Спосіб вертикального оптичного запису та зчитування інформації і пристрій для його здійснення

1 Спосіб вертикального оптичного запису та зчитування інформації, який полягає в тому, що запис у кожному елементі сигналограми N бітів двійкової інформації (N=2,3, 8) здійснюють записуючим лазером, що утворює 2 N градацій оптичних товщин у оптичному носи запису згідно з інформацією, що записують, який відрізняється тим, що оптична товщина кожного елемента сигналограми відповідає k бітовим комбінаціям, де k Винахід належить до обчислювальної техніки, побутової електроніки і знайде застосування в оптичних пристроях пам'яті (ОПП) електронне обчислювальних машин (ЕОМ), цифрових грамплатівках Відомий спосіб запису ~ 103біт двійкової інформації в кожному елементі сигналограми (EC), базований на фотовипалюванні спектральних провалів в спектрі поглинання складних молекул [1] має недоліки, пов'язані з забезпеченням репродукованого синтезу необхідних оптичних середовищ, а також з необхідністю використання наднизьких «гелієвих» температур Запропонований в [2, 3] спосіб запису Юбіт в кожному EC, базований на селекції об'ємної зони реєстрації, гетеродинному зчитуванні та фазовому кодуванні інформації має недоліки, пов'язані з пошуком компромісу між чутливістю шара і числом шарів, однорідністю запису в об'ємі і неруйнівним зчитуванням > N, а зчитування інформації здійснюють на к довжинах хвиль, значення яких лежать в інтервалі 0,38 < X де Z 3 = 3 7 7 Ом, ®2 - питома електропровідність плівки Пристрій оптичного запису з дуже малим часом запису, зчитування і стирання [4] складається з випромінювачів, керованих ЕОМ і утворюючих різночастотні записуючі, зчитуючі та стираючі СВІТОВІ промені СВІТОВІ промені спрямовують на світ лоприймальний екран (СЕ) зроблений з кристала з лужних галоїдів, легованих негативними іонами присадки так, що світлоприймальний екран набуває здатності поглинати змішані і однокольорові СВІТЛОВІ промені в різних частотних ділянках світлового діапазону Завдяки цьому, світлоприймальний екран має два стана, в одному з яких забезпечується більше поглинання в частотній ДІЛЯНЦІ змішаних світлових променів і невелике поглинання в кольоровій ДІЛЯНЦІ, а в іншому - навпаки Переведення світлоприймального екрану з одного стану в ІНШІЙ задається спектральним характером падаючого на нього випромінювання Таким чином світлоприймальний екран можна використовувати як носій незникаючої двійковой ш о 00 о (О 46082 формації ти спосіб і пристрій вертикального оптичного запиЗчитування запису проводиться по рівню просу та зчитування інформації, які дозволять пускання СЕ, спрямованого на нього зчитуючого 1) збільшити СП ЩІЛЬНІСТЬ запису інформації на одиниці площі Недоліком цього пристрою є лише два біти в поверхні оптичного диску, кожному ЕС число бітів на одиницю інтервалу Дп і/або одиНайбільш близьким по технічній суті є спосіб ницю товщини реєструючого середовища, запису/зчитування ~ 4біт у кожному ЕС, запропоспектральну ЩІЛЬНІСТЬ (ЧИСЛО бітів на одиницю нований в [5] У цьому способі механізм запам'яінтервалу випромінювання ДА, зчитуючого лазера), товування базований на утворюванні провалів у 2) здійснити запис/зчитування N > 2 бітів у коспектрі відбиття лазерного випромінювання кожножному ЕС на одній довжині хвилі, го ЕС оптичного носія запису та фазовому коду3) спростити