Резонансна п’єзоелектрична система

Резонансна п'єзоелектрична система, яка містить акустично незв'язані резонатори, виконані на єдиній п'єзоелектричній пластині, що здійснює коливання зсуву по товщині і має виступи між сусідніми резонаторами та в якій на першій основній грані п'єзоелектричної пластини виконано повздо 3 проточок. Додаткові електроди розміщені на виступах внутрішньої поверхні кришок із зазором між електродом і внутрішньої площиною проточки та електричні виводи до основного і додаткових електродів, які розміщені на бічній грані кришок. Відстань "а" між осьовими лініями двох будьяких додаткових поруч розташованих проточок при різній глибині додаткових проточок під однаковим кутом до повздовжньої осі обирається за умови f  f f f a  n  k n  k 1 n 1 L fn  f1 fn  k fn  k 1 , де k = 1,2,3,... n; L - відстань між осьовими лініями першої та останньої додаткових проточок уздовж осі п'єзоелектричної пластини. Підвищення міцності резонаторів резонансної п'єзоелектричної системи пояснюється постійною товщиною кожного резонатора, який утворюється перекриттям повздовжньої проточки і вибраної додаткової проточки. Технічний результат, який може бути отриманий при здійсненні корисної моделі, полягає у підвищенні міцності резонаторів, які утворюються перекриттям повздовжньої проточки і додаткових проточок, при частоті основної моди коливань резонатора до 170 МГц. На фіг. 1 приведено вигляд резонансної п'єзоелектричної системи, де: а - вигляд зверху, б вигляд з боку, в - поперечний розтин А-А', г - поперечний розтин В-В'. На фіг. 2 приведено графіки амплітудночастотних характеристик, де: a - одного з деяких резонаторів; б - резонансної п'єзоелектричної системи. Запропонована резонансна п'єзоелектрична система містить акустично незв'язані резонатори, виконані на єдиній п'єзоелектричний пластині 1, що здійснює коливання зсуву по товщині і має виступи 10 між сусідніми резонаторами. На першій основній грані п'єзоелектричної пластини виконано повздовжню проточку постійної глибини 2, осьова лінія якої поєднана з повздовжньою віссю п'єзоелектричної пластини. На другій основній грані виконані додаткові проточки різної глибини під однаковим кутом до повздовжньої осі п'єзоелектричної пластини та дві кришки корпусу 6, 7, профіль внутрішньої поверхні яких виконано зворотним профі 61318 4 лю відповідної основної грані п'єзоелектричної пластини. Висота виступів кришок виготовлена менше глибини проточок 2, 3, додаткові електроди 5, що розміщені на виступах внутрішньої поверхні кришок 6 із зазором між основним електродом 4 і внутрішньої площиною проточки та електричні виводи 8, 9 до основного 4 і додаткових електродів 5. Робота резонансної п'єзоелектричної системи (фіг. 1) полягає в наступному. При підключенні змінної напруги U до основного електрода 4, через електричний вивід, і вибраного додаткового електроду 5, через відповідний електричний вивід 9, між обраними електродами виникає електричне поле. П'єзоелектрична пластина, що утворюється перекриттям повздовжньої проточки 2 і вибраної додаткової проточки 3, починає коливатися з частотою механічних коливань, яка визначається товщиною пластини (фіг. 2). При підключенні змінної напруги U відразу до декількох резонаторів, які мають різну товщину за рахунок різної глибини додаткових проточок 9, отримується кілька резонансних частот fSN, близько розташованих одна від одної, тобто стабільну (кварцовану) сітку частот. Виступи 10 між сусідніми електродами мають прямі бічні поверхні, виконані для зменшення енергії, що генерується кожним з резонаторів в міжрезонаторній зоні та забезпечують незалежність роботи кожного з них. Електроди, які розміщені на виступах внутрішньої поверхні кришок з зазором між електродом і внутрішньої площиною проточки, знижують ємність п'єзоутримувача (С0) і значно збільшують добротність резонатора. Джерела інформації: 1. А. с. 726654 СССР, МКИ Н03Н 9/14. Монолитная резонансная пьезоэлектрическая система / Л.Б. Скобелкина, А.И. Чурсин, В.Д. Лавренцов. - № 2640984/18-23; Заяв. 10.07.78; Опубл. 05.04.80, Бюл. № 13. 2. Патент на корисну модель № 54959 Україна, МПК Н03Н 9/00. Резонансна п'єзоелектрична система / С.А. Макаров, М.Р. Арасланов, О.В. Висоцький, Р.В. Воробйов. - № u2010 07754; Заявл. 21.06.2010, Опубл. 25.11.2010. Бюл. № 22. - 4 с. 5 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 61318 6 Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601