоорганізації
Формула / Реферат:
Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів, який заснований на руйнуванні поверхні електропровідних матеріалів шляхом швидкого випаровування речовини з поверхні під дією імпульсів електричного струму, утворенні плазми шляхом електричних розрядів в проміжках між гранулами електропровідних матеріалів, дії на речовину, що аблює, плазмою для її розпаду і іонізації,...
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 35732
Опубліковано: 10.10.2008
Автори: Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Фісун Василь Васильович, Комарчук Геннадій Васильович, Пилипенко Олексій Іванович
МПК: B82B 3/00
Мітки: спосіб, одержання, наноструктур, провідних
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...
Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплати з діоксиду кремнію
Номер патенту: 83773
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Єрмолаєва Юлія Володимирівна, Матвеєвська Неонила Анатоліївна, Семиноженко Володимир Петрович, Толмачов Олександр Володимирович
МПК: C30B 28/00, B82B 3/00
Мітки: наноструктур, кремнію, нанотемплати, спосіб, основі, діоксиду, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплат з діоксиду кремнію, який включає одержання нанотемплат з діоксиду кремнію в розчині, функціоналізацію поверхні нанотемплат біфункціональними молекулами триамінопропілтриетоксисилану, одержання нанокристалів в розчині і їх осадження шляхом перемішування одержаних розчинів з формуванням оболонки на нанотемплатах, який відрізняється тим, що функціоналізацію ведуть додаванням до розчину...
Спосіб одержання провідних наноструктур
Номер патенту: 32638
Опубліковано: 26.05.2008
Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Фісун Василь Васильович, Александров Юрій Леонідович, Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, одержання, провідних, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, в область контакту поміщають електроліт, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...
Пристрій для виготовлення наноструктур
Номер патенту: 80154
Опубліковано: 27.08.2007
Автори: Коржинський Федір Йосипович, Ходаковський Микола Іванович, Золот Анатолій Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Мержвинський Павло Анатолійович
МПК: H01L 21/67, B82B 3/00
Мітки: виготовлення, наноструктур, пристрій
Формула / Реферат:
1. Пристрій для виготовлення наноструктур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістревої структури, вихід блока подачі вістревої структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що додатково містить блок технологічного...
Спосіб одержання вуглецевих наноструктур
Номер патенту: 6747
Опубліковано: 16.05.2005
Автори: Огенко Володимир Михайлович, Рудь Олександр Дмитрович, Перекос Анатолій Омелянович, Мельниченко Володимир Петрович, Шпак Анатолій Петрович, Уваров Віктор Миколайович
МПК: C01B 31/00
Мітки: спосіб, наноструктур, одержання, вуглецевих
Формула / Реферат:
Спосіб одержання вуглецевих наноструктур, який полягає у тому, що електроди, встановлені на відстані один від одного, розміщують у неполярному розчиннику, у міжелектродний проміжок подають стрижні, замикаючи електроди, а випаровування стрижнів, утворення високотемпературної плазми і одержання розчину, що містить фулерени, здійснюють, подаючи на електроди імпульси високої напруги, який відрізняється тим, що попередньо електроди виготовляють із...