конструкцію оптичного носія заванні інформації Це дозволяє збільшити ЩІЛЬНІСТЬ пису Поставлена задача досягається тим, що запису інформації відносно моноканальних запа1) Як в одношаровому (фіг 2), так і в двошаром'ятовуючих пристроїв у 4 рази вому (фиг 1) реєструючому середовищі N бітова Загальними ознаками прототипу (способу) і комбінація у кожному ЕС кодується k бітовою комодного з варіантів запропонованого способу є вибінацією, де k > N Це означає, що зчитування інкористовування частотного параметра ("багатокоформації відбувається не на N, як в [5], а на k дольорова пам'ять") та фазового кодування інфорвжинах хвиль Зміщення nd під час запису лазером мації Тобто, зчитування інформації здійснюється відповідає саме і k бітовой комбінації, яка має бути на визначених дискретних довжинах хвиль зчитузаписана Це пов'язано з тим, що КІЛЬКІСТЬ k бітоючого лазерного випромінювання, запис - локальвих комбінацій у заданому інтервалі An(Ad) більними змінами показника заломлення п реєструюше, ніж N бітових, а отже більше буде і число N чого середовища і/або товщини d реєструючого Збільшуючи КІЛЬКІСТЬ довжин хвиль, на яких відбусередовища згідно з інформацією, яку записують вається зчитування інформації, збільшуємо і КІЛЬЗагальною ознакою прототипу і другого варіаКІСТЬ фаз поблизу межі перетворення і число ВІДнта запропонованого способу (способу зчитування ПОВІДНИХ їм двійкових одиниць На фіг 3, 4 N біт з кожного ЕС на однієї довжині хвилі) є фапоказана залежність квадрата модуля коефіцієнта зове кодування інформації Запис здійснюється відбиття І ГІ 2 зчитуючого випромінювання від фази регулюванням потужності лазерного випромінюР двошарового і одношарового оптичного носія вання, як і в першому варіанті запису ВІДПОВІДНО Найменші значення він набуває Найбільш близьким по технічній суті пристропри (і + 0,25) тт < р < (і + 0,75) ті, найбільші - при (і + єм вертикального запису/зчитування інформації є 0,8) ті < р < (і + 1,25) ті, де і = 1, 2, 3 Найменшим пристрій, запропонований в [5] (див фіг1) загальвідповідать ДВІЙКОВІ "0", найбільшим "1", ні як двійними ознаками прототипу і запропонованого приковий "0" строю є На фіг 3, 4 вони лежать у штрихованих обласнаявність у складі оптичного носія запису ретях Ці "нейтральні зони" можна зробить ширше чи єструючого шару з фоторефрактивного або іншого вужче Це робиться для того, щоб чітко відрізняти придатного для фазового запису матеріалу, елек"0" від " 1 " Для одношарового оптичного носія затропровідної плівки, металевого екрану (див фіг 2), пису "нейтральним зонам" відповідають 36% < І ГІ 2 записуюче лазерне випромінювання, яким змі< 52%, а для двошарового 10% < І ГІ 2 < 25% нюють модуляцію реєструючого середовища по п Для запису N бітів у кожному EC потрібно мати або/і d (всього 2 N градацій nd), n- показник залом2N градацій nd реєструючого середовища 3 k бітів лення, d- товщина реєструю чого середовища, можна отримати 2к різних к бітових комбінацій, це зчитуюче лазерне випромінювання визначених в 2 k N раз більше ніж N бітових Будь-які з них у довжин хвиль КІЛЬКОСТІ 2N придатні для ознаки N бітових комбіНедоліками прототипу - способу є націй При d = const треба 2N градацій п Найневелике перевищення ЩІЛЬНОСТІ запису інфоменша різниця по п двох різних EC визначається рмації на одиницю площі поверхні оптичного диску