Спосіб контролю матеріалів, прозорих в інфрачервоному (іч) діапазоні випромінювання

Спосіб контролю якості матеріалів, прозорих в ІЧ-діапазоні випромінювання, який включає реєстрацію температурного поля зразка за допомогою 3 38990 яка нанесена на підложку з матеріалу, що пропускає ІЧ випромінювання спочатку тільки об'єктиву системи і визначають величину розподільної здатності тепловізійної системи, а потім між тест - системою та об'єктивом вводять зразок, що контролюється, реєструють температурне поле і знову визначають величину розподільної здатності і по різниці між цими величинами оцінюють якість зразка. Позитивний ефект запропонованої корисної моделі пояснюється тим, що спосіб має: - можливість контролювати зразки без їх нагріву. - універсальність, а саме дозволяє контролювати якість різних кристалів, полікристалів та скла, прозорих в ІЧ діапазоні. - в порівнянні з прототипом запропонований спосіб має меншу тр удомісткість процесу контролю. Схема пристрою для реалізації способу приведена на Фіг.1. Спосіб реалізується таким чином. На Фіг.1 наведено схему реалізації способу. Випромінювання від джерела ІЧ випромінювання (1) проходить через прозорі віконця між плівковими лініями ґратки (2) та ІЧ об'єктив (4) та реєструється тепловізійною системою (5). Спочатку розподільна здатність об'єктива (4) тепловізійної системи (5) визначається без зразка (3), а потім зі зразком. Для встановлення межі розподільної здатності положення ґраток може змінюватись завдяки обертанню на кут а навколо вісі, що паралельна лініям ґратки. Якість зразка, що контролюється визначається по різниці величини розподільної здатності зображення ґраток без зразка, що контролюється та зі зразком. При вимірюваннях розподільної здатності ґратки можна повертати навколо вісі, що паралельна лініям ґратки. Крім того зразок, що контролюється має виготовлятись, як плоско-паралельна пластина з полірованими зовнішніми сторонами. 4 Новизна запропонованого винаходу полягає в тому, що він містить в собі нові прийоми і операції контролю прозорих в ІЧ діапазоні матеріалів. Приклад реалізації Для реалізації запропонованої технічного рішення було виготовлено тест-об'єкт на пластинці кварцу, на яку у вакуумі напилено алюміній, а потім використали фотолітографію для отримання малюнка ґратки. Кількість пар ліній 0,5-5 на мм. Джерелом ІЧ освітлення була скляна пластина 100×200мм 2 з напиленим в вакуумі шаром легованого SnO2 через яку пропускали електричний струм а також джерело інфрачервоного світла (лампа розжарювання з скляним балоном червоного кольору). Для реєстрації тепловізійного зображення ґратки було використано експериментальний тепловізор з германієвим об'єктивом. Контроль якості проводили на зразках кристалів штучного корунду у вигляді плоско - паралельних пластин з полірованими сторонами товщиною 20мм. Без зразка було визначено 5 пар ліній на мм і в випадку якісного зразка 5 пар ліній на мм, а в випадку кристалу з дефектом розподільна здатність зменшувалась до 1 пари ліній на мм. При цьому було підтверджено можливість забезпечення поставленої задачі, а саме здійснення контролю якості без нагріву зразка, що досліджується. Джерела інформації: 1. В.П. Маслов, Т.С. Мельник, В.А. Одарич, Эллипсометрический способ контроля качества полирования деталей, а.с. СРСР 1366878 від 15.01.88 бюл. №2 2. Е.В. Берников, С.С. Гапонов, В.И. Туринов, Способ ИК-дефектоскопии, российский патент №92007717 опуб. 27.02.1995 3. В.Г. Костишин, Л.М. Летюк, О.Е. Бугакова, Е.А. Ладыгин, A.M. Мусалитин, Оптический способ контроля кристаллов со структурой граната, российский патент №2093922 опуб. 20.10.1997 4. О.Н. Буданин, СВ. Баранов, М.Н. Слитков, Л.А. Соболь Способ теплового контроля технического состояния нагревателей электрических стеклопластиковых тонкослойных, российская заявка на изобретение №2006118137 опуб. 10.12.2007. 5 Комп’ютерна в ерстка А. Рябко 38990 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601