Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn 0,7) 2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки. (19) (21) u200804506 (22) 09.04.2008 (24) 26.08.2008 (46) 26.08.2008, Бюл.№ 16, 2008 р. (72) СТУДЕНЯК ІГОР ПЕТРОВИЧ, UA, КРАНЬЧЕЦ МЛАДЕН, СУСЛІКОВ ЛЕОНІД МИ ХАЙЛОВИЧ, UA 3 34945 у ролі активних елементів функціональних пристроїв оптоелектроніки, а саме оптичних затворів, модуляторів та дефлекторів оптичного випромінювання, принцип дії яких грунтується на явищі повороту площини поляризації падаючого світла. Перевагою монокристала (Ga0.3In0.7) 2Se3 є температурна незмінність величини питомого повороту площини поляризації при певній довжині хвилі в широкому інтервалі температур при наявності низького оптичного поглинання, високої прозорості у широкому спектральному інтервалі та значної радіаційної стійкості. Приклад Для одержання 10г речовини (Ga0.3In0.7) 2Se3 брали 0,9519г Ga, 3,6578г In та 5,3903г Se і загружали у вакуумовану кварцову ампулу довжиною 160мм та діаметром 20мм, в якій потім проводили синтез з використанням таких температурних режимів: а) протягом 1год проводили нагрівання до температури 823К і витримували при цій температурі протягом 1 дня з метою уникнення розтріскування ампули; б) швидко нагрівали (з швидкістю 50К/год) до температури 1270К, витримували протягом 1год при цій температурі та охолоджували до кімнатної температури при виключеній печці. Отриманий полікристалічний матеріал розтирався у грубий порошок і проводилося вирощування монокристалів даної сполуки методом Бріджмена. Із одержаних монокристалів виготовляють орієнтовані плоскопаралельні пластинки товщиною 1,5мм вздовж кристалографічного напрямку [001], які потім шліфують та полірують з усіх сторін на пасті ГОІ, Якщо довести товщину до значення 0,79мм, то виготовлена таким чином плоскопаралельна пластинка може бути використана у ролі активного елемента функціонального пристрою оптоелектроніки, здатного повертати площину поляризації на 90° на довжині хвилі l = (0,6146±0,0005) мкм, причому кут повороту не змінюється в широкому Комп’ютерна в ерстка А. Крулевський 4 інтервалі температур Т = 77-300К. Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину (Ga0.3 In0.7)2Se3 у ролі активного елемента функціональних пристроїв оптоелектроніки для передачі та перетворення інформації в оптичних системах різноманітного призначення дозволяє значно покращити їх температурну стабільність за рахунок сталого значення питомого повороту площини поляризації оптичного випромінювання з довжиною хвилі l = (0,6146±0,0005) мкм в широкому інтервалі температур 77-300К. Використання монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.3In 0.7) 2Se3 у ролі активного елемента функціональних пристроїв оптоелектроніки дає можливість застосовувати його в різних промислових виробництвах, де має місце використання оптичних затворів, модуляторів та дефлекторів оптичного випромінювання з метою регулювання промислових процесів, особливо у вибухово-, во гне- та радіаційно-небезпечних середовищах. Планується використання монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.3In0.7)2Se3 в лабораторіях УжНУ при виконанні фундаментальних досліджень нових напівпровідникових матеріалів. Джерела інформації: 1. Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.2In 0.8) 2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки: Патент України №30108, МПК (2006) G01K 17/00 // Студеняк І.П., Краньчец М., Сусліков Л.М. - №u200711934; Заявлено 29.10.2007; Опубл. 11.02.2008, Бюл. №3. - 2с - прототип. 2. Popovic S., Celustka В., Ruzic-Toros Z., Broz D. X-ray diffraction study and semiconducting properties of the system Ga2Se3-In2Se3 // Phys. Stat. Sol. (a). - 1977. - Vol.41.- P.255-262. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601