шириною "нейтральної зони" та величиною р на відносно моноканальних запам'ятовуючих при9 2 Xmm При р = 119,8ті та Др = 0,05л для переходу з строїв (~ 1,6 • 10 біт/см ), " 1 " до "0" треба Дп=6,24 10 4 , а при р - 191,25л і неможливість запису більше двох бітів в кожДр = 0,05л переходу з "0" до " 1 " відповідає Дп = ному ЕС при малих (Дп < 6 • 10 3) змінах показника 3,92 • 10 4 Якщо п = const, Др = 0,05л і р= 119,8, то заломлення, що не дає можливості використовупереходу через "нейтральну зону" при d = 16мкм вати для вертикального запису таких розповсювідповідає Ad = 6,68-10"Змкм, а при р = 191,25ті і d джених матеріалів як ЫЧЬОз, І_іТаОз, реоксан та = 20 мкм одержимо Ad = 5,23 10 Змкм ІНШІ, Найменші зміни величини п, які можна вимірянеможливість зчитування більш двох бітів з ти згідно з [6], звичайно складають 10 7 Що до кожного ЕС при інтервалі довжин хвиль зчитуванзміни d, то згідно з [7] за допомогою лазерів можна ня ДА, Ю"3, а складна конструкція оптичного носія запису Да >10 2мкм При запису з великим N градації Дп і В основу винаходу поставлена задача створи 5 46082 Ad можна збільшити, якщо одноразово модулювабом [5] для запису N = 2 потрібні комбінації ^ § - f ти і по п і по d Наприклад, якщо використовувати для запису два типу товщин ЕС, то КІЛЬКІСТЬ граВізьмемо — = 1,0148 _ в = 150 л при X = 0,4мкм дацій Дп зменшиться ВДВІЧІ Л Збільшуючи к, можна збільшити N Найбільше 150,0тг Якщо Дп = 0, то на отримаєм фази що N визначається найбільшою КІЛЬКІСТЮ к бітових 147,81тг комбінацій, які вдається одержати при існуючих d, відповідає комбінації j Зменшим п на Дп = 6,09 Дп і Д матеріалу PC Знайдемо N m a x для d = 1 бмкм, Дп = 0,1 і "вікна прозорості" ДА, = 0,4мкм Зі зміною 149,94тг це і При Дп = 2,5 10 10 , отримаємо п найбільш швидко змінюються фази найменшої 147,75лдовжини хвилі При Хтт = 0,4мкм зміна цих фаз 149,75ллежить в інтервалі 112,Оті < В < 120,Оті Якщо k тобто ^ При Дп = 6,1 10 одержимо 147,56тг достатньо велике, то у будь-якій k бітовій комбіна149,39тг ції є якнайменш одна фаза поблизу межі перетвоодержимо 147,20тг що відповідає останній комбірення, змінивши яку на 0,05ті одержують нову k бітову комбінацію Вважаючи, що з кожним змінації jо Записати два біта в кожному ЕС при Дп < щенням В на 0,05ті з'являється нова комбінація, 6 - Ю 3 двохбітовими комбінаціями навряд чи вда120-112 сться, а семібітовими (див Приклад 1) вдається отримаємо + 1 = 161 комбінацію Для запису 0,05 навіть три, при Д п т а х = 5 • 1 0 3 Інтервал довжин семи біт у кожному EC (N = 7) досить 128 комбінахвиль при цьому дорівнює 0,026мкм Щоб одержацій Таким чином семикратне збільшення ЩІЛЬНОСти N = 3 способом [5] треба АХ приблизно в 10 ТІ запису відносно моно канального заразів більше, навіть при Д п т а х ! 10 пам'ятовуючого пристрою, при прийнятих Перелік фігур і креслень параметрах матеріала PC і випромінювання, можФіг 1 - оптичний носій запису, відомий з [5] ливе (прототип), Щоб записати у кожному ЕС один байт (N = 8), Фіг 2 - оптичний носій запису, згідно з винахотреба 256 комбінацій Для цього, при Д п т а х - 0,1, дом, треба збільшити р т а х до 191,25л Це можна зробиФіг 3 - залежність коефіцієнта відбиття |Г|2 від ти при d = 20мкм, п = 1,817 і Хтт - 0,38мкм Тоді фази В в оптичному носи запису прототипі, 178,5ті < В < 191,25л і при достатньо великих ДА, (а Фіг 4 - залежність коефіцієнта відбиття |Г|2 від одже і к) отримаємо N = 8 фази В в оптичному носи запису, згідно з винахоІншим шляхом збільшення N (без підвищення дом В тах ) є зменшення ширин "нейтральних зон", наПриклад 1 Нехай діапазон зміни показника приклад до 0,03л Але це зменшить стрибок по заломлення реєструючого середовища Д п т а х 1 , 0 -> І , і -» і . і-* 1 , 0 о-м, 1 -> 0, 1 _». о між видимим і ультрафіолетовим випромінюванням І хоч показники заломлення деяких матеріа0 0 0 0 і 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 лів можуть бути й більше ніж п = 1,817 (наприклад 0 0 і і 1 0 0 0 І_іІ\ІЬОз при X и 0,5мкм має п « 2,5 [6]) будемо вва0 о 0 0 1 0 0 0 жати ці d, X, п і Дп = 0,1 критичними, а N = 8 найбіН а Ліпіп 0,4мкм при п ГПІа ~ 1,5, d — 16мкм діа~ льшим числом біт, яке можна записати в кожному пазон зміни, пов'язаний з зміною буде 119,6л < В < EC Це ВДВІЧІ більше ніж у прототипа і відповідає 9 2 120,0л густині запису 3,2 10 біт/см Двійковим ОДИНИЦЯМ відповідають фази, які Мінімальна величина k залежить від N дорівнюють цілим л та їх околицям і л - 0,2 < В < іл (див приклади 1 - 3) і повинна забезпечити 2 N ком+ 0,2л, в якій Г має найбільші значення Фазам (і + бінації, які відрізняються хоча би на одній довжини 0,25)л < В 6 10 3 Нехай d m a x = 20мкм, Хтт = 0,4мкм п = 1,5 Згідно з спосоХ Таблиця 1 Рз CD. А, мкм 0,400 0,406 0,413 0,416 0,420 0,423 0,426 0,400 0,560 0,840 Pi 119,60 117,71 115,85 114,93 114,02 113,11 112,21 57,1 40,8 27,2 119,65 117,76 115,90 114,98 114,06 113,16 112,26 55,9 39,9 26,6 Ps P4 119,75 117,86 115,99 115,37 114,16 113,25 112,36 57 40,7 27,1 119,70 117,81 115,95 115,03 114,11 113,21 112,31 55,1 39,4 26,3 Для запису трьох біт в кожному EC способом [5] треба ДПтах = 5 10 2 (в 10 разів більше) і ДЛ = 0,44мкм (в 17 разів більше, ніж в запропонованому способі) Одержати на реаксані 8 трибітних комбінацій у тому ж інтервалі довжин хвиль 0,400 < Л Щоб легше було знайти фази у табл 2, відповідаТаблиця 2 А 64,8 43,2 30,85 3 65,42 43,61 31,15 Б 63,2 42,14 30,11 И 65,31 43,54 31,10 В 62,8 41,87 29,91 І 62,58 41,72 29,80 г 65,92 43,95 30,47 і 65,21 43,47 31,05 Д 66,09 44,06 31,47 И 62,71 41,80 29,86 є 63,88 42,59 30,42 к 64,68 43,12 30,80 є 63,99 42,66 30,47 л 63,32 42,21 30,15 Ж 66,61 44,41 31,72 М 62,27 41,57 29,65 46082 н 0 62,48 41,65 29,75 62,37 41,58 29,70 X 66,30 44,20 31,57 Ц 63,11 42,07 30,05 П 63,63 42,42 30,30 Ч 65,81 43,88 31,34 Р 65,63 43,75 31,25 ш 62,92 41,95 29,96 Недоліком способу, який пропонують (а також прототипу) є зростання КІЛЬКОСТІ градацій nd з росN том N як 2 При N = 8 вже треба 256 рівней інтенсивності лазера, які проходять один за одним у порядку, визначеному текстом Лазерне випромінювання треба швидко перестраювати по інтенсивності, а при зчитуванні треба швидко розлічати 256k бітових комбінацій Цю роль може взяти на себе ЕОМ Але процес кодування (декодування) можна облегшити і зменшити число градацій інтенсивності випромінювання Для цього скористуємось тим, що в способі, який пропонують густина запису по nd і по А більша, ніж у прототипа і тим, що змінення фази Др зростає з ростом і прямопропорційно р Наприклад, якщо при данному Д (nd) змінення фази на Аі равно 0,2л, то на вже равно 0,65ті Це означає, що при визначеному Д (nd) в довгохвильовій області зміна стану інформації не відбудеться, а