Реакційна камера для нанесення карбідних покриттів

Реакційна камера для нанесення дифузійних покриттів, що містить корпус з кришкою, які виконані з жаростійкої сталі, встановлений в корпусі стакан з графітовим дном, та розміщену у стакані вставку для виробів, при цьому кришка споряджена ємністю для насичуючої суміші, яка відрізняється тим, що ємність додатково містить стакан з конусним затвором, який з'єднано з магнітним замком. (19) (21) u201003540 (22) 26.03.2010 (24) 25.10.2010 (46) 25.10.2010, Бюл.№ 20, 2010 р. (72) ЛОСКУТОВА ТЕТЯНА ВОЛОДИМИРІВНА, БОБІНА МАРИНА МИКОЛАЇВНА, ХИЖНЯК ВІКТОР ГАВРИЛОВИЧ, ПОГРЕБОВА ІННА СЕРГІЇВНА, БОБІН АНДРІЙ БОРИСОВИЧ, ДЕГУЛА АНДРІЙ ІВАНОВИЧ, МЕДОВА ІРИНА ЮРІЇВНА (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ "КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИ 3 53890 виводиться через патрубок для відводу води 6. До кришки за допомогою магнітного замка 7 пристосовується приспособа для насичуючої суміші, яка складається з стакану 8, в який завантажують насичуючу суміш і конусного затвору 9 . Вироби 10, що підлягають обробці, розміщені на вставці 11, яка, в свою чергу, розташована в стакані. Стакан складений з труби 12, виготовленої з інертного жаростійкого матеріалу та дна 13, виготовленого з графіту та вільно вставленого в трубу. Процес насичення в реакційній камері нової конструкції здійснюється наступним чином: обезжирені вироби 10 на спеціальній вставці 11 розміщують в стакані, що складається з труби 12, виготовленої з інертного матеріалу, з графітовим дном 13 і завантажують в реакційну камеру. В приспособу для насичуючої суміші, яка складається з стакану для насичуючої суміші 8 і конусного затво 4 ру 9, який закріплений з можливістю відкриття за допомогою магнітного замка 7 завантажують насичуючу суміш, кількість якої в 1,2-1,5 рази менша, чим при здійсненні насичення за найближчим аналогом. Камеру з вмістом вакуумують до тису 10 1 мм. рт. ст., нагрівають до температур насичення, ще раз вакуумують до тиску 10-1мм. рт. ст. Після цього в реакційний простір вводять насичуючу суміш, для чого відмикають магнітний замок 7 та відкривають конусний затвор 9. Далі вводять чотирихлористий вуглець із розрахунку 5мл/м2 робочої поверхні та здійснюють витримку. Після закінчення процесу нанесення покриттів виріб разом з камерою охолоджують до кімнатної температури. Приклади досліджень запропонованої реакційної камери представлені в таблиці, при цьому приклади 1-3 відносяться до найближчого аналога. Таблиця Приклади складу насичуючих сумішей та деяких характеристик покриттів, отриманих за найближчим аналогом та в реакційній камері нової конструкції (матеріал який насичується - сталь У8А, температура процесу - 1050ºС, час витримки - 2 години) № 1 2 3 4 5 6 Склад насичуючої суміші Порошок хрому ССl4 Порошок ніобію ССl4 Порошок хрому Порошок ніобію ССl4 Порошок хрому ССl4 Порошок ніобію ССl4 Порошок хрому Порошок ніобію ССl4 Вміст елементів 80г/м2 5мл/м2 80г/м2 5мл/м2 40г/м2 40г/м2 5мл/м2 70г/м2 5мл/м2 70г/м 5мл/м2 35г/м2 35г/м2 2 5мл/м Таким чином заміна в конструкції ємності для насичуючої суміші на приспособу для насичуючої суміші, яка складається з стакану для завантаження насичуючої суміші і конусного затвору, який закріплений з можливістю відкриття за допомогою магнітного замка. Така приспособа дає можливість провести повне і рівномірне введення насичуючої суміші в реакційну камеру при досягненні необхідної температури. Насичуючою сумішшю може бути порошок будь-якого карбідоутворюючого металу Товщина шару, мкм Мікротвердість, ГПа 17,0 22,5 12,0 27,5 20 26 18,0 22 11,0 27 22 26 чи суміш таких порошків. Розташування насичуючої суміші у верхній частині реакційної камери запобігає карбідизації порошків під час нагрівання та протікання неізотермічної цементації. Запропонована реакційна камера для нанесення карбідних покриттів не складна з технологічної точки зору, вибухобезпечна, не вимагає багатовартових елементів конструкції реакційної камери, висококваліфікованого обслуговуючого персоналу, екологічно безпечна. 5 Комп’ютерна верстка А. Крулевський 53890 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601