Матеріал для амплітудно-фазового оптичного запису

Матеріал для амплітудно-фазового оптичного запису, що містить багатошарову періодичну структуру з халькогенідних стекол, який відрізняється тим, що матеріал для фазового оптичного запису виконано у вигляді періодичної шаруватої структури з As20S80 та As20Se80 з товщиною шарів 2 3 нм, а матеріал для амплітудного оптичного запису виконано у вигляді періодичної шаруватої структури з Те з товщиною шарів 0,5 0,55нм та As2 S3 з товщиною шарів 5,0 5,5 нм . (19) (21) 20041008260 (22) 11.10.2004 (24) 17.04.2006 (46) 17.04.2006, Бюл. № 4, 2006 р. (72) Шипляк Мирослав Михайлович, Іван Степан Яношович, Мальованик Михайло Михайлович, Кикинеші Олександр Олексанндрович, Беке Дежев , HU, Сабо Іштван , HU (73) Ужгородський національний університет (56) UA 33134, 15.05.2002 Goglidze T.I. et al. Photoelectric properties of multiplayer structures on the base of chalcogenide 3 75535 4 ном, що матеріал для амплітудно-фазового оптичпри переході до структури а-Те/Аs2S3, в якій товного запису, що містить багатошарову періодичну щини окремих субшарів Те і AS2S3 становлять 0.5 структуру з халькогенідних стекол, який, згідно нм і 5 нм, відповідно, для забезпечення оптимальвинаходу, відрізняється тим, що матеріал для фаного поглинання на довжині хвилі записуючого зового оптичного запису виконано у вигляді випромінювання (гелій-неоновий лазер, =0.63 періодичної шароватої структури з As20S80 та мкм). Коефіцієнт фотодифузії для такої структури As20Se80 з товщиною шарів 2 3 нм, а матеріал становить D=3 10-17 м2 с-1, в той час, як для нанодля амплітудного оптичного запису виконано у структури a-Se/As2S3 D=7.3 10-23 м2 с-1, що значно вигляді періодичної шаруватої структури з Те з підвищує швидкість зміни оптичних параметрів товщиною шарів 0.5 0.55нм та As2S3, з товщиною (світлочутливість) за рахунок стимульованого шарів 5.0 5.5 нм . світлом змішування компонент наноструктури. Із системи As-S-Se був вибраний розріз Світлочутливість наноструктури Te/As2S3 при цьоAs20S80 - As20Se80, де спостерігається максимальна му вдається підвищити до значення S=0.5 см2 Дж1 нелінійність на залежності густини матеріалу від у порівнянні із значенням S для a-Se/As2S3 0.01 складу змішуваних компонент, внаслідок якого см2 Дж-1, тобто в 50 разів (при густині потужності одержана значна фотоіндукована зміна об'єму (до записуючого променя 28 Вт/см2). 10.6% від загальної товщини багатошарової струкОскільки поглинання світла в наноструктурі тури типу As20S80 / As20Se80 (Фіг.1 та Фіг.2). Те/Аs2S3 відбувається у активних до дії світла шаМатеріал для оптичного запису рах Те, а шари Аs2S3 є майже прозорими, то в виготовляється у вигляді періодичної результаті їх змішування під дією випромінювання багатошарової структури As20S80/As20Se80 з товгелій-неонового лазера з утворенням твердих щиною субшарів (2-3) нм і загальною товщиною розчинів As-S-Te спостерігається високоенерге1,7 мкм, яка при зміні об'єму (товщини) плівки на тичний зсув краю поглинання на 0.45 еВ. В свою 10% вже може привести до створення рельєфу чергу це приводить до збільшення оптичного про(при записі ґратки) з максимально можливою пускання т на довжині хвилі =0.63 мкм на 240 % голографічною дивракційною ефективністю ~30%. (Фіг.3) (для порівняння максимальна зміна пропусДальше підвищення загальної