в короткохвильовій - відбудеться Тобто, фазовий запис має різну ступінь усталеності до змін nd в короткохвильовій і довгохвильовій частинах спектру зчитуючого випромінювання Це дозволяє розбити процес запису інформації на два етапи Спочатку записувати великими градаціями nd, а потім -мілкими nd, так щоб найбільше Д (nd) не приводило до зміни довгохвильової інформації Приклад 3 Нехай при Дптах = 3,6 1 0 2 н а А і = 1,2мкм і Аг = 1,1 мкм маємо чотири комбінації фаз 39,00 39,20 39,48 39,75 КОМб,42Д0" 42^5" 42J5" С 66,37 44,25 31,60 10 Продовження таблиці 2 Ф У 64,50 65,73 43,00 43,82 30,71 31,30 я Ь 62,20 64,88 41,50 43,25 29,62 30,89 т 64,33 42,88 30,62 ю 64,58 43,05 30,75 Щ 65,53 43,69 31,21 довжинах хвиль Лз = 0,4мкм, Л4 = 0,406мкм, As = 0,409мкм, Л6 = 0,412мкм, Л7 = 0,419мкм, Л8 = 0,426мкм, Л = 0,431 мкм В [10] відмічалось важлид вість спектральної стабільності джерел при зчитуванні Сучасна техніка дозволяє відрізняти канали по довжині хвилі на долі нанометра Тому використосують або напівпровідні лазери, або волоконні лазери, які стабілізуються зовнішньою волоконною дфракційною решіткою або іншим елементом, дозволяючим підтримувати стабільність Комбінацію - можна змінювати на Лз у межах (в одиницях ті) 119,45 < р < 120,00, комбінацію 0 о 118,65 < р < 119,19, комбінацію і - 117,75 < р < 118,29, комбінацію--117,19 < р < 117,74 1) Якщо на Аі , і Аг комбінація - то на Аз А можливі слідуючі комбінації біт ВІДПОВІДНИХ д їм фаз г -¥ Г4/ 1 її Ній1 J ї 1* 0 ЇЇ^І* * І * \\%чт J мг ЇШІУГ ь j ft 0 З ї!-3< fjS | 2 « S л ill?, ї Юи 1 1* С* в 1І10 е 1 ПЛ нації -, І , _ , - двохбітового (N = 2) запису Від1 0 j U й І 1 хилення цих фаз на Д р < 0,18л не змінює інформації на Аі і Аг Зменшив довжини хвиль зчитування приблизно в 3 рази отримаємо Др < 0,54л Не звертаючи уваги на те, яка двохбітова комбінація записана в данном ЕС можна записувати трьохбітову (N = 3), змінюючи лазером nd у межахусталенності довгохвильовой інформації При цоьму, треба стежити на коротких хвилях, як змінюються комбінації Як тільки зчитуючий пристрій виявить потрібну комбінацію, він подає сигнал на записуючий блок о припиненні змінення nd даного ЕС В результаті отримаємо п'ятибітовий (N = 5) запис, для якого треба знати вже ні 32 комбінації, а 12 (4 довгохвильові і 8 короткохвильових) Покажемо, що змінення nd, відповідаючим Др ї /4 Itj І і&? і „4 Отримавши незалежність запису двохбітової і трьохбітової інформації, ми втратили однозначність означень Будь-якої трьохбітової комбінації можуть відповідати від однієї до чотирьох семибі 46082 11 тових м а іприклад, нехай ком оінац и відповідають 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 або ; комбінації - і аб ° о- комбінації 1 0 1 1 0 ' 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 Г 0 0 1 0 або 0 1 ТОЩО 0 0 1 0 0 Тобто , для запису 1 1 1 потрібно записати 1 1 або 12 Аіфази,відповідаючі в табл 1 А = 0,406мкм 2 Зменшуючи п усіх EC на Дп 2,34 1 0 , 1,15 2 2 2 2 1 0 , 1,15 1 0 , 1,15 1 0 , 1,15 1 0 , одержимо всі ті фази, що і в табл 1 тільки на одній довжині хвилі Однакові зміни п можна проводити або одночасно для усіх EC (наприклад, електричним полем, прикладним між металевим екраном і плівкою), або послідовно (записуючим лазером) Таким чином, зчитування інформації (N = 3) відбувається семикратно Після кожного "перегляду" змінюють