Мікроелектронний електрично керований помножувач частоти

Мікроелектронний електрично керований помножувач частоти, який містить джерело постійної напруги, ємність, біполярний транзистор і загальну шину, який відрізняється тим, що в нього введено другий і третій біполярні транзистори, індуктивність, перший, другий, третій і четвертий резистори, другу і третю ємності, друге джерело постійної напруги, причому перший вивід першої ємності з'єднаний з першою вхідною клемою, другий вивід першої ємності з'єднаний з другим виводом першого резистора, першим виводом другого резис U 1 3 38347 4 вихідної клеми, з другим виводом другого коливапершого резистора 2, першим виводом другого льного контуру та підключені до загальної шини. резистора 3 і базою першого біполярного транзисНедоліком такого пристрою є малі функціонатора 6, колектор якого з'єднаний з першими вивольні можливості, що полягають у вузькому діападами першого резистора 2, другої ємності 10 і зоні частот вхідних сигналів та малої потужності першого джерела постійної напруги 12, емітер вихідного сигналу. першого біполярного транзистора 6 з'єднаний з В основу корисної моделі поставлена задача першими виводами третього 4 і четвертого 5 резистворення мікроелектронного електрично керовасторів, другий вивід четвертого резистора 5 з'єдного помножувача частоти, в якому за рахунок наний з емітером другого біполярного транзистора введення нових блоків і зв'язків між ними стає мо7, колектор якого з'єднаний з базою третього біпожливим виконання ємнісного елементу коливальлярного транзистора 8, база другого біполярного ного контур у у вигляді реактивної складової повнотранзистора 7 з'єднана з емітером третього біпого опору транзисторної структури на основі двох лярного транзистора 8 і першим виводом індуктибіполярних транзисторів зустрічної провідності, що вності 9, які утворюють першу ви хідну клему, друпризводить до розширення діапазону частот вхідгий вивід індуктивності 9 з'єднаний з першими них сигналів помножувача, а також до великого виводами третьої ємності 11 і другого джерела від'ємного диференційного опору транзисторної постійної напруги 13, при цьому колектор третього структури на основі двох біполярних транзисторів біполярного транзистора 8 з'єднаний з другими зустрічної провідності, що призводить до підвививодами другого 3 і третього 4 резисторів, другищення потужності вихідного сигналу помножувача, ми виводами другої 10 і третьої 11 ємностей та за рахунок чого розширюються функціональні модругими виводами другого 12 і третього 13 джерел жливості пристрою. постійної напруги, що утворюють др угу вхідну і Поставлена задача вирішується тим, що в мікдругу вихідн у клеми, які підключені до загальної роелектронний електрично керований помножувач шини 14. частоти, який містить джерело постійної напруги, Мікроелектронний електрично керований поємність, біполярний транзистор і загальну шину, множувач частоти працює таким чином. введено другий і третій біполярні транзистори, Радіосигнал через першу ємність 1 надходить індуктивність, перший, другий, третій і четвертий на перший біполярний транзистор 6. Перший біпорезистори, другу і третю ємності, друге джерело лярний транзистор 6 спільно з першим 2, другим 3 постійної напруги, причому перший вивід першої і третім 4 резисторами утворюють емітерний поємності з'єднаний з першою вхідною клемою, друвторювач, коефіцієнт передачі по напрузі якого гий вивід першої ємності з'єднаний з другим вивоблизький до одиниці. Радіосигнал з емітера пердом першого резистора, першим виводом другого шого біполярного транзистора 6 через послідовно резистора і базою першого біполярного транзисвстановлений четвертий резистор 5 надходить на тора, колектор якого з'єднаний з першими виводатранзисторну стр уктур у на основі другого 7 і треми першого резистора, другої ємності і першого тього 8 біполярних транзисторів, яка має сімейстджерела постійної напруги, емітер першого біпово статичних вольт-амперних характеристик Λлярного транзистора з'єднаний з першими вивотипу. При розташуванні робочої точки на спадаюдами третього і четвертого резисторів, другий вичій ділянці статичної вольт-амперної характерисвід четвертого резистора з'єднаний з емітером тики повний опір змінному струму транзисторної другого біполярного транзистора, колектор якого структури на електродах емітер-колектор третього з'єднаний з базою третього біполярного транзисбіполярного транзистора 8 має від'ємний диферетора, база першого біполярного транзистора з'єднційний опір активної складової та реактивну нана з емітером третього біполярного транзистора складову ємнісного характеру, величини яких заі першим виводом індуктивності, які утворюють лежать від величини напруги першого 12 і другого першу вихідн у клему, другий вивід індуктивності 13 джерел постійної напруги. Виділення корисного з'єднаний з першими виводами третьої ємності і радіосигналу з помноженою частотою здійснюєтьдругого джерела постійної напруги, при цьому кося коливальним контуром, який утворений котушлектор третього біполярного транзистора з'єднакою індуктивності 9 і ємнісною складовою повного ний з другими виводами другого і третього резисопору на електродах колектор-емітер третього торів, другими виводами другої і третьої ємностей біполярного транзистора 8. Електрична перебудота другими виводами першого і другого джерел ва резонансної частоти коливального контуру мікпостійної напруги, що утворюють др угу вхідну і роелектронного помножувача частоти здійснюєтьдругу вихідн у клеми, які підключені до загальної ся шляхом зміни величини реактивної складової шини. повного опору транзисторної структури на електНа кресленні представлена схема мікроелектродах колектор-емітер третього біполярного транронного електрично керованого помножувача часзистора 8, величина якої залежить від напруги тоти. живлення другого джерела постійної напруги 13. Пристрій містить першу ємність 1, перший 2, Від'ємний опір на електродах колектор-емітер тредругий 3, третій 4 і четвертий 5 резистори, перший тього біполярного транзистора 8 компенсує втрати 6, другий 7 і третій 8 біполярні транзистори, індуку коливальному контурі і колах настроювання міктивність 9, другу 10 і третю 11 ємності, перше 12 і роелектронного електрично керованого помножудруге 13 джерела постійної напруги, загальну шивача частоти, що призводить до підвищення потуну 14, причому перший вивід першої ємності 1 жності вихідного сигналу. Подальша зміна напруги з'єднаний з першою вхідною клемою, другий вивід першого 12 і другого 13 джерел постійної напруги першої ємності 1 з'єднаний з другим виводом призводить до зміни величини реактивної складо 5 38347 6 вої повного опору транзисторної структури, що напруги, які підключені полюсами від'ємної поляррозширює діапазон частот вхідних радіосигналів. ності до загальної шини 14. Величина опору четДруга 10 і третя 11 ємності виконують блокувальну вертого резистора 5 вибирається з умови забезфункцію для запобігання проходження змінного печення стійкої роботи мікроелектронного струму крізь перше 12 і друге 13 джерела постійної електрично керованого помножувача частоти. Комп’ютерна в ерстка В. Мацело Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601