Електрично керований фазообертач діапазону нвч

Електрично керований фазообертач діапазону НВЧ, який містить двозатворний польовий транзистор, перший і другий резистори, ємність, джерело постійної напруги і загальну шину, причому перший вивід першого резистора є першою вхідною клемою, другий вивід першого резистора з'єднаний з другим затвором двозатворного польового транзистора, стік якого з'єднаний з першим виводом другого резистора, друга вхідна і друга ви хідна клеми з'єднані із загальною шиною, який відрізняється тим, що в нього введено МДН U 1 3 39839 4 елементів і зв'язків між ними досягається компенра 5, другий вивід другого резистора 9 з'єднаний з сація активних втрат потужності НВЧ сигналу віпершим виводом другого джерела постійної напруд'ємним опором активної складової повного опору ги 10, вихідна клема підключена до другого виводу на електродах стік двохзатворного польового традругої ємності 11, при цьому колектор біполярного нзистора і стік МДН транзистора, що призводить транзистора 8 з'єднаний з другим виводом четвердо підвищення потужності вихідного НВЧ сигналу, того резистора 5 та другими виводами першого 1 і а також покращення режиму живлення, що придругого 10 джерел постійної напруги, що утворюзводить до підвищення стійкості. ють другу вхідну і др угу ви хідну клеми, які підклюПоставлена задача вирішується тим, що в чені до загальної шини 12. електрично керований фазообертач діапазону Електрично керований фазообертач діапазону НВЧ, який містить двохзатворний польовий транНВЧ працює таким чином. зистор, перший і другий резистори, ємність, джеВ початковий момент часу НВЧ сигнал подарело постійної напруги і загальну шину, причому ється через перший резистор 2, що виконує функперший вивід першого резистора є першою вхідцію узгодження фазообертача з джерелом НВЧ ною клемою, другий вивід першого резистора з'єдсигналу, на др угий затвор дво хзатворного польонаний з другим затвором двохзатворного польовового транзистора 6. НВЧ сигнал при проходженні го транзистора, стік якого з'єднаний з першим через двохзатворний польовий транзистор 6 змівиводом другого резистора, друга вхідна і друга нює фазу під дією зміни ємнісної складової повновихідна клеми з'єднані із загальною шиною, ввего опору на електродах стік двохзатворного дено МДН транзистор, біполярний транзистор, польового транзистора 6 і стік МДН транзистора 7 третій і четвертий резистори, другу ємність і друге та послідовно включеної з ним індуктивної складоджерело постійної напруги, причому перший вивід вої повного опору на електродах емітер-колектор першого джерела постійної напруги з'єднаний з біполярного транзистора 8. Фазозсуваюче коло з першим виводом третього резистора, другий вивід послідовно з'єднаних першої ємності 4 і четвертоякого з'єднаний з першим затвором двохзатворного резистору 5 доповнює необхідну різницю фаз го польового транзистора, стік якого з'єднаний з для отримання індуктивної складової повного опопершими виводами другого резистора, затвором ру на електродах емітер-колектор біполярного МДН-транзистора та першим виводом другої ємтранзистору 8. Величини ємнісного опору на елекності, до другого виводу якої підключена перша тродах стік двохзатворного польового транзистора вихідна клема, другий вивід другого резистора 6 і стік МДН транзистора 7 та індуктивного опору з'єднаний з першим виводом другого джерела пона електродах емітер-колектор біполярного транстійної напруги, витік двохзатворного польового зистора 8 регулюються зміною напруги першого 1 і транзистора з'єднаний з витоком другого МДН другого 10 джерел постійної напруги. Підвищення транзистора, стік якого з'єднаний з першим вивонапруги першого 1 і другого 10 джерел постійної дом першої ємності та емітером біполярного траннапруги призводить до виникнення від'ємного дизистора, база якого з'єднана з другим виводом ференційного опору активної складової повного першої ємності і першим виводом четвертого реопору на електродах стік двохзатворного польовозистора, другий вивід якого з'єднаний з колектого транзистора 6 і стік МДН транзистора 7. Підвиром біполярного транзистора і другими виводами щення потужності вихідного НВЧ сигналу зумовпершого і другого джерел постійної напруги, що лено компенсацією від'ємним опором активних підключені до загальної шини. втрат у навантаженні та колах настроювання елеНа кресленні подано схему електрично кероктрично керованого НВЧ фазообертача. Величина ваного фазообертача діапазону НВЧ, який містить навантаження електрично керованого НВЧ фазооперше джерело постійної напруги 1, перший 2, бертача визначається з умови забезпечення стійдругий 9, третій 3 і четвертий 5 резистори, першу кої роботи пристрою у робочому діапазоні частот. ємність 4, двохзатворний польовий транзистор 6, Другий резистор 9 обмежує струм другого джереМДН транзистор 7, біполярний транзистор 8, друге ла постійної напруги 10 на частоті послідовного джерело постійної напруги 10, другу ємність 11 і резонансу. Третій резистор 3 використовується загальну шину 12, причому вхідна клема підклюдля запобігання електричного пробою двохзатворчена до першого виводу першого резистора 2, ного польового транзистора 6 по першому затводругий вивід якого з'єднаний з другим затвором ру. Друга ємність 11 призначена для запобігання двохзатворного польового транзистора 6, перший проходження постійної складової струму у наванвивід першого джерела постійної напруги 1 з'єднатаження. ний з першим виводом третього резистора 3, друВикористання запропонованого пристрою сутгий вивід якого з'єднаний з першим затвором тєво підвищує потужність вихідного НВЧ сигналу двохзатворного польового транзистора 6, стік якоза рахунок компенсації активних втрат потужності го з'єднаний з першими виводами другого резисвід'ємним опором активної складової повного опотора 9 і другої ємності 11 та затвором МДН транру, який виникає на електродах стік двохзатворнозистора 7, витік якого з'єднаний з витоком го польового транзистора і стік МДН транзистора, двохзатворного польового транзистора 6, стік МДН а також підвищує стійкість за рахунок покращення транзистора 7 з'єднаний з першим виводом перрежиму живлення по постійному струму, що обушої ємності 4 та емітером біполярного транзистомовлено застосуванням другого джерела постійної ра 8, база якого з'єднана з другим виводом першої напруги. ємності 4 та першим виводом четвертого резисто 5 Комп’ютерна в ерстка А. Крижанівський 39839 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601