Реєструючий матеріал для запису оптичних рельєфів

Реєструючий матеріал для запису оптичних рельєфів на основі халькогенідних стекол, що містить трисульфід миш'яку, виконаний у вигляді періодичної шаруватої структури, який відрізняється тим, що він додатково містить шар сурми, причому товщина шарів складає 1-2 та 3 нм відповідно. (19) (21) a200912389 (22) 30.11.2009 (24) 26.04.2011 (46) 26.04.2011, Бюл.№ 8, 2011 р. (72) ВОЙНАРОВИЧ ІВАН МИХАЙЛОВИЧ, ШИПЛЯК МИРОСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ, ТОКАЧ ВІКТОР ОЛЕКСАНДРОВИЧ, КОКЕНЄШІ ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСАНДРОВИЧ (73) ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ" (56) UA 33134 C2, 15.05.2002 весь документ JP 2007237437 A, 20.09.2007 реферат 3 бажано in situ в реальному масштабі часу та з високим розділенням, в одноступеневому процесі без селективного травлення. Задача досягається тим, що реєструючий матеріал для запису оптичних рельєфів на основі халькогенідних стекол виготовляється у вигляді періодичної шаруватої структури з сурми та трисульфіду миш'яку з товщиною шарів 1-2 та 3 нм відповідно, при цьому запис рельєфів на ньому здійснюється безпосередньо, в реальному масштабі часу лазером або електронним променем, а зчитування здійснюється оптичними або електронними методами. На основі дослідження залежності величини локальної зміни  і n індукованої світлом і електронним пучком від складу наношаруватої структури виявлено, що максимальну чутливість мають наношаруваті структури Sb/As2S3, термічно напилені у вакуумі на діелектричну (скло, кварц) або провідну (скло, покрите шаром металу) основу, тобто періодичні структури з субшарів Sb та AS2S3 товщиною 1-2 та 3 нм відповідно і загальною товщиною структури 200-1000 нм. Перевагою даного матеріалу в порівнянні з раніше відомими є значно більша ефективність запису і модуляції оптичних параметрів, застосовність для електронного запису, можливість зчитування запису електричним методом (за рахунок зміни електропровідності в місці взаємодифузії 102 Ом-1см-1), а також відсутність зміни товщини, що є перевагою при виготовленні дифракційних ґраток з пониженими шумами. На фіг.1 приведене схематичне зображення багатошарової періодичної структури Sb/As2S3, яка складається з субшарів Sb та AS2S3, нанесених вакуумним термічним напиленням на діелектричну або провідну підкладку. На фіг.2 показана зміна оптичного пропускання відносно початкового на довжині хвилі запису 94329 4 ючого лазера 633 нм в структурі Se/As2S3 (1) (прототип) та Sb/As2S3 (2), де видно, що в стибійвмісних структурах відносна зміна оптичного пропускання більша, ніж в багатошарових структурах Se/As2S3. На фіг.3 показана зміна показника заломлення в структурі Sb/AS2S3 при записі лазером на довжині хвилі 633 нм. На фіг.4 приведений знімок амплітудного оптичного рельєфу, записаного електронним променем на багатошаровій структурі Sb/As2S3, зроблений за допомогою оптичного мікроскопа. Записаний на даному реєструючому середовищі оптичний рельєф стабільний при кімнатних (295К) температурах протягом кількох років спостереження. Використання цього матеріалу дозволяє покращити параметри реєструючих середовищ для створення амплітудно-фазових голограм та функціональних елементів оптики та оптоелектроніки, а також створити комбіновані системи оптичний запис - оптичне або електричне зчитування. Винахід може бути застосований у системах оптичного запису і обробки інформації для лазерного амплітудно-фазового або фототермічного запису амплітудно-фазових оптичних рельєфів з підвищеним контрастом, розширеною градацією змін і можливістю електричного зчитування. Джерела інформації 1. Несеребрянные фотографические процессы / Под. Ред. А.Л. Картужанского. - Л.:Химия, 1984. - С.375. 2. Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и его практическое применение. - К.: Академпериодика, 2007. - С.284 (прототип). 5 Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська 94329 6 Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601