Спосіб визначення температури розмитого фазового переходу першого роду у твердих тілах

Спосіб визначення температури розмитого фазового переходу першого роду у твердих тілах, що включає температурні дослідження твердих тіл, який відрізняється тим, що проводять температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл, при цьому із експериментально отриманої температурної залежності ширини псевдозабороненої зони Ea ( T) спочатку g 2 (19) 1 3 34946 4 Поставлене завдання досягається таким чифіксованому значенні коефіцієнта поглинання ном, що запропоновано спосіб визначення темпеa=const), яку у високотемпературній фазі апрократури розмитого фазового переходу першого симують співвідношенням (2), а потім за допомороду у твердих тілах, який включає температурні гою формули (1) визначають приріст DEa ширини g дослідження твердих тіл, який, згідно корисної моделі, проводять температурні ізоабсорбційні псевдозабороненої при переході в низькотемперадослідження краю оптичного поглинання твердих турну фазу, будують температурну залежність тіл, при цьому із експериментально отриманої теd( DEa ) / dT і за температурою, яка відповідає макмпературної залежності ширини псевдозаборонеg симуму цієї функції, визначають температуру розa ( T) , спочатку розраховують приріст ної зони Eg митого фазового переходу першого роду. Приклад конкретного використання запропоa ( T) у низькотемпературній фазі відносно виDEg нованого способу. сокотемпературної фази як За допомогою запропонованого способу визначено температуру розмитого фазового перехоa ( T ) = Ea ( T ) - Ea (T ), DEg (1) g,l g,h ду першого роду для кристала суперіонного твердого розчина Cu6P(S0.2Se0.8)2 I. 3 метою визначення де Ea,l (T ) - значення ширини псевдозаборонеg величини DEa ( T) , яка виникає при розмитому в g ної зони в низькотемпературній фазі, а значення інтервалі температур 120-180К суперіонному фаширини псевдозабороненої зони у високотемперазовому переході, експериментальна температурна турній фазі Ea,h (T ) отримуються екстраполяцією g залежність Ea (Фіг.1) у суперіонній фазі (T>180К) g експериментальної залежності для високотемпебула апроксимована за допомогою формули (2). ратурної фази у низькотемпературну за допомогою формули Значення DEa ( T) , які наведені на Фіг.2, були розg ù 1 a (T ) = Ea (0) - Sakq é раховані за формулою (1). На вставці до Фіг.2 наEg,h (2) g g E ê exp(q / T ) - 1ú, E ë û ведено температурну залежність d( DEa ) / dT і за g де Sa - безрозмірна константа взаємодії, qE температурою, яка відповідає максимуму цієї фунg кції, було визначено точне значення температури температура Ейнштейна, k - стала Больцмана, розмитого фазового переходу першого роду, яке Ea ( 0) - значення ширини псевдозабороненої зони дорівнює Ts=(147.7±0.5)К. g Корисна модель може бути використана у наупри T=0° Кельвіна, де T - температура, потім буково-дослідних лабораторіях при оптичних дослідують температурну залежність d( DEa ) / dT і за дженнях фазових переходів у твердих тілах з меg тою їх використання у ролі функціональних температурою, яка відповідає її максимуму, визнаелементів для оптоелектроніки. чають температуру розмитого фазового переходу Джерела інформації: першого роду. 1. Ролов Б.Н., Юркевич В.Е. Физика размытых Запропонований спосіб визначення темперафазовых переходов. - Ростов-на-Дону: Изд-во тури розмитого фазового переходу першого роду у РГУ, 1983. - 319с. твердих тілах, у порівнянні зі способом2. Studenyak I.P., Kranjcec M., Kovacs Gy. S., прототипом, дозволяє надійно та ефективно виDesnica-Frankovic I .D., Panko V.V., Guranich P.P. значати температуру розмитого фазового перехоElectric conductivity and optical absorption edge of ду першого роду у твердих тіла х шля хом ізоабсоCu6P(SехSe1-х) 5I fast-ion conductors in the seleniumрбційних досліджень краю оптичного поглинання. rich region // J. Phys. Chem. Solids. - 2001. - Vol.62. Спосіб здійснюється наступним чином: спектP.665-672. – прототип. рометричним методом проводять температурні ізоабсорбційні дослідження краю поглинання твердих тіл. В результаті отримують температурну залежність ширини псевдозабороненої (відповідає енергетичному положенню краю поглинання при 5 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 34946 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601