Реєструючий матеріал для запису оптичних рельєфів

Реєструючий матеріал для запису оптичних рельєфів, що як основу містить халькогенідні стекла, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено у вигляді періодичної шаруватої структури з сурми та трисульфіду миш'яку з товщиною шарів 1-2 та 3 нм відповідно, при цьому запис рельєфів на ньому здійснюється безпосередньо, в реальному масштабі часу лазером або електронним променем, а зчитування здійснюється оптичним або електричним методами. (19) (21) u200912272 (22) 30.11.2009 (24) 25.05.2010 (46) 25.05.2010, Бюл.№ 10, 2010 р. (72) ВОЙНАРОВИЧ ІВАН МИХАЙЛОВИЧ, ШИПЛЯК МИРОСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ, ТОКАЧ ВІКТОР ОЛЕКСАНДРОВИЧ, КОКЕНЄШІ ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСАНДРОВИЧ (73) ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ" 3 50097 4 Завдання досягається тим, що реєструючий тип) та Sb/As2S3 (2), де видно, що в стібійвмісних матеріал для запису оптичних рельєфів на основі структурах відносна зміна оптичного пропускання халькогенідних стекол виготовляється у вигляді більша ніж в багатошарових структурах Se/As2S3. періодичної шаруватої структури з сурми та трисуНа Фіг.3 показана зміна показника заломлення льфіду миш'яку з товщиною шарів 1-2 та 3 нм відв структурі Sb/As2S3 при записі лазером на довжиповідно, при цьому запис рельєфів на ньому здійні хвилі 633 нм. снюється безпосередньо, в реальному масштабі На Фіг.4 приведений знімок амплітудного опчасу лазером або електронним променем, а зчитичного рельєфу записаного електронним прометування здійснюється оптичними або електроннинем на багатошаровій структурі Sb/As2S3 зроблеми методами. ний за допомогою оптичного мікроскопа. На основі дослідження залежності величини Записаний на даному реєструючому середовищі оптичний рельєф стабільний при кімнатних локальної зміни і n індукованої світлом і еле(295°К) температурах на протязі кількох років споктронним пучком від складу наношаруватої струкстереження. Використання цього матеріалу дозвотури виявлено, що максимальною чутливістю воляє покращити параметри реєструючих середолодіють наношаруваті структури Sb/As2S3, вищ для створення амплітудно-фазових голограм, термічно напилені у вакуумі на діелектричну (скло, та функціональних елементів оптики та оптоелеккварц) або провідну (скло, покрите шаром металу) троніки, а також створити комбіновані системи основу, тобто періодичні структури з субшарів Sb оптичний запис - оптичне або електричне зчитута As2S3 товщиною 1 -2 та 3 нм відповідно і загавання. льною товщиною структури 200-1000 нм. Корисна модель може бути застосована у сисПеревагою даного матеріалу в порівнянні з темах оптичного запису і обробки інформації для раніше відомими є значно більша ефективність лазерного амплітудно-фазового, або фотозапису і модуляції оптичних параметрів, застосовтермічного запису амплітудно-фазових оптичних ність для електронного запису, можливість зчитурельєфів з підвищеним контрастом, розширеною вання запису електричним методом (за рахунок градацією змін і можливістю елекричного зчитувазміни електропровідності в місці взаємодифузії ня. 2 -1 -1 10 Ом см ) а також відсутність зміни товДжерела інфрмації щини, що є перевагою при виготовленні дифрак1. Несеребрянные фотографические процесційних ґраток з пониженими шумами. сы. Под. Ред. А.Л. Картужанского. Л. «Химия», На Фіг.1 приведене схематичне зображення 1984,375 с. багатошарової періодичної структури Sb/As2S3, яка 2. Е.Ф.Венгер, А.В. Мельничук, А.В.Стронский складається з субшарів Sb та As2S3 нанесених Фотостимулированные процессы в халькогенидвакуумним термічним напиленням на діелектричну ных стеклообразных полупроводниках и его пракабо провідну підкладку. тическое применение. Киев. Академпериодика. На Фіг.2 показана зміна оптичного пропускання 2007. с.284. прототип відносно початкового на довжині хвилі записуючого лазера 633нм в структурі Se/As2S3 (1) (прото 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 50097 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601