Електрично-керований помножувач частоти

Електрично-керований помножувач частоти, який містить джерело постійної напруги, перший та другий коливальні контури, конденсатор, біполярний транзистор і загальну шину, який відрізняється тим, що в нього введено другий біполярний транзистор, двозатворний метал-діелектрикнапівпровідник транзистор, перший, другий, третій, четвертий, п'ятий, шостий і сьомий резистори, другий конденсатор і друге джерело постійної напруги, причому перший вивід першого конденсатора з'єднаний з першим виводом першого коливального контуру і утворюють першу вхідну клему, другий вивід першого конденсатора з'єднаний з базою першого біполярного транзистора, другим виводом першого резистора і першим виводом другого резистора, емітер першого біполярного транзистора з'єднаний зі стоком і першим затвором двозат U 2 (19) 1 3 38506 4 емітером біполярного транзистора, колектор біпошого і другого коливальних контурів, др угими вилярного транзистора з'єднаний другим виводом водами першого і другого джерел постійної напрупершого коливального контур у, перший вивід якоги та другими виводами другого і третього го з'єднаний з першим виводом джерела живленрезисторів, що утворюють другу вхідн у і другу виня, базовий вивід біполярного транзистора з'єднахідну клеми, що підключені до загальної шини. ний з першим виводом другого коливального На кресленні представлено схему електричнo контуру та першим виводом ємності, другий вивід керованого помножувача частоти. якої утворює першу вихідн у клему, другий вивід Пристрій містить перший коливальний контур джерела живлення з'єднаний з другими виводами 1, перший 2 і другий 3 конденсатори, перший 4, вхідної та ви хідної клеми, з другим виводом другодругий 5, третій 6, четвертий 7, п'ятий 8, шостий 9 і го коливального контур у та підключені до загальсьомий 10 резистори, перший 11 і другий 12 біпоної шини. лярні транзистори, двозат-ворний МДН транзистор Недоліком такого пристрою є малі функціона13, другий коливальний контур 14, перше 15 і друльні можливості, що полягають у вузькому діапаге 16 джерела постійної напруги, загальну шину зоні частот вхідних сигналів та малої потужності 17, причому перший вивід першого конденсатора 2 вихідного сигналу. з'єднаний з першим виводом першого коливальноВ основу корисної моделі поставлена задача го контуру 1 і утворюють першу вхідну клему, друстворення електричнo керованого помножувача гий вивід першого конденсатора 2 з'єднаний з бачастоти, в якому за рахунок введення нових блоків зою першого біполярного транзистора 11, другим і зв'язків між ними стає можливим виконання ємнівиводом першого резистора 4 і першим виводом сного елементу ви хідного коливального контуру у другого резистора 5, емітер першого біполярного вигляді реактивної складової повного опору трантранзистора 11 з'єднаний зі стоком і першим зазисторної структури на основі біполярного та метвором двозатворного МДН транзистора 13, пертал діелектрик напівпровідник (МДН) транзисторів, шими виводами третього 6 і четвертого 7 резистощо призводить до розширення діапазону частот рів, колектор першого біполярного транзистора 11 вхідних сигналів помножувача, а також великого з'єднаний з першими виводами першого резистора від'ємного диференційного опору транзисторної 4, другого конденсатора 3 і першого джерела поструктури на основі біполярного та МДН транзисстійної напруги 15, витік двозатворного МДН транторів, що призводить до підвищення потужності зистора 13 з'єднаний з емітером другого біполярвихідного сигналу помножувача, тим самим розного транзистора 12, колектор якого з'єднаний з ширюються функціональні можливості пристрою. першим виводом сьомого резистора 10, другий Поставлена задача вирішується тим, що в затвор двозатворного МДН транзистора 13 з'єднапристрій який містить джерело постійної напруги, ний з першим виводом п'ятого резистора 8, другий перший та другий коливальні контури, конденсавивід якого з'єднаний з першим виводом другого тор, біполярний транзистор і загальну шину введжерела постійної напруги 16, база другого біподено другий біполярний транзистор, двозатворний лярного транзистора 12 з'єднана з другим виводом МДН транзистор, перший, другий, третій, четверчетвертого резистора 7 і першим виводом шостого тий, п'ятий, шостий і сьомий резистори, другий резистора 9, другий вивід якого з'єднаний