Спосіб підвищення якості лазерної сегментації ембріона

Спосіб підвищення якості лазерної сегментації ембріона, який містить задавання допустимої температури у точках дії лазера на ембріон, за цим значенням розраховуються послідовні наближення потужності лазера, здійснюється встановлення 3 наступних операцій: задається допустима температура у точках дії лазера на ембріон, за цим значенням розраховуються послідовні наближення потужності лазера, здійснюється встановлення параметрів лазера, далі лазер діє на ембріон, згідно з корисною моделлю попередньо визначається стадія розвитку ембріона, кількість зародків та структура їх розташування, радіус кулі ембріона, далі за заданою допустимою температурою ембріона розраховується базова потужність лазера при діленні ембріона у площині, що проходить через центр ембріона (кулі), розраховується траєкторія та місце ділення (перетинання) ембріона лазерним променем, знаходиться радіус кола відповідного місцю перетинання ембріона, у відповідності зі значенням цього радіусу здійснюється корегування потужності лазера, шляхом множення базової потужності лазера на відповідний коефіцієнт корегування, який менше або дорівнює одиниці. Позитивним технічним результатом є те, що спосіб забезпечує досить просте корегування базової потужності лазера в залежності від місця дії лазерного променя на ембріон, а це дозволяє забезпечити виконання обмеження на температурний режим ембріона при його діленні, що, у свою чергу, гарантує збільшення виходу життєздатних частин ембріона. При пошуку в патентній та науково-технічній літературі не знайдено об'єктів з ознаками, подібними до відмінних ознак технічного рішення, що заявляється, на підставі чого можна зробити висновок про відповідність його критерію «суттєві відмінності». На кресленні зображено: а) - ембріон з прикладом його перетинання лазерним променем; в) розподіл амплітуди потужності лазера після його корегування. Спосіб реалізується наступним чином. Для визначення геометричних та фізикомеханічних характеристик ембріона, як спосіб та пристрій для його реалізації застосовується [Патент. Україна. № 39418. Кл. A61D19/02. 2001. Бюл. № 9. Спосіб визначення якості ембріонів. Путятін В.П. та ін.] 62051 4 Далі першим наближенням профілю потужності лазера є базовий прямокутний імпульс з амплітудою Рmах = 25т, який діє на відрізку часу [0, t0] (t0 = 1 мс) у площині, що проходить через центр ембріона та діє на відрізку [-R, R] (креслення а)). Ширина відрізку дії лазера на ембріон - мінімально можлива, яка може бути забезпечена апаратно. Для забезпечення корегування базового профілю потужності лазера, в залежності від місця його дії на ембріон, одержимо відповідний коефіцієнт, який враховує «товщину ембріона» у місці дії лазера. Нехай лазер діє на відстані α від центра кулі ембріона (креслення а)). Тоді радіус кола r у відповідному перетині (креслення а)) на відстані х=α визначається з рівняння кулі: x 2  y 2  z 2  R2 (креслення а)) та має значення r  R2  a2 . Таким чином, корегування амплітуди Рmах базового прямокутного імпульсу у залежності від місця його дії на ембріон, здійснюється за допомогою наступного співвідношення Pa  R 2  a 2 Pmax , де α - відстань від центра площини, що перетинає ембріон; R - радіус ембріона; Рmах - максимальна амплітуда базового прямокутного імпульсу потужності лазера, для випадку його проходження через центр ембріона; ≈ - наближення, оскільки реальна форма ембріона частково відрізняється від кулі. Дійсно, для R=1 та α=0, тобто коли перетинання ембріона здійснюється по його центру, маємо Ра =Рmах . Для R=1 та α=R, маємо Рα =0, тобто коли лазер діє поза ембріоном. Таким чином, коефіцієнт корегування 0 ≤ г(α) ≤ 1 при умові, що R=l. На кресленні b) показано результат корегування амплітуди базового профілю потужності лазера при його дії у площині на відстані а від центра ембріона. Спосіб може бути використано у мікробіологічних лабораторіях на станціях штучного запліднення сільськогосподарських тварин, при його застосуванні як лазера-скальпеля у мікрохірургії, а також при проведенні наукових досліджень у медицині та біології. 5 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 62051 6 Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601