фази усіх ЕС на Др, рівні 1,9ті, 1,8ті, 0,92ті, 0,92ті, 0,92ті, 0,92ті В цьому прикладі таких змін 6 II В одношаровій конструкції НОП (фіг 2), яка містить в собі прозорий шар з фоторефрактивного або іншого матеріалу 1, в якому можливі регульовані зміни оптичної довжини шляху nd-i, і тонку електропровідну плівку (ЕП) 2 розташовані на добре відбиваючому металевому екрані 0 між товщинами шару d-i, плівки d2, показникам заломлення П, елеКТрОПрОВІДНІСТЮ ПЛІВКИ О2, ДОВЖИНОЮ зчитуючого лазерного випромінювання А і коефіцієнтом відбивання Г існує зв'язок [11] 1 •р ? 21 +1 2ж mtg{—ndt) Я 1 0 1 залежно від того, що з явиться при змінюванні (де Ys = Z3O2d2,Z3 = 3770м - імпеданс вакууму, i = 4^l, Y(2) - вхідна провідність структури фіг 2), з 0 якого ясно, що 0 зах 0 0 nd Нам невідомо проти якої двохбітової ми пи1 шемо , але нам відомо, що це один з двох відомих 2 = (2к-1 )-Х Л L нам варіантів Можливо, що в результаті оптимізацм по КІЛЬКОСТІ А і по кроку ДА і A(nd) вдасться оде ржати однозначність Однохвильовий вертикальний запис/зчитування В роботі [5] відмічалось зчитування N біт з кожного EC на одній довжині хвилі (точніше на дуже вузькому інтервалі ДА, який завжди є навіть у самих високомонохроматичних лазерів), як теоретичне, в зв'язку з тим, що для його здійснення способом [5] потрібен матеріал з зміненням показника заломлення в 1,5 - 2 рази Спосіб, який пропонують дозволяє реалізувати таке зчитування на матеріалах з Дп < 0,1 Запишемо три біта в кожному ЕС на такому ж НОП, що і в прикладі 1 (d = 16мкм, n m a x = 1,5) такими ж градаціями показника заломлення (Дп < 5 10 3 ) але діапазон змінень п реєструючого середовища буде Дп < 7,6 10 2 На А, = 0,4мкм одержимо тіж 8 значень фаз, що і в табл 1 Зменшим п усіх ЕС на Дп = 2,375 10 2, що відповідає Др = 1,9ті Одержимо на тій же =1, к = ) В відсут(2) ність електропровідної плівки Ys = 0 і Y Ф 1 при будь-яких фазах 3 рівняння Ys = Z3 O2d2 = 1 по вибраному О2 визначається товщина електропроВІДНОІ ПЛІВКИ Тобто 1 1 = 0 при Y (2) = 1 і тоді при фа 2650(Ом м ) d 2 = 1 наприклад При О2 = 6 10 м я" 3 рівнянь р = (2/c-l)— \ Р = 2 Г •С7Г 2 = 100% п РИ/Ї = К7Г знаходять значення nd-i, реєструючого середовища для EC відповідаючим двійковим "0" чи двійковим " 1 " Наприклад, якщо модулювання проводиться по п при сталом d = Юмкм і на А = 0,5мкм, то для запису двійкового "0" відповідаючого фазі р = 59,5л треба так змінити вихідне п, щоб воно дорівнювало 2nd =1,4875 "0" чи " 1 " можна записати 2*10 не тільки р = ' : ~Ч— і Р = кя, а й в близьких їм по значенню (див фіг 3,4) отже для кожної конкретної комбінації беруть відповідне р При Ys = 1 залежність квадрата модулю коефіцієнта відбивання від фази р має вид (фіг 4) див також [12] Відміна від прототипу тут виявиться в величині інтервалу значень що належать двійковому "0" чи ДВІЙКОВІЙ " 1 " (див межі "нейтральних зон", а також фіг 3,4) Це не впливає на технічний результат винаходу Перехід до одношарового НОП (фіг 2) при од 13 46082 14 джені матеріали, як нюбат ЛІТІЯ, танталат ЛІТІЯ, збільшенню накових товщинах еквивалентен ДПтах в 2 рази Дійсно, при заданому Дп величина змінення фази Др ТІМ більша, чим більше р Тому при обмежених Дп краще мати великі р Але величина нR = —nd також обмежена так як X більшість матеріалів непрозорі при Л < 0,4 0,5мкм, показник заломлення їх ~ 