з другим конденсатор і друге джерело постійної напруги, виводом сьомого резистора 10 і першим виводом причому перший вивід першого конденсатора другого коливального контуру 14, що утворюють з'єднаний з першим виводом першого коливальнопершу ви хідну клему, при цьому другий вивід друго контуру і утворюють першу вхідну клему, другий гої ємності 3 з'єднаний з другими виводами першовивід першого конденсатора з'єднаний з базою го 1 і другого 14 коливальних контурів, другими першого біполярного транзистора, другим вивовиводами першого 15 і другого 16 джерел постійдом першого резистора і першим виводом другого ної напруги та другими виводами другого 5 і тререзистора, емітер першого біполярного транзистотього 6 резисторів, що утворюють другу вхідну і ра з'єднаний зі стоком і першим затвором двозатдругу ви хідну клеми, що підключені до загальної ворного МДН транзистора, першими виводами шини 17. третього і четвертого резисторів, колектор першоЕлектричне керований помножувач частоти го біполярного транзистора з'єднаний з першими працює таким чином. виводами першого резистора, другого конденсаРадіосигнал з першого коливального контуру 1 тора і першого джерела постійної напруги, витік через перший конденсатор 2 надходить на перший двозатворного МДН транзистора з'єднаний з емібіполярний транзистор 11. Перший біполярний тером другого біполярного транзистора, колектор транзистор 11 спільно з першим 4, другим 5 і треякого з'єднаний з першим виводом сьомого резистім 6 резисторами утворюють емітерний повторютора, другий затвор двозатворного МДН транзисвач, коефіцієнт передачі по напрузі якого дорівнює тора з'єднаний з першим виводом п'ятого резистоодиниці. Радіосигнал з емітера першого біполярра, другий вивід якого з'єднаний з першим ного транзистора 11 надходить на транзисторну виводом другого джерела постійної напруги, база структур у на основі другого біполярного транзисдругого біполярного транзистора з'єднана з другим тора 12, двозатворного МДН транзистора 13, четвиводом четвертого резистора і першим виводом вертого 7, п'ятого 8, шостого 9 і сьомого 10 резисшостого резистора, другий вивід якого з'єднаний з торів, яка має сімейство статичних вольтдругим виводом сьомого резистора і першим виамперних характеристик L-типу. При розташуванні водом другого коливального контуру, що утворюробочої точки на спадаючій ділянці статичної ють першу ви хідну клему, при цьому другий вивід вольт-амперної характеристики повний опір зміндругої ємності з'єднаний з другими виводами перному струму транзисторної структури на електро 5 38506 6 дах стік двозатворного МДН транзистора 12 та родах стік двозатворного МДН транзистора 13 і другого виводу сьомого резистора 10 має від'ємдругого виводу сьомого резистора 10, величина ний диференційний опір активної складової та якої залежить від напруги живлення другого джереактивну складову ємнісного характеру, величирела постійної напруги 16. Від'ємний опір на елекни яких залежать від величини напруги першого 15 тродах стік двозатворного МДН транзистора 13 і і другого джерел 16 постійної напруги. Др угий кодругого виводу сьомого резистора 10 компенсує ливальний контур 14 призначений для виділення втрати у другому коливальному контурі 14 і колах необхідної спектральної складової вихідного струнастроювання електричне керованого помножуваму, при цьому, розташування робочої точки поблича частоти, що призводить до підвищення потужзу початку спадаючої ділянки статичної вольтності вихідного сигналу. Подальша зміна напруги амперної характеристики відповідає режиму попершого 15 і другого 16 джерел постійної напруги двоєння частоти, а розташування робочої точки призводить до зміни величини реактивної складопоблизу середини спадаючої ділянки статичної вої повного опору транзисторної структури, що вольт-амперної характеристики відповідає режиму розширює діапазон частот вхідних радіосигналів. потроєння частоти вхідного радіосигналу. ЕлектКонденсатор три виконує блокуючу функцію для рична перебудова резонансної частоти другого запобігання проходження змінного струму між коливального контуру 14 здійснюється шляхом джерелом постійної напруги 15 та загальною шизміни величини внесеної реактивної складової ною 17. повного опору транзисторної структури на елект Комп’ютерна в ерстка В. Мацело Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601