Реєструючий матеріал для запису голограм

Реєструючий матеріал для запису голограм на основі халькогенідних стекол, який відрізняється тим, що матеріал виготовляється у вигляді періодичної шаруватої структури з a-Se та As2S3 з товщиною шарів 5-7 нм, а вся товщина структури становить не менше 2,5 мкм. (19) (21) 98126490 (22) 08.12.1998 (24) 15.05.2002 (46) 15.05.2002, Бюл. № 5, 2002 р. (72) Кикинеші Олександр Олександрович, Шипляк Мирослав Михайлович, Пальок Василь Юрійович, Мишак Олександр Олександрович, Беке Дежев , HU, Сабо Іштван , HU (73) Ужгородський державний університет 3 верхневого рельєфу в реальному масштабі часу матеріал виготовляється у вигляді періодичної шаруватої структури з a-Se та Аs2S3 з товщиною шарів 5-7 нм, а вся товщина структури становить не менше 2,5 мкм. Перевагою даного реєструючого матеріалу є те, що запис поверхневого рельєфу голограми здійснюється в реальному масштабі часу, не потребує додаткової обробки, а якість поверхні залишається незмінною і відповідає початковому стану термічно напиленої багатошарової наноструктури. Позитивний ефект досягається за рахунок унікальне великої фотоіндукованої деформації наношаруватої структури а-Se/As2S3, яка досягає 4% від загальної товщини структури при експозиціях He-Ne лазером порядку 103 Дж×см-2 та густині потужності порядку 1 Вт×см-2. На фіг. 1 наведена експериментальна залежність дифракційної ефективності голограмної гратки, виміряна в режимі відбивання на довжині хвилі записуючого світла в процесі запису, від величини експозиції на матеріалі товщиною 2,5 мкм. Максимально можлива величина ефективності не досягається за рахунок втрат при відбиванні (коефіцієнт відбивання реальної поверхні @ 20%) і може бути наближена до гранично можливої на гратці з оптимальним синусоїдальним рельєфом глибиною близько 90 нм при забезпеченні максимального коефіцієнта відбивання. Це здійснюється при покритті записаної голограми відбиваючим шаром алюмінію. Враховуючи максимальне значення фотоіндукованої деформації 4%, загальна товщина реєструючого матеріалу даного типу має бути не меншою за 2,5 мкм з урахуванням можливих втрат. На фіг. 2 наведений знімок поверхні записаної гратки, зроблений в атомно-силовому мікроскопі. На фіг. 3 показано шорсткість поверхні, величина якої (порядку 0,5 нм) практично не міняється в процесі запису. Фіг. 1 33134 4 На фіг. 4 показаний експериментальний профіль записаної голограмної гратки, одержаний в атомно-силовому мікроскопі (крива 1), та теоретична синусоїда, яка моделює її (крива 2). Добре співпадіння їх свідчить про лінійність передачі сигналу середовищем даного типу. На фіг. 5 показана експериментальна залежність ефективності запису від періоду наношаруватої структури (товщини субшарів), яка свідчить про те, що оптимальними товщинами шарів структури є величини в інтервалі 5-7 нм. Фізично це можна пояснити умовами виникнення квантоворозмірних ефектів при даних товщинах шарів, які є характерними для реалізації таких ефектів. Рельєф записаних на даному реєструючому матеріалі голограм стабільний при кімнатних (295 К) температурах протягом кількох років спостереження. З даної рельєфної голограми відразу можна знімати репліку для тиражування, або використати її як оригінал для разового або малосерійного копіювання методом тиснення на полімер. Винахід може бути застосований у системах оптичного запису і обробки інформації для виготовлення голограмних матриць, фільтрів, у оптоелектроніці для виготовлення граток зв’язку та хвильоводних елементів, а також для виготовлення голограмних оптичних елементів, зображень для тиражування. Джерела інформації. 1. Пластина для реверсивной оптической записи. А. с. № 570008 МКИ G03G/00 авторів А.А. Кикинеши, Д.Г. Семак, И.И. Турянца, дата опубликования 22.09.1977 г. 2. Indutnyi I.Z., Kostishin M.T., Romanenko P.F., Stronskii A.V. Recording of holographic diffraction on lightsensitive semicondactor-metal system. J. Inf. Rec. Mater., v. 19, (1991) # 3, pp. 239-348. (Прототип). Фіг. 2 5 33134 6 Фіг. 4 Фіг. 3 Фіг. 5 ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул. Сім’ї Хохлових, 15, м. Київ, 04119, Україна (044) 456 – 20 – 90 ТОВ “Міжнародний науковий комітет” вул. Артема, 77, м. Київ, 04050, Україна (044) 216 – 32 – 71