товщини вихідної кання для структури a-Se/As2S3 становить 50 %.) структури дає змогу записувати і більш високі На Фіг.1. приведений тривимірний атомноповерхневі рельєфи. Перевага даного носія є та, силововий мікроскопічний знімок поверхневого що запис поверхневого (фазового) рельєфу прорельєфу на As20S80/As20Se80. ходить в реальному режимі часу без хімічного На Фіг.2. приведений поперечний переріз попідсилення за рахунок значного збільшення об'єму верхневого рельєфу, одержаний в атомнопри освітленні найбільш поширеними гелійсиловому мікроскопі. Зміна об'єму і відповідна винеоновим ( =0.63 мкм) та аргоновим ( =0.514 сота поверхневого рельєфу в режимі оптичного мкм) лазерами. Позитивний ефект досягається запису на =0,514 мкм складає d/d=9,4 %. саме за рахунок суміщення тонких, нанометрових На Фіг.3. приведена зміна оптичного пропусшарів оскільки зміна об'єму в однорідній плівці кання т по відношенню до початкового пропусканAs20Se80 при освітленні гелій-неоновим ня T() на довжині хвилі записуючого лазера (He-Ne ( =0.63мкм) лазером становить 0.43 %, а у вилазер, =0.63 мкм, густина потужності 28 Вт/см2) падку однорідної плівки As20S80 зміна об'єму для багатошарових наноструктур: крива 1 - aвідсутня (при записі аргоновим лазером з =0.514 Se/As2S3, 2 -Sе60Те40/Аs2S3, 3 - a-Te/As2S3. мкм). Використовуючи в якості носія для Винахід може бути застосований для оптичноамплітудно-фазового оптичного запису багатошаго запису інформації (побітовий або голографічний рову структуру типу As20S80/As20Se80, одержано режим), для створення поверхневих рельєфів з велику фотоіндуковану зміну об'єму як при оптичним зчитуванням (аналогова інформація, освітленні гелій-неоновим так і аргоновим лазераоптичні елементи ґраток звязку, тощо в реальному ми. На Фіг.1 приведений знімок поверхневого масштабі часу, без додаткових етапів підсилення, рельєфу, зроблений в атомно-силовому мікроскопі селективного травлення) в тому числі з багатошарової структури As20S80/As20Se80 при можливістю прямого механічгого або оптичного засвітці аргоновим лазером =0.514 мкм з густикопіювання. ною потужності Р=2,5 Вт/см2. На перерізі рельєфу Джерела інформації: (Фіг.2) видно, що висота максимуму в одноступе1. Кикинеши А.А. Квантовая электроника (Киневому процесі без селективного травлення приев), 1989, т.37, с.31-41. 2. Пластина для реверсивной оптической заблизно рівна (150-160) нм, що при загальній товщині плівки d=1.7 мкм дає розширення ~9.4 %, писи. АС СССР №570008 МКИ G03G5/00 авторов А.А.Кикинеши, Д.Г. Семак, И.И.Туряница, дата близьке до значення одержаного при обчисленні зміни об'єму по залежності густини матеріалу від опубликования 22.09.1977г. 3. Kikineshi A. Optical Engineering, 1995, v.34, його складу. Відхилення зобумовлені втратами при вимірюваннях. 1040-1043. 4. Реєструючий матеріал для запису голограм. Підвищення світлочутливості в режимі амплітудного запису відомого матеріалу аПатент на винахід №33134 від 15.05.2002. Бюл. №5. Авторів Кикинеші 0.0., Шипляк М.М., Пальок Sе/Аs2S3 досягається за рахунок введення Те в aSe, тобто виготовленням багатошарової наностВ.Ю., Мишак О.О., Беке Д., Сабо І. – прототип. руктури типу SехТе100-х/Аs2S3. При цьому максимальна чутливість таких наноструктур досягається 5 Комп’ютерна верстка М. Клюкін 75535 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601