Активний коливальний контур

Активний коливальний контур, який містить перший польовий транзистор, вивід витоку якого через паралельно з'єднані перший резистор і перший конденсатор з'єднаний з загальною шиною, вивід затвора через другий резистор з'єднаний з загальною шиною і через послідовне з'єднання третього резистора і другого конденсатора з'єднаний з виводом стоку першого польового транзистора і першим виводом четвертого резистора, дру 3 38679 4 четвертий конденсатор з'єднаний з клемою колирежимі перетворювача іммітанса з спільним стовального контур у, яка через п'ятий конденсатор ком. В результаті прямого перетворення опору R5 з'єднана з загальною шиною, відповідно до корисвхідний іммітанс між витоком і стоком володіє ниної моделі введено другий польовий транзистор зько добротним індуктивним характером, який сувивід витоку якого під'єднаний до загальної шини, місно з ємністю С13 реалізує паралельний колививодом стоку через шостий конденсатор з'єднавальний контур. Паралельно ємності С13 ний з клемою коливального контуру і через п'ятий підключений другий транзистор VT14, який працює резистор з'єднаний з клемою живлення, а вивід як перетворювач іммітанса з спільним істоком і затвора другого польового транзистора через перетворюючий іммітанс ємності С17. В залежноссьомий конденсатор з'єднаний з загальною шиною ті від полярності напруги на емітері цей перетвоі з загальною клемою комутатора, перша клема рювач володіє властивостями конвертора або інякого через перше джерело зміщення з'єднана з вертора іммітанса. При позитивному потенціалі загальною шиною, друга клема комутатора через емітера він володіє властивостями конвертора друге джерело зміщення також з'єднана з загальіммітанса, і вихідний іммітанс транзистора 14 є ною шиною. ємнісним з від'ємною активною складовою, що На кресленні наведено схему електричну забезпечує високу добротність коливального конпринципову активного коливального контур у. 1 туру на частоті f01 = , Пристрій містить перший польовий транзистор 2p (C1+ CB C2 )LBC1 1 та другий польовий транзистор 14, причому виде СВс2 і LBC1 - ємність і індуктивність між витовід витоку першого польового транзистора 1 під'ком і стоком транзистора 14 і транзистора 1, відєднано через паралельно з'єднані перший резисповідно. При подачі на емітер транзистора 14 натор 2 і перший конденсатор 3 з загальною шиною пруги запирання, він працює як інвертор іммітанса 4, вивід затвора першого польового транзистора 1 і перетворює ємнісний опір конденсатора 17 в інчерез другий резистор 5 з'єднаний з загальною дуктивний з від'ємною активною складовою. Це шиною 4 і через послідовне з'єднання третього забезпечує високу добротність коливального конрезистора 6 і другого конденсатора 7 з'єднаний з виводом стоку першого польового транзистора 1 і 1 туру на частоті f02 = , де першим виводом четвертого резистора 8, другий 2 p C13 L B C1 + L BC 2 вивід якого під'єднаний до клеми живлення 9, яка через третій конденсатор 10 з'єднана з загальною LBC1 - індуктивність між витоком і стоком транзисшиною 4, а вивід стоку першого польового транзитора 14. У випадку, коли С13>>CBC2 , що досягастора 1, через четвертий конденсатор 11 зєднаний ється вибором С17LBC1 з клемою коливального контуру 12, яка через п'я (досягається вибором R5) отримуємо коефіцієнт тий конденсатор 13 з'єднана з загальною шиною 4, перекриття по частоті рівній другий польовий транзистор 14, вивід витоку якого під'єднаний до загальної шини 4, а вивід стоку f01 / f 02 = LBC2 / LBC1. Використана схема авпольового транзистор 14 під'єднано через шостий томатичного зміщення в якій по постійному струмі конденсатор 15 з клемою коливального контуру 12 транзистор 1 включається по схемі з спільним виі через п'ятий резистор 16 з'єднаний з клемою житоком. Для керування потенціалом емітера виковлення 9, а вивід затвора другого польового транристовується комутатор 19 і два джерела зміщензистора 14 через сьомий конденсатор 17 з'єднаня 21 і 23. Коливальний контур, реалізований на ний з загальною шиною 4 і з загальною клемою ІПТ-структурі типу 3П321А при Іс=7мА забезпечує комутатора 18 перша клема якого 20 через перше на частоті 1ГГц добротність 120 одиниць при темджерело зміщення 21 з'єднана з загальною шиною пературній нестабільності частоти 10-4%град-1 Змі4, друга клема 22 комутатора 19 через друге джена напруги на емітері від -1,2В до +0,1В забезперело зміщення 23 з'єднаний також з загальною чила зміну частоти від 1ГГц до 100МГц. шиною 4. Пристрій працює наступним чином. Використовується УПІ на транзисторі VT1, працюючий в ( ) 5 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 38679 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601