1,5, товщина реєструючого середовища обмежена поперечним розміром ЕС (~ 1мкм) і зростанням втрат на затухання хвиль в реєструючом середовищі В [5] найбільша товщина одного шара реєструючого середовища Юмкм, але там два шара, отже d m a x = 20мкм Величина Др залежить від р кожного шара, тому перехід до одношарового реєструючого середовища еквивалентен збільшенню ДПтах в два рази Збільшення Дптах в два рази приводить до збільшення числа комбінацій в два рази, оскільки 2*2N = 2 N + 1 , то число битів, записаних у кожному EC збільшується на один Все сказане в [5] відносно усунення флуктуацій фази справедливо і для запропонованого винаходу Таким чином, основні ВІДМІНИ пристрою від прототипу від носятся до конструкції оптичного носія запису (замість двох шарів і двох плівок один шар і одна плівка) і до деяких параметрів оптичного носія запису, а саме, було Ys =2, а стало Ys = 1 В однохвильовому варіанті зчитування додається джерело сталого електричного поля, КІЛЬКІСТЬ градацій якого залежить від числа к, а їх величина від матеріалу реєструючого середовища і від стрибків Дп всіх EC Електродами, до яких прикладається це поле слугують електропровідна плівка і металевий екран Застосування запропонованого способу дозволяє збільшити об'єм пам'яті оптичного диску ВДВІЧІ відносно прототипу, що відповідає підвищенню ЩІЛЬНОСТІ запису відносно традіційних моноканальних запам'ятовуючих пристроїв в 8 разів, для виготовлення оптичного носію запису з двох-, трьохкратним збільшенням ЩІЛЬНОСТІ запису інформації застосовувати такі широко разповсю реоксан та ІНШІ, здійснювати запис/зчитування на одній довжині хвилі, що дає збільшення об'єму пам'яті відносно моноканальних запам'ятовуючих пристроїв в 23 рази Застосування запропонованого пристрою дозволяє збільшити число бітів N, записаних в кожному ЕСнаї, спростити конструкцію отличного носія запису Джерела інформації 1 Ребане К К , Ребане К К Фотовыжигание спектральных провалов//Известия АН СССР, серия физическая -1992, т 56, №5, с 203 - 212 2 Рудаков И Б , Штейнберг И Ш , Шепеткин Ю А Метод многослойной оптической записи информации/Автометрия -1991,№3,с 76-80 3 Штейнберг И Ш , Шепеткин Ю А Особенности 3-Д оптической записи информации/Автометрия -1993, №3, с 89 - 99 4 Пат США № 469518, 10 03 1987 5 Демехин В В Вертикальная запись информации для оптических ЗУ//Автометрия-1997, №6, с 67 - 71 (прототип), английский вариант "optoelektromks instrumentation and data processmg"-1997, №6 6 Труды Всесоюзной конференции «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» 1990, ч 1, с 120ис262 7 Фейнман Р КЭД странная теория вещества и света - М "Наука", 1988 -144с 8 Михайлов В И , Князев Г И , Макарычев П П Запоминающие устройства на оптических дисках М «Радио и связь» -1990,с 217 9 Лазер, перестраиваемы по N частотам для компактных переключателей с мультиплексрованием по длине волны / Glance В , Koren U , Burrus С A, Evankov ID// Elektron Let -1991 -27, №15, с 1381 -1383 10 Компьютерра #4 (232), 1998, 25 с 11 Алимин Б Ф , Торгованов В А Методы расчета поглотителей электромагнитнх волн// Зарубежная радиоэлектроника -1976, №3, с 44 12 БреховскихЛМ Волны в слоистых средах -М «Наука», 1973, 373с ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна (044) 456 - 20 - 90 ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)216-32-71