Джерело пучка іонів із замкненим дрейфом електронів

Джерело пучка іонів із замкненим дрейфом електронів, що містить магнітопровідний корпус, що є катодом, у торці якого розташована емісійна C2 2 (19) 1 3 92057 4 імплантації, а також у системах розпилення матецевого анода 6 і джерела магніторушійної сили 7 ріалів з декількох джерел одночасно. (постійних магнітів) скріплюються гвинтами. Анод 6 Задача, розв'язувана винаходом, полягає в ізольований від корпуса і центрований щодо емірозширенні функціональних можливостей джересійної щілини, шляхом установки по внутрішніх ла пучка іонів, шляхом зведення генерованого кутах порожнини ізолюючих прокладок (на кресстрічкового пучка в точку. ленні не показані). Мішень 8 установлюється під Поставлена задача вирішена тим, що в джепрямим кутом до вісі приладу. Юстировка джерела релі пучка іонів, що містить магнітопровідний коріонів здійснюється дослідним шляхом - підбором пус, що є катодом, в торці якого розташована еміширини емісійної щілини і відстані між анодом і сійна щілина для випуску пучка іонів, і в порожнині катодом h. якого розташований анод симетрично зазначеній Пристрій працює в такий спосіб. щілині і ізольований від корпусу, джерело магнітоРоблять відкачку камери 1, у якій розташоване рушійної сили і джерело електроживлення, що джерело іонів, до тиску 10 5 10 6 мм.рт.ст. вакуз'єднане з катодом і анодом, а також вакуумна умним насосом через вентиль 3. Потім у камеру відкачна система з камерою, анод і емісійна щілиподається робочий газ (аргон), що напускається на встановлені під кутом до вісі корпусу, і який через регульований вентиль 2 до тиску визначається з виразів: 10 3 10 4 мм.рт.ст. Різниця потенціалів між аноD ; Sin дом і катодом подається від зовнішнього джерела 2 напруги 4. Конструкція, приведена на Фіг., забезf Cos печує умови ортогональности електричного і магде: D - діаметр кільцевої емісійної щілини, нітного полів, що іонізують робочий газ. У кільцевій - середня довжина вільного пробігу іонів газу діодній системі виникає електричний розряд, що в камері, формує протяжний стрічковий пучок іонів. Виходяf - фокусна відстань іонно-оптичної системи чи з емісійної щілини, стрічковий іонний пучок джерела. приймає форму конуса і по балістичних траєкторіВстановлення анода і емісійної щілини під куях фокусується на вісь аксіально-симметричного том до корпусу, який визначається з виразів: джерела в точку на мішені 8. Фокусна відстань Sin D/2 і f Cos , дозволяє стрічковому системи f, що визначає відстань до мішені, залепучку іонів, що виходить з емісійної щілини, зійтися жить від кутової орієнтації емісійної щілини щодо у формі конуса по балістичних траєкторіях у точку вісі джерела іонів і діаметра кільцевої емісійної на вісь аксіально - симетричного корпусу джерела щілини D . іонів. У такий спосіб відбувається балістичне фоЗгідно запропонованого винаходу було вигокусування стрічкового іонного пучка. Бомбардутовлене джерело іонів з основними параметрами: вання точковим пучком іонів дозволяє робити тиск робочого газу в камері очищення у вакуумі внутрішньої і зовнішньої пове10 3 10 4 мм.рт.ст., рхонь в області торця труб, а також виробів більш - робочий газ - аргон, складних конфігурацій при підготовці їх до зварю- напруга між анодом і катодом до 5000В, вання в вакуумі. - струм емісії іонів до - 0,2А, Пропоноване рішення ілюструється креслен- розмір точки у фокусі - не більш 2мм у діаменям, на якому на Фіг. представлена схема джеретрі. ла пучка іонів в осьовому розрізі. Джерело пучка іонів може бути використане у Джерело містить камеру 1 із системою вакуутехнологічних процесах, призначених для очимної відкачки і системою напуску робочого газу, щення, травлення й активації поверхонь виробів і що з'єднані з камерою вентилями 2 і 3 (на креснанесення на них покрить, розпилення матеріалів ленні системи не показані), а також зовнішнє джез декількох джерел одночасно, для очищення порело напруги 4. У камері розташований магнітопверхні деталей у технології зварювання в вакуумі, ровідний аксіально-симетричний корпус 5, що є створення точкових джерел вторинних іонів у сискатодом, з порожниною для анода й емісійною темах іонної імплантації. щілиною для випуску стрічкового пучка. Корпус 5 є збірним і складається з чотирьох аксіальносиметричних елементів, що після установки кіль 5 Комп’ютерна верстка М. Мацело 92057 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601